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28nm
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2016-02-26 28nm工艺即将跌下神坛,14nm LPP工艺密度翻倍
这几天AMD市场营销总监在推特上隐晦证实了某个Polaris核心会拥有86亿晶体管,再结合之前曝光的核心面积,算起来14nm LPP工艺的晶体管密度相比目前的28nm工艺至少翻倍。
2016-02-02 首批16nm高端FinFET FPGA正式发售 较28nm性能功耗比提升2-5倍
丰富的UltraScale+产品组合充分发挥赛灵思在28nm、20nm和现在16nm技术节点上的领先优势,相对于28nm 器件能将系统级性能功耗比提升2-5倍。
2015-11-13 新突破!中国成功流片28nm MTK芯片
今年8月,中芯国际宣布采用其28nm工艺制程的骁龙410芯片开始用于主流智能手机,可谓开创了先进手机芯片制造落地中国的新纪元。
2015-10-19 TSMC准确数据:中国已有10家公司采用16nm Finfet
大陆消费者追求高、大、上终端产品规格的需求,反映在半导体产品开发的企图心上,台积电大陆区业务发展副总罗镇球强烈感受,不但第二波28纳米制程客户蓄势待发,大陆IC设计公司的蓬勃朝气,更反映在16纳米FinFET制程产品的规划上。需求涵盖移动运算、网通、比特币(Bitcoin)、FPGA等应用领域,有接近10家大陆IC设计公司的16纳米产品已经开案,呈现百花齐放的态势。
2015-09-25 中国"芯"28nm关键节点需要怎样的推动力?
全球方面,白皮书数据显示,2014年全球集成电路产业规模达到3331.51亿美元。从区域分布来看,集成电路产业主要分布在北美、欧洲、日本和亚太地区(除日本)。同时,也形成了以英特尔、三星、台积电、高通为代表的龙头企业。
2015-09-22 Globalfoundries性能跑分告诉你:采用FD SoI的重要性
FD SoI一直宣称能提供FinFET工艺级别的性能及功耗,但制造成本却降低一个级别。在目前已有的三家代工厂中,与另外两家(ST和三星)不同的是,Globalfoundries公司缺少兄弟IC设计公司——只能接外部定单,且该公司是跳过28nm,首个推出22nm FD-SOI工艺的代工厂。那么,您是否知道22FDX到底有哪些好?
2015-06-01 凌力尔特推出双路18A或单路36A微型模块稳压器
2015 年5月28日,凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双路 18A 或单路 36A 微型模块 (μModule) 稳压器 LTM4630-1,该器件具高精确度输出电压调节,面向 28nm 和低于 28nm 的 FPGA、ASIC 和微处理器。面向低于 28nm FPGA、具精准 DC 和瞬态输出调节的μModule稳压器可扩展输出电流至高达 144A.
2015-05-15 Xilinx 28nm产品累计营收超10亿美元里程碑,市场份额高达65%
Xilinx 28nm产品累计营收超10亿美元里程碑,市场份额高达65%.Xilinx 在28nm工艺节点实现重大里程碑,比此前任意工艺节点提前3个季度实现累计营收超10亿美元目标相同营收.
2015-04-07 展讯四核SoC以双核价格重新定义智能手机入门产品
在经历三件大事后,展讯终于打破沉寂,在深圳召开新品发布会,推出了两款采用28nm工艺的四核SoC平台——支持五模LTE的SC9830A和支持WCDMA的SC7731G。这对手机市场意味着什么?又将为客户和消费者带来什么价值?
2015-04-06 展讯宣布28nm四核五模LTE和WCDMA SoC平台实现大规模量产
2015年4月2日,展讯通信作为中国领先的2G、3G 和4G无线通信终端的核心芯片供应商之一,今日推出两款采用28nm工艺的四核SoC平台:支持五模LTE的SC9830A和支持WCDMA的SC7731G。展讯宣布两款芯片目前已被全球领先的品牌公司采用,在中国及全球市场实现大规模量产。
2014-11-03 28nm发威 联电Q4继续成长
晶圆代工二哥联电昨(29)日召开法说会,执行长颜博文表示,28奈米制程良率持续提升,将明显带动第4季28奈米的出货,而联电近期在日本及大陆的全球布局,将可巩固长期成长动能。由于晶圆代工接单淡季不淡,太阳能电池出货回复成长动能,法人预估第4季营收将略优于第3季。
2014-09-29 中芯国际进军闪存,自主研发38nm NAND
虽然规模和技术远远不如TSMC台积电、UMC台联电等代工巨头,不过中芯国际(SMIC)这两年发展的还不错,28nm工艺年初也正式量产了,还从 TSMC手中抢到了部分高通处理器订单,现在他们准备进军新的市场领域了——向客户推出38nm工艺的NAND闪存,而且是中芯国际自主研发的技术。
2014-08-19 飞思卡尔小基站解决方案治理4G时代的无线网络“城市病”
飞思卡尔城域小区解决方案面向高带宽、低功耗的基带应用,并针对LTE (FDD和TDD)及WCDMA (HSPA+)城域基站应用进行了优化。今年2月推出的QorIQ Qonverge B3421 SoC面向快速增长的城市板块,QorIQ Qonverge B3421无线基础架构片上系统基于先进的SoC架构,采用28 nm工艺技术制造,集成有数字前端(DFE),是一款高性能基带解决方案,适用于对功耗、尺寸和成本要求较为严格的小型小区部署。
2014-06-26 展讯发布采用28nm工艺的高集成度四核智能手机平台
展讯发布采用28nm工艺的高集成度四核智能手机平台,展讯SC883XG采用先进28nm工艺,有助于实现高性能和低功耗.
2014-06-13 高通推出高性能、低成本小型基站系统级芯片
高通为中小企业和小区接入点推出高性能、低成本小型基站系统级芯片,以扩大网络容量和覆盖范围.业内首款28nm小区和中小企业小型基站系统级芯片结合高通的蜂窝和Wi-Fi技术,协助移动运营商、电信业者和企业满足移动数据增长的需求.
2014-05-30 Vitesse授权飞思卡尔使用其千兆以太网IP核
2014年5月 – 为电信网、企业网和物联网(IoT)网络提供先进芯片解决方案的领先供应商Vitesse Semiconductor公司日前宣布:飞思卡尔半导体为其28nm QorIQ T1040四核和T1020双核通信处理器选用了Vitesse的VSC9953-01 SparX千兆以太网交换机IP内核,并且现在正为用户提供这两款通信处理器的样品。
2014-05-08 Synopsys全新IP将USB PHY的实现面积缩小达50%
Synopsys全新已流片DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP将面积缩小高达50%.采用14/16nm FinFET和28nm工艺的小片芯占用面积PHY降低了消费类、移动、存储及网络应用的硅成本.
2014-03-11 芯片国产化加快步伐
随着高通反垄断案的进展,芯片国产化正在提速。近日,美国高通公司执行副总裁兼集团总裁表示,高通已将28nm手机芯片生产部分转到中芯国际,现在已经开始批量出货,比市场预期大幅提前。
2014-03-06 瑞萨研发出28nm微控制器的嵌入式闪存工艺
瑞萨电子研发出业内首创的28nm微控制器的嵌入式闪存工艺,创立了可扩充车用微控制器的片上闪存容量的28nm制程工艺.半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布其已研发出业内首项应用于28 nm制程工艺的微控制器(MCU)的 28纳米(nm)闪存知识产权(IP)。
2014-02-26 移动芯片工艺制程大比拼
在移动通信芯片领域,高通是第一家量产了28nm制程的移动芯片厂商,2013年是28nm制程的普及年,除了联芯和展讯还在使用40nm制程外,其余各家移动通信芯片厂商都不约而同的使用了28nm制程。
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