EDN China首页 > 高级搜索 > 14纳米

14纳米 14纳米 搜索结果

14纳米
本专题为EDN China电子技术设计网的14纳米专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与14纳米相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
共搜索到20篇文章
2016-03-01 英特尔14nm工艺技术超前,那晶体管的实际性能如何?
多年以来,英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术,只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且,难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代 FinFET 工艺,毕竟其余竞争对手在其 14 纳米问世时,均处于第一代 FinFET 工艺水平。
2015-10-13 苹果A9处理器工艺:台积电16nm PK 三星14nm
最近在亚洲果迷们最沸沸扬扬的议题,非“iPhone6s台积电与三星A9处理器的效能与续航力效能差异莫属。 网友针对台积电与三星代工的A9处理器做测试 , 在效能的跑分或是手机的续航力表现,16纳米的台积电A9处理器明显赢过14纳米的Samsung A9处理器(测试状况详见这里 ),虽然苹果官方已表示不同代工厂出货的A9芯片都符合Apple标准,根据官方测试实际电池续航力,两者差异仅在2-3%之间,不过似乎无法平息亚洲地区果迷们的疑虑,香港果粉甚至已酝酿换机或退机风潮。
2015-07-10 IBM30亿美金砸向7纳米 利用硅锗延续摩尔定律
IBM公司宣布制造出7纳米芯片的工作样品。蓝色巨人虽已将其芯片制造业务出售给了GlobalFoundries公司,但并未放慢其芯片研究。行业领头人英特尔公司目前最新一代的芯片采用的是14纳米工艺。IBM的新芯片暗示半导体技术在2018年前将能继续缩小。
2015-06-05 英特尔或成2015年晶圆代工最大黑马?
英特尔(Intel)瞄准全球约485.2亿美元规模的半导体代工市场,开始加快移动。2015年中获得以半导体界黑马之姿崛起的大陆展讯委托,为其代工生产14纳米移动应用处理器(AP),正式投入AP代工市场。
2015-05-26 晶圆代工竞争暗潮汹涌 14纳米FinFET制程略胜一筹
虽然台积电仍是全球晶圆代工市场的龙头大厂,但为牵就苹果(Apple)这个大客户,内部压宝16纳米、20纳米设备可以大部互通的产能扩充弹性优势,硬是将16纳米FinFET制程技术订为20纳米下一棒的规划蓝图。
2015-05-25 晶圆代工业市场动荡 企业激烈抢单
半导体业者表示,高通在FinFET制程世代选择三星14纳米制程作为第一供应商,有别于过去率先与台积电合作,主要原因是台积电将部份资源投入20纳米制程开发,导致16纳米FinFET制程推出时间点略晚于竞争对手,但这是对的决定,因为20纳米制程帮台积电争取到苹果A8处理器订单。
2015-05-11 FinFET制程进度让大家失望了
全球晶圆代工市场逐渐转移至16/14纳米制程的鳍式场效电晶体(FinFET)技术,最初由芯片大厂英特尔(Intel)带动,而后三星电子(Samsung Electronics)与台积电加入战局,GlobalFoundries也将很快涉足此新兴市场。
2015-01-14 14纳米FinFET工艺成争夺焦点 全球代工战拉开帷幕
14nmFinFET工艺优势多多,相比业界的20nm工艺,14nm FinFET工艺可提升20%的速度,降低35%的功耗,晶体管密度提升15%。特别是日前三星继英特尔之后宣布14nm将量产,使得代工争夺战中16nm/14nm订单成为新的焦点。
2014-10-24 Intel与IBM决战14纳米FinFET
业界主要的半导体制造商与晶圆代工厂一直在努力打造足以与英特尔(Intel)竞争的 3D FinFET ,试图挑战这个多年来一直由英特尔主导的领域。而长久以来能与英特尔相抗衡的也只有IBM了,不过,该公司最近刚签署一项协议,将旗下晶圆厂拱手卖给 GlobalFoundries (据The Envisioneering Group研究总监Rick Doherty指出,GlobalFoundries才刚取得三星 FinFET 制程技术授权)。
2014-04-01 英特尔在爱尔兰投资50亿美元改造芯片制造厂
美国计算机芯片制造业巨头英特尔公司今天透露,该公司在过去3年里共投入50亿美元用于改造该公司在爱尔兰基尔代尔郡莱克斯利普的硅片制造工厂,并创造了4500个就业岗位。该工厂是欧洲乃至全世界最大的芯片制造厂,有望在2015年投产14纳米以下的下一代芯片。
2013-08-22 英特尔:提前发布14纳米Atom芯片
8月21日消息,据外媒techeye报道,英特尔宣布,将提前发布14纳米Atom芯片,14纳米Atom芯片更小、更高效。
2013-05-14 Cadence和GLOBALFOUNDRIES合作改进20及14纳米节点DFM签收
Cadence和GLOBALFOUNDRIES合作改进20及14纳米节点DFM签收,Cadence模式分类和模式匹配解决方案使客户先进节点设计的可制造性设计流程加快四倍.
2013-02-28 ARM与Cadence流片首款面向三星工艺的14纳米FinFET测试芯片
该芯片使用完整的Cadence RTL-to-signoff流程进行设计,是首个面向三星14纳米FinFET工艺的芯片,能加快向高密度、高性能与超低功耗SoC的不断迈进,满足未来智能手机、平板电脑和其他高级移动设备的需要。
2013-01-10 三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片
三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片,双方围绕Synopsys IP、设计实现以及提取和签核工具等领域进行合作.
2012-11-08 Cadence成功流片一款14纳米测试芯片
Cadence宣布使用ARM Processor和IBM FinFET工艺技术流片14纳米测试芯片,14纳米SOI FinFET工艺利用EDA、晶圆厂与IP供应商的强大行业合作伙伴挖掘大幅节能的潜力.
2012-03-08 IMEC发布首款14nm工艺开发套件,测试芯片下半年推出
IMEC发布了一个早期版本的逻辑工艺开发套件(PDK),该套件支持多种有可能在14纳米节点应用的技术,包括FinFET器件和极端紫外线光刻技术。
2010-06-22 台积电:14nm制程节点将用垂直型晶体管结构
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露,与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管(以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表)的计划。
2007-07-06 富士通开发出低功耗、高性能45nm逻辑芯片技术
富士通株式会社和富士通实验室已正式开发出具有低功耗和高性能互连技术的45纳米LSI逻辑芯片平台技术。与以前的45nm技术相比,新平台可使等待状态时泄漏电流降低至五分之一,同时还可使互连延时缩短14%左右。
2007-07-04 富士通开发出低功耗高性能45nm逻辑芯片技术
富士通宣布已正式开发出具有低功耗和高性能互连技术的45纳米(45nm)LSI逻辑芯片平台技术。与以前的45nm技术相比,新平台可使等待状态时泄漏电流降低至五分之一,同时还可使互连延时缩短14%左右。
2006-03-16 飞利浦低功耗闪存/EEPROM技术已扩展到90纳米CMOS
飞利浦宣布其0.18微米CMOS嵌入式闪存/EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求,而其先进的0.14微米嵌入式闪存/EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产,这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈