EDN China首页 > 高级搜索 > 14nm

14nm 14nm 搜索结果

14nm
本专题为EDN China电子技术设计网的14nm专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与14nm相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
共搜索到46篇文章
2016-03-01 英特尔14nm工艺技术超前,那晶体管的实际性能如何?
多年以来,英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术,只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且,难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代 FinFET 工艺,毕竟其余竞争对手在其 14 纳米问世时,均处于第一代 FinFET 工艺水平。
2016-02-26 28nm工艺即将跌下神坛,14nm LPP工艺密度翻倍
这几天AMD市场营销总监在推特上隐晦证实了某个Polaris核心会拥有86亿晶体管,再结合之前曝光的核心面积,算起来14nm LPP工艺的晶体管密度相比目前的28nm工艺至少翻倍。
2016-02-23 研华推出第5代远程管理平台,图形显示性能增强两倍
研华于日前推出了全系列嵌入式计算平台,基于英特尔14nm制造工艺的全新英特尔?赛扬?/奔腾处理器SoCs 将英特尔的创新技术和处理器植入嵌入式计算系统,大幅提升效率,并且增强两倍的图形显示性能,同时延长9%的电池寿命。
2015-11-18 高通台积电彻底傻眼 三星大秀10nm工艺
三星抢先秀出自家10nm工艺意味深长。要知道三星在14nm上已具备极强统治力,不光自家Galaxy S6上使用了,就连苹果也首次采用双供应商模式(台积电+三星)一同生产A9处理器。
2015-10-19 技术派分析:16nm工艺为什么好过三星14nm?
2015年9月22日 – 贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Texas Instruments (TI)的C2000 Delfino F28377S LaunchPad评估板。 此新型TI LaunchPad为TI C2000 Delfino F2837xS系列单片机的简单易用型快速原型开发套件,具有200 MHz的32位浮点运算能力、新集成的加速器,以及高度完整的模拟和控制外设。LaunchPad套件与TI BoosterPack插件模块兼容 — 包括 数字电源BoosterPack — 并提供多种软件支持以进一步简化开发。
2015-10-13 苹果A9处理器工艺:台积电16nm PK 三星14nm
最近在亚洲果迷们最沸沸扬扬的议题,非“iPhone6s台积电与三星A9处理器的效能与续航力效能差异莫属。 网友针对台积电与三星代工的A9处理器做测试 , 在效能的跑分或是手机的续航力表现,16纳米的台积电A9处理器明显赢过14纳米的Samsung A9处理器(测试状况详见这里 ),虽然苹果官方已表示不同代工厂出货的A9芯片都符合Apple标准,根据官方测试实际电池续航力,两者差异仅在2-3%之间,不过似乎无法平息亚洲地区果迷们的疑虑,香港果粉甚至已酝酿换机或退机风潮。
2015-09-16 GF能否借14nm和22nm工艺技术突破扭转命运?
近日GlobalFoundries(以下简称GF)宣布其14nmFinFET和22nm FD-SOI工艺都取得了突破,成功量产,这似乎为半导体代工厂GF数年的颓势扫清了晦气,不过笔者却认为GF未必能就此扭转命运。
2015-08-24 Intel22核14nm气势汹汹 AMD Zen架构如何招架?
Intel这次除了在笔记本上要塞进自己的三款Xeon至强芯片,老本行服务器当然是不能少。据ComputerBase报道,Intel本周再次确认了Xeon E5 v4今年发售的消息,之前有消息称它将推迟到明年,现在看来14nm Skylake的进展一切顺利,当然这里指的是在服务器端的测试验证工作。
2015-07-07 Intel晶圆代工厂扩展服务利用Calibre PERC做可靠性检查
2015年7月3日, Mentor Graphics 公司宣布,Intel晶圆代工厂扩展其14 nm产品服务给其客户,包含利用Calibre PERC 平台做可靠性验证。 Intel 和 Mentor Graphics 联合开发有助于提升 IC 可靠性的首套电气规则检查方案,未来还将继续合作开发,为Intel 14nm工艺的客户提供更多的检查类型。
2015-04-06 ROHM开发出14nm新一代Atom处理器用电源管理IC
2015年04月02日,全球知名半导体制造商ROHM宣布开始量产并销售电源管理IC(以下称“PMIC”)“BD2613GW”。该产品面向Intel公司的平板平台用14nm新一代Atom处理器开发而成,其高集成度非常有助于平板产品的超薄化,并且其行业领先的功率转换效率还非常有助于平板产品实现更低功耗。
2015-01-14 14纳米FinFET工艺成争夺焦点 全球代工战拉开帷幕
14nmFinFET工艺优势多多,相比业界的20nm工艺,14nm FinFET工艺可提升20%的速度,降低35%的功耗,晶体管密度提升15%。特别是日前三星继英特尔之后宣布14nm将量产,使得代工争夺战中16nm/14nm订单成为新的焦点。
2014-10-09 FinFET推动更明智的物理IP选择
晶圆代工厂家目前正准备根据finFET概念加强使用三维晶体管结构的14nm和16nm工艺,因为相比较20nm的平面型晶体管,它们可以提供更高的性能。
2014-08-06 Altera助推客户启动14 nm Stratix 10 FPGA和SoC设计
Altera助推客户启动14 nm Stratix 10 FPGA和SoC设计,Stratix 10设计软件创新实现了快速前向编译功能,支持客户将性能提高两倍.
2014-06-30 支持硬核浮点DSP的FPGA或可取代高性能计算GPGPU
Altera公司推出业界首款浮点FPGA,它集成了硬核IEEE754兼容浮点运算功能,提高了DSP性能、设计人员的效能和逻辑效率。据悉,硬核浮点DSP模块集成在Altera 20nm Arria 10 FPGA和SoC中,以及14nm Stratix 10 FPGA和SoC中。
2014-05-08 Synopsys全新IP将USB PHY的实现面积缩小达50%
Synopsys全新已流片DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP将面积缩小高达50%.采用14/16nm FinFET和28nm工艺的小片芯占用面积PHY降低了消费类、移动、存储及网络应用的硅成本.
2014-05-08 Stratix 10 FPGA和SoC客户设计的内核性能提高两倍
Altera客户树立业界里程碑——采用Stratix 10 FPGA和SoC,内核性能提高了两倍.HyperFlex新体系结构以及Intel 14 nm三栅极工艺技术前所未有的提高了性能.
2014-04-25 Altera展示基于Intel 14 nm三栅极工艺的FPGA技术
Altera树立业界里程碑:展示基于Intel 14 nm三栅极工艺的FPGA技术,14 nm FPGA测试芯片确认了在使用业界最先进的工艺技术时Altera获得的性能、功耗和密度优势.
2014-03-28 Altera与Intel合作开发多管芯器件
Altera与Intel进一步加强合作,开发多管芯器件,此次合作将在单一封装系统中优化集成14 nm Tri-Gate Stratix 10 FPGA 和异构技术.
2014-03-21 (多图) Intel首款八核、首个DDR4问世
据了解,Intel处理器近期的一些动向,比如改用更高级散热材料的Haswell Refresh K系列、集成最强核显Iris Pro 5200的14nm Broadwell K系列、20周年纪念版奔腾K。现在,最激动人心的来了:发烧级的Haswell-E。
2014-02-21 14nm时代:中国IC设计需创新
然而,随着半导体迈向14nm时代,产业型态正处在一个发生重大技术变革的端口,以往我们熟知的产业周期正在逐渐消失,以往习惯的发展节律也有可能被打乱,这给仍以小、微企业为主的中国IC设计业带来了严重挑战。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈