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最低电压
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2012-01-09 盛群推出HT16L21及HT16L23采用1.8V低电压接口之LCD驱动IC
针对部分系统采用比较高阶制程的主控MCU,所以与外围IC的接口可能会低到1.8V左右,但是又必须兼顾较好的LCD显示质量,Holtek推出二款可工作于低电源、低压接口的新IC:HT16L21及HT16L23。此系列支持最低至1.8V的传输接口及VDD电压,VLCD可另外供给较高电位、最高到6.0V。
2011-12-27 盛群推出LCD驱动IC:HT16L21及HT16L23
针对部分系统采用比较高阶制程的主控MCU,所以与外围IC的接口可能会低到1.8V左右,但是又必须兼顾较好的LCD显示质量,Holtek推出二款可工作于低电源、低压接口的新IC:HT16L21及HT16L23。此系列支持最低至1.8V的传输接口及VDD电压,VLCD可另外供给较高电位、最高到6.0V。
2011-11-29 盛群推出采用1.8V低电压接口之LCD驱动IC:HT16L21及HT16L23
针对部分系统采用比较高阶制程的主控MCU,所以与外围IC的接口可能会低到1.8V左右,但是又必须兼顾较好的LCD显示质量,Holtek推出二款可工作于低电源、低压接口的新IC:HT16L21及HT16L23。此系列支持最低至1.8V的传输接口及VDD电压,VLCD可另外供给较高电位、最高到6.0V。
2011-03-14 泰克公司推出三款新无源探头
泰克公司日前宣布,为TPP 系列无源电压探头系列新增两款新产品——新TPP0850和TPP0502探头,同时推出P5100A高压探头。新的TPP系列探头具有业内最低的探头负载,是需要开发能效更高的电源和功率半导体器件的工程师的理想选择。
2011-03-07 Vishay推出两款新的100V N沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新的100V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET技术,在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。
2011-02-17 德州仪器推出业界最小型Profibus RS-485收发器
德州仪器 (TI) 宣布推出一款带集成变压器驱动器的隔离式半双工差分线路收发器 ISO1176T。该解决方案不仅可为隔离变压器提供初级电压,而且还可配合外部变压器、整流器和稳压器实现具有最高效率及最低电磁干扰 (EMI) 的业界最小型隔离式信号与电源系统设计。
2011-02-16 ADI推出ADP124和ADP125低静态电流LDO
两款 LDO 新品在100kHz 时均具有 60dB 的出色 PSRR(电源抑制比)性能,这是最接近的竞争产品的两倍;并且在 1.8V 输出时可实现 35?Vrms 的低噪声性能。新款 LDO 的输入电压范围为 2.3V 至 5.5V,输出电流最高可达 500mA,输出电压最低为 0.8V,静态电流低至 210μA,500mA 负载时的电压差为 130mV,这些特性能够进一步提高便携式设备在宽输入电压范围内的工作效率。
2011-01-21 意法半导体推出一款瞬变电压抑制器
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出一款瞬变电压抑制器(TVS),进一步提高DisplayPort显示器和个人电脑等设备的ESD防护性能。新产品拥有同类产品中最低的电容,可提升高清(HD)画质。截至2013年底,大约有1亿台可连接外部高清显示器的便携个人电脑将配备DisplayPort输出端口 。
2010-10-13 提升负载点转换器效率及可靠性的DIOFET器件
在10V 的VGS电压下,DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10m? 及8.5m?。这些器件能把通常情况下与低侧MOSFET相关的导通损耗降至最低。与此同时,DIOFET集成的肖特基二极管正向电压比同类MOSFET或肖特基二极管低25%,比典型MOSFET的本征体二极管低48%,从而最大限度地降低了开关损耗,提高了效率。
2010-08-29 多通道DAC内置DPC提高稳定性
AD5755是一款内置DPC、功能完善的多通道控制IC,其内置4个带可编程电压或4mA~20 mA输出驱动器的16位精密DAC。器件最突出的特点是DPC实现的动态功率控制功能,创新的DPC模块内置了ADI公司领先的DC/DC开关转换器和诊断等功能,工作原理是通过连续检测负载阻抗,并为负载仅提供所需的功率,同时将系统其它部分的功率损耗降至最低,这样可以有效降低自热和升温效应。
2010-04-15 (多图) 设计更高能效、极低EMI准谐振适配器
准方波谐振转换器也称准谐振(QR)转换器,广泛用于电源适配器。准方波谐振的关键特征是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在漏极至源极电压(VDS)达到其最低值时导通,从而减小开关损耗及改善电磁干扰(EMI)信号。
2010-02-21 采用C封装尺寸ESR额定值钽电容
AVX推出采用C封装尺寸的业界最低ESR额定值TPS系列钽电容,TPS系列钽电容器提供业界最低ESR,80-m?,采用C封装尺寸(6032-26),先前具有此类电容/电压的低ESR选项,只有D封装尺寸(7343-31)。
2009-12-18 TI推出具有最低导通电阻的全面集成型负载开关
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关,其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mW 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。TI TPS22924C 将至少 4 个部件集成于一体,从而简化子系统负载管理。
2009-09-17 新一代电源模块以较少电容达到更快速的瞬时响应
对于复杂的电路板,如高阶通信系统,设计人员愈来愈需要为不同的DSP、FPGA、ASIC和微处理器提供更多的电压轨。目前必须面对的电源系统设计挑战,是在高速数字电路产生电流瞬时的情况下,将电压偏差降到最低
2009-09-08 (多图) 新一代电源模块以较少电容达到更快速的瞬时响应
对于复杂的电路板,如高阶通信系统,设计人员愈来愈需要为不同的DSP、FPGA、ASIC和微处理器提供更多的电压轨。目前必须面对的电源系统设计挑战,是在高速数字电路产生电流瞬时的情况下,将电压偏差降到最低
2009-07-29 Vishay推出业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP,将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V,同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。
2008-12-24 业内最低导通电阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET? 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装,具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻
2008-11-14 美国国家半导体推出低噪声的全新零漂移放大器
美国国家半导体最新推出的两款零漂移运算放大器具有业界最低的输入电压噪声(以1000V/V倍增益操作时,输入噪声低至11nV/sqrt Hz),而且以直流电压进行操作时准确度也极高,最适用于低频率、低供电电压的传感器接口系统。
2008-09-04 最大限度降低电池供电的MCU系统耗电量
今日的便携式产品设计对所用的电池会有些相互冲突的要求,例如更丰富的产品功能会增加耗电,终端用户希望电池使用时间更长,但不断缩小的产品体积和成本限制却使电池容量无法增加,因此节省电力就成为最重要的考虑。传统设计为了将耗电减到最低,通常都尽可能减少电流消耗,但其实电池的蓄电量是电压、电流和时间的乘积,要有效提升整个系统的电源效率,就必须同时考虑这三项变量。
2008-07-08 IDT 推出针对超便携 PC、延长电池寿命的超低功耗时钟解决方案
IDT? 公司(Integrated Device Technology, Inc.)宣布,推出专门用于超便携 PC(ultra-mobile PC,UMPC)的超低功耗时钟器件系列。这些超低功耗时钟器件最低只需 1.5 伏电压,而标准的时钟器件需要 3.3 伏,这将延长 UMPC 的电池寿命。
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