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正向电压
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2015-03-19 具20mV低正向电压的28V低损耗电源通路控制器
2015年3月17日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出最新高可靠性和军用温度级版本 LTC4412,该器件是一款坚固的“理想二极管”电源通路 (PowerPath) 控制器。LTC4412 可实现多个输入 DC 电源的低损耗 “合路” 操作。具20mV低正向电压的28V低损耗电源通路控制器,现提供高可靠性和军用温度级版本.
2014-05-09 Marvell的Wi-Fi微控制器IoT平台助力Broadlink智能家庭
恩智浦针对小型充电器设计推出采用紧凑型封装的全新10A高效率肖特基整流器,该产品具有超低正向电压和高电流密度,采用同类产品中最薄的封装,因而成为智能电话和平板电脑充电器的最佳选择.
2014-05-09 恩智浦推出全新10A高效率肖特基整流器
恩智浦针对小型充电器设计推出采用紧凑型封装的全新10A高效率肖特基整流器,该产品具有超低正向电压和高电流密度,采用同类产品中最薄的封装,因而成为智能电话和平板电脑充电器的最佳选择.
2014-03-24 (多图) 针对汽车照明应用的LED及电机驱动方案
LED根据色彩及电流不同,其正向电压可能介于2V至4.5V之间;LED还需要以恒定电流驱动,以确保所要求的光强度和色彩。安森美半导体为汽车照明应用提供符合汽车应用严格要求的丰富LED照明及电机驱动方案,满足不同汽车照明应用的需求。
2013-03-12 肖特基整流器强化特性,满足节能环保要求
在终端产品设计中,需要考虑接口的静电抵抗能力,以避免因不同环境状况造成设备损坏。另外,很多电源产品需要满足能源之星的技术规范,以保证输出功率达到80%以上。星曜半导体公司是一家提供专业的静电保护方案以及低正向电压(VF)肖特基产品的公司,IIC China 2013展会该公司首次亮相,展出了超低VF肖特基整流器芯片以及高速界面专用超低电容值静电保护方案等产品。
2012-12-13 自动调光LED手电筒电路设计
白光LED的正向电压时3V至5V。因此,如果输入电压低于3V,可采用升压转换器驱动LED。图1电路给出了由电池供电、具有自动调光功能的升压转换器电路。
2011-11-11 Linear推出单片双通道电源通路理想二极管LTC4415
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出单片双通道 4A 电源通路 (PowerPath) 理想二极管 LTC4415,该器件为减少热量、压降和占用的电路板空间而设计,同时可在电源切换电路中延长电池运行时间。对于那些需要理想二极管“或” (Diode-ORing) 功能以实现负载均分或在两个输入电源之间自动切换的应用而言,LTC4415 是理想的选择。LTC4415 的超低 15mV 正向电压显著低于肖特基二极管的正向电压,因此可延长电池运行时间,并扩大工作电压范围,同时确保在电源切换时无振荡。很低的 50m欧姆导通电阻可降低功耗并减少热量。
2011-01-01 崭新即插即用器件提升负载点转换器效率
DIOFET的典型RDS(ON) 值较低,能确保传导损耗保持在最低水平,而其正向电压 (VSD) 比同类MOSFET/肖特基解决方案低25%,因此在脉宽调制(PWM)死区时,通过体二极管把传导损耗减至最低。此外,DMS3017SSD和DMS3019SSD内的高侧MOSFET具有低栅极电荷和快速开关功能,能把高侧开关损耗减至最低。
2010-12-10 崭新即插即用器件提升负载点转换器效率
DIOFET的典型RDS(ON) 值较低,能确保传导损耗保持在最低水平,而其正向电压 (VSD) 比同类MOSFET/肖特基解决方案低25%,因此在脉宽调制(PWM)死区时,通过体二极管把传导损耗减至最低。此外,DMS3017SSD和DMS3019SSD内的高侧MOSFET具有低栅极电荷和快速开关功能,能把高侧开关损耗减至最低。
2010-11-24 业界首创智能电流源LED背光平台
背光应用中,白光LED的正向电压通常会达到3.6V。当便携设备内的电池电压降低时,必须升高电源电压以确保白光LED拥有足够高的电压来照亮显示器。
2010-10-13 提升负载点转换器效率及可靠性的DIOFET器件
在10V 的VGS电压下,DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10m? 及8.5m?。这些器件能把通常情况下与低侧MOSFET相关的导通损耗降至最低。与此同时,DIOFET集成的肖特基二极管正向电压比同类MOSFET或肖特基二极管低25%,比典型MOSFET的本征体二极管低48%,从而最大限度地降低了开关损耗,提高了效率。
2009-07-01 用监控开关模式占空比的方法诊断LED
工程师们一般通过监控HB LED(高亮度发光二极管)的正向电压VF来判断LED的好坏。正向电压的大幅变化可能表明一只或一串LED有品质退化,或完全损坏。对于多只串联的LED,其正向电压之和可以达到40V以上,如果电压不是以地为基准,则需要差动测量。
2009-03-20 (多图) 如何设计面向大降压比应用的同步降压转换器
DC-DC降压转换器已在工业领域得到了广泛应用,其中最常用到的拓扑便是降压转换器。半导体技术的发展使得现今的电子设备能在越来越低的3.3V、2.5V、1.8V甚至低至1V电压下工作。。传统采用一个二极管的降压转换器的转换效率很低,尤其是在较低的输出电压下,原因是由于二极管通常会消耗不少的功率,其典型正向电压降为0.35V~0.5V,从而造成了较大比例的功率损耗。
2009-02-11 Vishay 的新型高功率、高速红外发射器刷新业界最低正向电压记录
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出高功率、高速 830 nm 表面贴装 PLCC2 和 5 mm (T1?) 的红外发射器 --- VSMG2720和TSHG5510。该两款器件具有高辐射强度和业界最低正向电压,并进一步拓宽了其光电产品系列
2008-11-21 Vishay推出采用 PLCC2 封装的新型 870nm SMD 红外发射器
Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PLCC2 封装的新型 870nm SMD 红外发射器 --- 该器件具有业界最低的正向电压及最高的辐射强度。
2008-11-01 用一只节电池点亮LED的非稳态多谐振荡器
用一节 1.5V 电池点亮 LED 存在着一个问题,因为 LED 的正向电压高于电池的电压。最简单的办法是采用一种步进升压 DC/DC 转换器。本设计实例为低成本应用提供了一种简单而可靠的替代方法。
2008-07-31 同步稳压器及其应用思考
现今,半导体技术的发展使电子设备可以在3.3V、2.5V、1.8V甚至低至1V电压下工作。以往,采用二极管的降压转换器的转换效率很低。尤其是在较低的输出电压下,由于二极管通常会消耗0.35V~0.5V正向电压,因此造成了较大比例的功率损耗。采用MOSFET代替二极管的同步稳压器可以说是高效率、高输出电流和低输出电压转换器的完美解决方案。
2008-06-25 Vishay推出新型高功率高速850nm红外发射器
Vishay 推出具有业内最低正向电压的新型高功率、高速 850nm 红外发射器,器件在 100mA 时具有 230mW/sr 及 90mW/sr 的高辐射强度,在 1A 时具有 2.3V 的低正向电压。
2008-05-09 (多图) 高亮度LED驱动技术浅谈
LED的亮度由流过的电流决定,然而对于不同的LED,相同的电流对应的正向电压却不相同,表1列出了针对一个高亮度LED的典型正向电压和驱动电流的相互关系。
2007-03-08 BCD半导体推出5A LDO调节器
BCD 半导体宣布推出 AZ1084 系列低压差正向电压稳压器,在负载电流为 5A 时最大压差是1.5V。AZ1084 适用于高效线性稳压器,可用于电池充电器,开关电源后级调整以及用作为微处理器电源,桌上计算机和嵌入式处理器电源。
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