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快闪存储器
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共搜索到14篇文章
2015-05-22 FRAM迈向主流存储器的路还很长
铁电存储器(FRAM,或FeRAM)在1990年代中期被认为将成为主流技术,但至今仍与其他众多新存储器技术一样,并没有如预期般迅速崛起。FRAM 的内部运作原理类似DRAM,有媲美SRAM的高速度以及如同快闪存储器的非挥发性。
2015-01-28 快闪存储器储存阵列市场渗透率成长强劲
市场研究机构IDC最近发布的一份报告指出,快闪记忆体储存阵列的市场渗透率正在快速成长;该份报告显示,包括全快闪记忆体阵列(all-flash arrays,AFA)以及混合快闪记忆体阵列(hybrid flash arrays,HFA)在内的全球快闪记忆体阵列市场规模,在2014年可达113亿美元。
2013-04-15 高温快闪存储器经受更深油气钻井环境挑战
美高森美高温快闪存储器产品经受更深层油气钻井环境挑战,产品设计用于极端温度、冲击和振动条件.
2009-11-16 恒忆OneNAND?-兼容存储器
恒忆OneNAND是一种基于NAND 结构的存储芯片,集成SRAM 缓存、逻辑接口。它集合了先进的 NAND快闪存储功能,具有NOR 快闪快速读取功能。
2009-03-19 闻亭发布TI最新MINI型Piccolo开发板TDS28027ZX
闻亭数字系统发布了基于TI最新推出的Piccolo MCU的开发套件TDS28027ZX。Piccolo MCU包含 40 至60 MHz 的版本、高达 128 KB 的快闪存储器、12 位 ADC 以及 HRPWM,以及包括通信接口、片上振荡器、模拟比较器以及通用 I/O 等在内的各种业界标准外设。
2008-07-08 HOLTEK再增添HT46F46E、HT46F48E、HT46F49E工业级A/D型快闪微控制器(Flash MCU)
HOLTEK半导体继HT46F47E之后,再增添A/D型Flash MCU - HT46F46E、HT46F48E、HT46F49E,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(Flash Program ROM)可重复10万次之读/写,数据存储器EEPROM可重复100万次之读/写。
2008-06-06 HOLTEK再增添HT46F46E、HT46F48E、HT46F49E工业级A/D型快闪微控制器
HOLTEK半导体继HT46F47E之后,再增添A/D型Flash MCU - HT46F46E、HT46F48E、HT46F49E,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(Flash Program ROM)可重复10万次之读/写,数据存储器EEPROM可重复100万次之读/写。
2008-05-26 存储器大厂意外频发“稳定”行业价格
近期记忆体业者常幽默指出,以后DRAM和NAND型快闪记忆体(Flash)产业可能只有2种方法可带动价格,一是每年1次的晶圆厂跳电事件,带来的“自然减产机制”,使得上游供给减少,二是记忆体厂制程凸捶,导致的供给大减,尤其DRAM产业这么依赖个人电脑(PC)的成长性,很难再出现需求大好的情况,只好想尽办法让供给减少,维持价格秩序。
2007-05-09 工业级八位I/O型快闪微控制器
盛群半导体推出符合工业规格的I/O型系列快闪微控制器HT48FxxE,全系列符合工业上-40℃ ~ +85℃工作温度与高抗噪声的性能要求,快闪程序内存(Flash Program ROM)可重复10万次读/写,数据存储器E2PROM可重复100万次读/写。
2007-04-04 工业级八位I/O型快闪微控制器HT48FxxE系列
盛群半导体推出符合工业规格的I/O型系列快闪微控制器HT48FxxE,全系列符合工业- 40℃ ~ +85℃工作温度与高抗噪声的性能要求,快闪程序内存(Flash Program ROM)可重复10万次的读/写,数据存储器E2PROM可重复100万次的读/写。
2006-02-09 用于车辆变频控制的32位RISC微控制器
瑞萨科技公司发布了具有64 MHz最高工作频率特性和256字节片上快闪存储器的SH7147F 32位RISC(精简指令集计算机)微控制器。
2005-12-23 瑞萨发布用于车辆变频控制的32位RISC微控制器
瑞萨科技公司发布了具有64 MHz最高工作频率特性和256字节片上快闪存储器的SH7147F 32位RISC(精简指令集计算机)微控制器。
2005-06-01 具有8个单端/差分信道A/D转换的MCU
ZiLOG推出 F08xA微控制器系列。该款产品包括1kB、2kB、4kB和 8kB 品种,Z8 Encore! XP F08xA 系列基于 eZ8 中央处理器并支持 8kB 快闪 (Flash) 程序存储器和 1kB 寄存器存储器。该设备具有多达8个单端/差分信道的10位模拟/数字转换以及一个用于电流测量的互阻抗放大器。
2005-05-23 英特尔技术开发(上海)有限公司设立
5月12日,英特尔技术开发(上海)有限公司在上海浦东外高桥正式落成,总投资3900万美元。技术开发中心将为英特尔的快闪存储器事业部、封装技术研发部、用户平台研发部以及封装设备开发部开发尖端技术,并为中国用户提供客户服务支持。
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