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硅GaAs
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2016-02-17 高通RF由CMOS转向砷化镓之后,都影响了谁?
高通成功的低成本射频元件方案“RF360”,是采用半导体CMOS制程的PA,与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓(GaAs)制程不同。但据EDN之前的报道,该产品并非标准CMOS制程,而是绝缘层覆(SOI)CMOS,该技术想要整合到AB或BP,存在一定的技术挑战。
2015-05-28 ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE,它具有48dB的高隔离度,在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品,展现了工艺技术的固有优势,与传统的GaAs(砷化镓)RF 开关相比具有重大明显优势。
2014-11-10 CMOS射频前端解决GaAs器件产能和成本问题
硅是上帝送给人类的礼物。电路板中绝大多数器件都采用体硅CMOS工艺(的原材料是沙子)制造,但有一个部分却难以实现,那就是射频前端。目前射频前端主要采用GaAs或SiGe工艺制造,但由于材料的稀缺性和工艺的复杂性,射频前端芯片(RFeIC)良率不高,成本太贵。这阻碍了物联网(IoT)传感器节点(单价应低于1美元)的普及。
2009-08-11 光纤模拟芯片市场规模将增长至4.92亿美元
在不断增长的光纤模拟芯片市场, (Silicon),硅化锗 (SiGe),砷化镓 (GaAs)和磷化铟 (InP)技术各有所长,将争夺化合物半导体市场份额。
2008-05-07 化合物半导体衬底市场雄厚 2012年市占率将达0.84%
Yole Developpement预测,到2012年GaN、蓝宝石和GaAs衬底市场雄厚,化合物半导体的发展大大将削弱在整个晶片领域的地位。
2006-12-04 28V InGaP/GaAs HBT功放提供出色线性度和高效率
长期以来,制造功率放大器的主要工艺技术一直是LDMOS,但采用硅LDMOS制造工艺的功率放大器,往往不能满足在达到出色的线性度的情况下又具有很高的效率。
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