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光电晶体管
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共搜索到17篇文章
2015-06-17 光耦合器的加速也可降低功耗
影响标准光耦合器速度的主要因素是光电晶体管,其反应速度相对较慢。本文将在LED驱动端添加组件,以提升光耦合器的速度。
2013-08-13 Vishay发布12款新型高速表面贴装光探测器
Vishay发布12款半灵敏度角为±35°的新型高速表面贴装光探测器,通过AEC-Q101认证的光电二极管和光电晶体管匹配Vishay的新款±25°和±28°发射器
2011-12-27 意法半导体巩固在能效功率控制市场的领导地位
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器,新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。
2011-12-20 TE CONNECTIVITY推出突破性的0.3MM旋转前锁式FPC连接器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布了6款低输入电流并带有光电晶体管输出,采用DIP-4、SSOP-4半节距miniflat和SOP-4L加长型miniflat封装的光耦---VO617A、VO618A、VOL617A、VOL618A、VOS618A、VOS628A,扩大其光电子产品组合。新光耦具有优异的隔离性能,能够保障人身和设备安全。
2011-12-20 Vishay发布6款绿色光耦器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布了6款低输入电流并带有光电晶体管输出,采用DIP-4、SSOP-4半节距miniflat和SOP-4L加长型miniflat封装的光耦---VO617A、VO618A、VOL617A、VOL618A、VOS618A、VOS628A,扩大其光电子产品组合。新光耦具有优异的隔离性能,能够保障人身和设备安全。
2011-11-22 飞兆半导体公司推出FODM8801光耦合器
为了满足这一需求,全球领先的高性能功率和便携半导体解决方案供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FODM8801光耦合器,该器件是OptoHiT系列高温光电晶体管光耦合器的成员。这些器件使用飞兆半导体专有的OPTOPLANAR共面封装(coplanar packaging)技术,可在高工作温度下实现高抗噪能力和可靠隔离。
2009-09-04 光传感器进步极大改变车身电子应用
光传感器,尤其是光电二极管和光电晶体管,在车身电子应用中的使用增加了消费者所需的安全性和便捷性。这些功能当前可能仅应用于高端汽车中,但如同汽车应用的一般情况,这些功能很快将应用于各个价位的汽车。
2009-08-03 半导体C-V测量基础
电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
2009-07-29 (多图) 半导体C-V测量基础
电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
2009-04-10 IC Insights发布光电、传感器和分立元器件分析报告
据ICInsights最新2009年光电、传感器和分立元器件(O-S-D)分析报告,虽然2008年最后几个月表现糟糕,但去年光电器件、MEMS加速计、CMOS图像传感器、功率晶体管和总体分立器件的半导体销售额仍然创出最高纪录。在2009年大幅下滑之后,这些半导体市场和产品领域预计在随后两年复苏并达到新的销售纪录。
2008-04-17 Vishay推出新型VEMT系列光电晶体管VEMT3700
日前,Vishay推出采用可与无铅 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面贴装封装的新系列宽角光电晶体管。VEMT 系列中的器件可作为当前 TEMT 系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件,从而可实现快速轻松的替代,以满足无铅 (Pb) 焊接要求。
2008-04-15 Vishay推出采用可与无铅焊接兼容的PLCC-2封装的新型VEMT系列硅NPN光电晶体管
Vishay推出采用可与无铅 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面贴装封装的新系列 VEMT 宽角光电晶体管。VEMT 系列中的器件可作为 Vishay 当前的 TEMT 系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件,从而可实现快速轻松的替代,以满足绿色环保对无铅 (Pb) 焊接要求。
2007-07-04 纳米复合材料使薄膜电子元件取得进展
佐治亚技术学院的有机光电研究人员演示了一种技术,即采用纳米加工方法实现高性能的薄膜电容介电材料,其有可能被用于晶体管。这种碳酸钡材料一直被认为具有很高的介电常数,但当这种材料悬浮在聚合物中就会有凝结成块的趋势,从而制造出大量晶粒,显示出极低的击穿电压。
2007-05-09 门极驱动光耦改善电机逆变器精度与效率
在开发可靠并具高成本效益的电动机控制系统时,设计工程师需要能够提供更多保护、更高效益并且能够在高噪声环境下运作的光电耦合器。Avago 推出了智能型门极驱动高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)光电耦合器,适于工业逆变器和电源管理应用。
2007-01-10 改进光电晶体管线性运行的反馈电路
当设计者用光电晶体管将一个调制后的光信号转换成电信号时,如果有高亮度的背光使光电晶体管饱和,就会遇到麻烦。
2006-10-31 Avago推出新型多通道光电晶体管光电耦合器产品系列
Avago宣布推出新型多通道光电晶体管光电耦合器产品系列,进一步丰富了其既有的单通道产品系列。Avago保持着世界一流的按时交付记录,并在光电耦合器领域拥有丰富的专业经验,其新型双通道和四通道光电晶体管均已成为工业应用领域的理想选择,广泛适用于服务器和电信设备的高端交换式电源等领域。??
2003-08-18 安捷伦科技推出高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
北京-安捷伦科技宣布推出一款2 Amp的高速门驱动光电耦合器,特别适合IGBT (绝缘栅双极晶体管)和功率MOSFET (金属氧化场效应晶体管)。
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