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高存储密度
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2009-02-03 SSD 2.0:相变内存将挑战NAND闪存?
从70年代开始,相变内存(PhaseChangeMemory,PCM)就开始成为一个热议话题,由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。
2006-08-21 高存储密度器件出货增长 刺激Q2全球NOR闪存销售上升
据市场调研公司iSuppli的初步估计,第二季度全球NOR闪存销售额高于第一季度。“第二季度向来是NOR闪存市场一年中最淡的季节,”iSuppli闪存/SRAM/MCP资深分析师Mark DeVoss表示,“但是今年第二季度销售额却比第一季度上升了6%,从20.1亿美元增长到21.3亿美元,这比iSuppli当初的预测高出4%。”
2003-08-12 存储器
支持先进蓝牙应用方案的8Mb 1.8V闪存芯片;装入单个封装中的2GB NAND闪存器;64Mb 3V闪存芯片;用于图象处理及高速网络的GDDR3内存;1GB的DDR400内存;能同时读写的PBGA闪速;高存储密度的2.5寸移动硬盘驱动器;缩短系统开发时间的高密度DDR400元件
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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