EDN China首页 > 高级搜索 > FET开关

FET开关 FET开关 搜索结果

FET开关
本专题为EDN China电子技术设计网的FET开关专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与FET开关相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
共搜索到20篇文章
2012-10-25 TI推出微型高侧负载开关
德州仪器推出支持电平位移与压摆率控制的最灵活PFET高侧负载开关,电源开关提供最大电压范围,可替代分立式 FET 开关
2012-02-07 ADI高集成度DC-DC调节器ADP2164功率转换效率大于96%
Analog Devices, Inc. (ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最近推出一款6.5 V、4 A 输出 DC-DC 调节器 ADP2164,其功率转换效率大于96%。这款高集成度调节器ADP2164 提供2.7 V 至6.5 V 输入电源电压范围,输出范围低至0.6 V,内置低导通电阻开关FET,不仅能够实现最高效率,而且减少了电路板空间。
2010-11-04 低压驱动RF MEMS开关设计与模拟
RF MEMS开关普遍存在驱动电压高、开关时间长的问题,劣于FET场效应管开关和PIN二极管开关。相对于国外已取得的成果,国内的研究尚处于起步阶段。
2010-03-26 76V APD偏置输出级和电流监测IC
Maxim推出76V APD (雪崩光电二极管)偏置输出级和电流监测IC DS1842A。器件采用Maxim业内领先的CMOS工艺,集成高压电流源、多个用于APD电流监测的电流镜和一个FET开关,该FET开关配合外部DC-DC控制器使用,可构建DC-DC升压转换器。
2009-10-31 (多图) 零电压开关全桥转换器设计降低元器件电压应力
很多电源管理应用文章都介绍过采用 ZVS(零电压开关)技术实现无损转换的优势。为了实现 ZVT(零电压转换),漏-源电容与FET的体二极管等寄生电路元件被用于实现谐振转换,而不是任由其在缓冲电路中耗散。谐振电路在启动前对开关器件施加的电压为零,这就避免了每次转换时因开关电流与电压同时叠加而造成的功率损耗。
2009-08-13 具有内部补偿的高集成度降压型DC/DC同步稳压器
日前,Analog Devices, Inc.最新推出集成式电源管理开关稳压器系列的最新成员 ADP2118 DC/DC 开关稳压器。这款新型集成式3A、降压型 DC/DC 同步稳压器包含低导通电阻开关 FET(场效应晶体管),可最大限度地提高效率。
2008-12-08 (多图) 再谈DC-DC效率:提高能效的新方法
本文将讨论DC-DC功率系统,并着重于同步降压转换器电路中所采用的功率MOSFET。文中将讨论FET器件 (包括半导体结构、传导和开关性能方面) 的最新突破,以及这些突破性进展与提升DC-DC降压电路能效的关系。
2008-09-16 通过优化变换器的FET开关来改善能量效率
在计算和消费电子产品中,效率已经有了显著的提高,重点是AC/DC转换上。不过,随着80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现,设计人员开始认识到,AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。
2008-07-22 吉时利推出扩展3700系列开关/万用表新型插卡
两款新型插卡包括3724型双1X30固态FET继电器多路转换卡和3750型多功能I/O卡,从而扩展了其3700系列开关/万用表和插卡产品系列。
2008-05-13 Maxim推出快速充电闪光灯电容充电器
Maxim推出MAX8685系列氙闪光灯电容充电器,具有集成开关FET、IGBT驱动器,以及输出短路和开路保护。在该系列器件中,MAX8685F具有最快的充电时间,并集成了一个电压监视器。MAX8685C/MAX8685D是业内最小的氙闪光灯电容充电器,带有集成的开关FET和IGBT驱动器。
2008-02-27 TI推出具备可调限流的微小型USB电源管理开关
德州仪器 (TI) 宣布推出具备集成 FET 的电源分布开关,通过设置,该 FET 可支持 100mA 至 1.1A 的限流范围,从而能够满足标准 USB 端口或其他需要限流开关的应用要求。
2007-12-19 TI推出集成1.2A开关的灵活40V升压转换器
德州仪器宣布推出集成 40V、1.2A FET 与 3V 至 18V 宽输入电压范围的微小型高压升压转换器。
2007-08-03 Intersil集成式FET稳压器支持高达60V输入电压和高达100V尖峰
Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 开关稳压器系列,支持广泛的工作输入电压,并且可以处理高达 100V 的瞬态尖峰。
2007-07-27 利用TL494组成400W大功率稳压逆变器电路
利用TL494组成的400W大功率稳压逆变器电路。它激式变换部分采用TL494,VT1、VT2、VD3、VD4构成灌电流驱动电路,驱动两路各两只60V/30A的MOS FET开关管。
2006-12-26 临界导通模式的功率因数校正控制IC
瑞萨科技开发出临界导通模式的功率因数校正(PFC)控制IC“R2A20112”。临界导通模式是指当检测出升压线圈的电位为0之后,开通或关闭外置MOSFET的模式。作为这种模式的PFC控制IC,首次实现了多个开关元件(FET)的交替式工作。
2006-11-15 面向便携型产品应用的内置电压检测功能的DCDC降压稳压器
富士通微电子(上海)有限公司近日宣布推出一款电流模式,PWM方式,内置电压检测功能的同步降压型双通道DC/DC转换器MB39C015。它主要面向便携式产品和DVD驱动器等应用。MB39C015是一款采用内置开关FET(Field Effect Transistor ),振动发生器,误差放大器,PWM控制电路,标准电压,电压检测电路的双通道DC/DC转换器。MB39C015的输入电压范围2.5V-5.5V,每个通道的输出电流最高可达800mA。由于采用电流模式,输出电流一直处于被监测状态,可将电流控制在MAX电流范围。高达2MHz开关频率,最大限度地缩小了电感器和电容器尺寸,可为手持应用提供所需的纤巧占板面积和低成本解决方案。
2006-08-01 高集成PoE控制器符合IEEE802.3af标准
?随着PoE市场的发展,越来越多的应用需要数据连接和电源供应。例如,无线应用协议 (WAP)、网络电话 (VoIP Phone)、无线射频辨识 (RFID) 标签读取器、销售点终端装置、安全和摄影机等。Silicon Laboratories公司日前针对以太网络用电装置 (PD) 应用推出目前业界最高集成度的IEEE 802.3af以太网络供电 (PoE) 控制器。型号为Si3400是一款内置二极管桥式电路 (diode bridge)、瞬时突波抑制电路和开关稳压器FET晶体管的PD控制器。
2005-03-05 MEMS技术构建更快的“smart”电源芯片
英国初创半导体公司Cambridge Semiconductor计划推出全新一代的“smart”开关电源器件,将用于离线式变换器与供电应用,并于2005年上半年推向市场。其技术融合了MEMS工艺技术与电源器件技术,极大的提升了器件的特性。通过更快的开关速度,提升了器件的密度与效率,尽管这样的开关速度对于今天的FET和其他的开关来说也能实现。
2004-09-11 电源技术
可控制多达 4 个电源的电源跟踪器;8位双向低压逻辑电平变换器;具有 2A 开关电流的40V 升压转换器;带有集成 FET 的同步开关模式电池充电芯片;小尺寸、高输出的双通道USB开关;具有2.4A限流和补偿端的升压型DC-DC转换器
2003-10-12 新型总线开关系列提高数据通信和网络设备的性能
德州仪器公司 (TI)推出的CB3T、CB3Q和 CBT-C三个总线开关系列,使其信号开关产品得到了扩充。这些新型FET开关在不需要信号缓冲(电流驱动)时可替代标准总线接口装置,而且性能高,功耗低。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈