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存储器技术
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共搜索到189篇文章
2016-01-24 2015最受欢迎技术文章排行榜:嵌入式系统设计 TOP 16
嵌入式设计是个庞大的工程,硬件部分覆盖处理器、存储器及外设器件和I/O端口、图形控制器等。软件部分包括操作系统软件(OS)(要求实时和多任务操作)和应用程序编程。应用程序控制着系统的运作和行为;而操作系统控制着应用程序编程与硬件的交互作用。
2015-08-27 IIC参展商预告(七):Kilopass为物联网提供最好的非易失性存储器技术
Kilopass是嵌入式非易失性存储器(NVM)IP的领导厂商,它的在OTP NVM方案有着强大的能力,以升级到更先进的CMOS工艺。晶圆代工和IDM厂商可以更灵活地采用这些IP解决方案,同时也还更好的满足更高集成度、更高密度、更低成功与功耗、更长电池续航和更安全的要求。
2015-06-15 新型存储器NRAM已准备好进军市场了吗?
美国存储器技术开发商Nantero最近宣布进行新一轮融资,并准备“浮出水面”──因为该公司认为其独家的非挥发性随机存取存储器(NRAM),已经准备好取代企业应用或消费性应用市场上的储存级存储器。
2015-06-12 软错误是如何损坏存储器中的重要信息的?
本文旨在解释软错误是如何发生,以及如何破坏半导体存储器中存储的重要数据的。为此,本文将阐述软错误的来源以及它们的发生概率。此外,本文还将解释软错误是如何影响存储单元(每个单元存储一个位)并导致它们改变状态的。本文还将探究软错误的不同来源,以及用于消减其影响的技术-包括工艺和系统层面上的技术。最后,本文将简要描述存储器中的片上纠错码(ECC)是如何消减软错误影响的。
2015-05-22 FRAM迈向主流存储器的路还很长
铁电存储器(FRAM,或FeRAM)在1990年代中期被认为将成为主流技术,但至今仍与其他众多新存储器技术一样,并没有如预期般迅速崛起。FRAM 的内部运作原理类似DRAM,有媲美SRAM的高速度以及如同快闪存储器的非挥发性。
2015-03-11 存储器产业专利大战硝烟再起
存储器科技发展日益蓬勃,除了相关技术外,存储器专利也成为科技公司的竞争利器,根据科技顾问公司iRunway的调查报告,这个趋势日趋明显,存储器专利将掀起另一波专利大战。
2014-11-21 英特尔新技术:存储器耗电至少降低25倍
英特尔在台举办亚洲区创新高峰会,展示和工研院合作开发的新记忆体技术,较现有DDR DRAM记忆体更省电,耗电降低至少25倍,未来可望为行动运算装置延长电池使用时间。
2014-09-12 旺宏存储器涵盖全系列规格,在汽车电子有很大提升空间
日前,在IIC-China 2014展会上,旺宏(香港)有限公司总经理谢浩纬于汽车电子论坛指出,在非易失性存储器(NVM)技术中,浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限,这就需要新的技术来替代。旺宏目前在研发的用于未来NVM的技术有三种:垂直栅极(VG) 3D NAND、PCM(相变存储器)和ReRAM(可变电阻式存储器)。
2014-06-25 (多图) DDR3内存的PCB仿真与设计
随着计算机技术的发展,存储器设计在整个系统中占有重要地位,目前DDR5内存已成为主流应用。本文针对DDR5技术特点结合相关仿真技术总结出PCB设计规则,并通过验证DDR5信号完整性和时序关系,缩短设计周期,提升了整个研发水平。
2014-06-10 嵌入式高速固态存储器的组成原理与设计实现
本文从NAND FLASH出发,对嵌入式高速固态存储器进行了系统的设计和实现,并对其数据存储速度和容量进行了分析计算,为相应的设计提供了参考依据。而随着科学技术的不断发展,数据存储技术也会不断进步,存储器的性能也会不断得到提高,需要相关技术人员的努力,推动数据存储技术的发展。
2014-05-21 看全球半导体技术发展趋势
半导体产业诞生于上世纪70年代,当时主要受两大因素驱动:一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器;二是为满足企业开发具备特定功能的新产品而快速生产的专用集成电路。到了80年代,系统规范牢牢地掌握在系统集成商手中。存储器件每3年更新一次半导体技术,并随即被逻辑器件制造商采用。
2014-03-25 (多图) 七招教你规避嵌入式PCB工程更改
工程更改(ECO)将推高设计成本,造成产品开发大量延迟。然而,通过认真思考经常发生问题的七大关键领域,可以规避大多数ECO。这七大领域是:元器件选择,存储器,湿度敏感等级,可测性设计,冷却技术,散热器以及热膨胀系数。
2013-12-06 (多图) SoC存储器的智能电源连接方法
SoC设计也面临着一系列的难题和挑战,其中出现的最大挑战之一是硬核IP模块集成和验证。随着技术的扩展,设计并集成IP模块变得越来越难。在深亚微米技术设计中,IR压降往往会对功能性造成显著的影响。
2013-12-04 中国"芯"时代,打破韩美相变存储垄断
以“‘芯’时代、‘存’世界”为主题的“2013宁波时代全芯科技产品发布会”在宁波举行。现场发布了55纳米相变存储技术,宁波时代全芯科技有限公司成为继韩国三星、美国美光之后,第三家拥有这项技术的企业,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,据悉该企业2014年投入量产,产业化前景可观。
2013-11-25 ST与Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术
意法半导体(ST)和Memoir Systems整合突破性的存储器技术和半导体制造技术,这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、设计更简单。
2013-08-05 ST创新型非接触式存储器助力韩国首款NFC冰箱
意法半导体(ST) 创新型非接触式存储器助力东部大宇电子研制韩国首款NFC冰箱,意法半导体NFC 技术可提升家电便利性.
2013-07-05 中国成为富士通FRAM最大市场
近五年之内,一些新型的非易失性存储器技术如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不断涌现,但达到出色市场量产业绩的只有 FRAM。那么现如今FRAM在中国的应用进展如何?在哪些更多的应用领域正在取代传统的EEPROM、SRAM和闪存和闪存呢?
2013-05-21 Molex下一代高性能超低功率存储器技术
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术,DDR3 DIMM存储器模块插座满足不断增长的严苛高密度应用需求.
2013-05-17 Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
Molex公司宣布推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM 存储器模块插座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。
2013-03-04 除了手机2013年还有很多关注
摩尔定律的突破将首先从闪存器件工艺开始,存储器制造商已经在量产3D堆叠芯片,这将进一步推动该技术在其它领域的应用。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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