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硅制造工艺
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共搜索到8篇文章
2012-04-06 Luxtera和意法半导体(ST)实现量产光电解决方案
意法半导体和全球最大的光电技术设计商 Luxtera宣布,将结合位于法国Crolles的意法半导体300mm晶圆厂的制造工艺及Luxtera的先进的硅光电IP和知识共同研发新一代硅光电元器件。
2009-03-17 硅片切割技术
硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体锭。线锯首先把硅锭切成方块,然后切成很薄的硅片。硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分,所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低切片成本做一个概述。
2009-03-17 硅片切割技术
硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体锭。线锯首先把硅锭切成方块,然后切成很薄的硅片。硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分,所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低切片成本做一个概述。
2008-02-04 ST通过CMP提供45纳米互补金属氧化物半导体制造工艺
意法半导体和CMP (Circuits Multi Projects) 宣布,通过CMP提供的中介服务,大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺进行原型设计。
2007-06-13 安森美推出HighQ-铜集成无源器件制造工艺和IPD产品设计工具
安森美宣布将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比,这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低,性能更高。
2006-12-04 28V InGaP/GaAs HBT功放提供出色线性度和高效率
长期以来,制造功率放大器的主要工艺技术一直是硅LDMOS,但采用LDMOS制造工艺的功率放大器,往往不能满足在达到出色的线性度的情况下又具有很高的效率。
2006-06-08 连续波激光器采用标准制造工艺
Intel公司的研究人员声称完成了一项重大的业界首创:即该公司采用一种标准制造工艺制成了连续波激光器。这一进步有望造就新一代的低成本激光器,设计师可将其集成到标准电子产品中,以适应高速互连和医疗设备中的应用。
2006-01-11 不使用MCU对三线DCP进行控制
XICOR公司的DCP(数控电位器)是其最主要也是最成功的产品之一。与其他DCP的制造工艺不同,XICOR以工艺实现电阻,而不是采用DAC实现,这是XICOR的专利技术。
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