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高压MOS
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共搜索到8篇文章
2013-09-10 东芝推出高压MOSFET “πMOS VIII”系列
东芝推出高压MOSFET “πMOS VIII”系列,可将导通电阻降低约24%.
2012-11-09 180奈米200V MOS独立沟槽电介质SOI工艺
X-FAB发表首创的200V SOI工艺,XT018在单一芯片上提供多重的高压区块.
2012-02-09 基于智能功率技术的荧光灯驱动电路设计
在照明应用电子变换器实现中,成本制约因素驱动着技术的选择。除下文要介绍的创新的纵向智能功率(VIPower)解决方案外,市场上还存在另外两种不同的经典方法。第一种方法是基于IC器件,与若干个外部无源器件一起,驱动两个高压(通常高于400V)功率MOS晶体管,实现一个半桥变换器。
2011-12-13 士兰微电子推出内置高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854
杭州士兰微电子公司在绿色电源控制器领域继续推出新品----内置650V高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854。该产品带有可编程的线损补偿和峰值电流补偿功能,采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率。广泛适用于手机充电器、小功率适配器、待机电源、MP3及其他便携式设备。
2010-12-01 瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点
MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点,广泛应用于电源等产品中。

Renesas高压MOS涵盖漏源电压(VDSS)等级600V、800V、900V、1400V,具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列,应用十分广泛。

2007-10-17 IR新款600V高压集成电路融合多种保护功能
国际整流器公司推出一系列新一代600V高压集成电路 (HVIC) 。这个600V单通道栅极驱动器系列IRS212x适用于低、中和高压马达控制应用以及不同电路拓扑,包括三相转换器、H-桥,和其它采用MOS栅极功率组件的拓扑。 2006-03-07 具有低正向压降的双高压肖特基势垒整流器
Vishay推出业界基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。 2006-01-19 Vishay具有0.375V最低正向压降的双高压肖特基势垒整流器
Vishay宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS? 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
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