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二极管优化
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2015-01-09 (多图) 透过IGBT热计算来优化电源设计
本文将阐释怎样量测两个组件的功率耗散,使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。
2013-04-03 如何创新的优化IGBT电路保护
在使用和设计IGBT的过程中,基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大,系统庞大,但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。瞬雷电子公司利用在半导体领域的生产和设计优势,结合瞬态抑制二极管的特点,在研究IGBT失效机理的基础上,通过整合系统内外部来突破设计瓶颈。本文将突破传统的保护方式,探讨IGBT系统电路保护设计的解决方案。
2012-02-23 (多图) 基于OrCAD电路设计软件的高频电子线路仿真分析
本文基于OrCAD/Pspice电子线路计算机辅助分析设计软件以实现高频电子线路的综合电路分析仿真为目的,针对回路使用的信号频率比较高,电路实现的功能多、结构复杂,造成OrCAD设计软件在仿真过程时运算量大,电路调试过程变得复杂、电路的元器件参量优化难度大,通过采用复杂电路的仿真调试关联优化的方法对变容二极管调频与功率放大及发射电路的仿真过程进行分析,仿真效果表明,采用关联优化方法能有效提高优化设计效率。
2011-05-10 Vishay Siliconix推出高效集成DrMOS解决方案:SiC779CD
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD。
2011-02-18 Power Integrations可立即供应Qspeed系列二极管
Qspeed二极管采用独特的硅基工艺,兼具一个极低的反向恢复电荷(Qrr)和一个极软恢复波形。这些先进特性能够帮助设计师优化其电源转换电路的效率和EMI性能。Qspeed二极管非常适用于连续导通模式(CCM)升压式功率因数校正(PFC)电路,并在硬开关应用中用作输出二极管。
2011-01-26 飞兆半导体推出经优化的功率MOSFET产品
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识,开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET II MOSFET,新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗,并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
2010-08-27 为D类应用优化的汽车用DirectFET 2功率MOSFET
AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET 2 功率 MOSFET 阵营,并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化,来改善总谐波失真 (THD) 和提高效率,而低二极管反向恢复电荷 (Qrr) 则进一步改善了总谐波失真,降低了电磁干扰 (EMI) 。
2010-02-23 符合DrMOS规定的新款器件
Vishay Intertechnology, Inc.推出集成的DrMOS解决方案 --- SiC762CD。在紧凑的PowerPAK MLP 6x6的40脚封装内,该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC,以及阴极输出二极管
2009-11-24 LT3991 : 55V、1.2A (IOUT) 降压型 DC/DC 转换器具有仅为 2.8uA 的静态电流
LT3991具有一个集成的升压二极管。其突发模式 (Burst Mode?) 工作在无负载备用情况下保持静态电流低于 2.8uA。LT3991 的 4.3V 至 55V 输入电压范围使其非常适用于汽车和工业应用。其内部 1.7A 开关可以在电压低至 1.19V 时提供高达 1.2A 的连续输出电流。LT3991 的突发模式工作提供超低静态电流,从而使其非常适用于诸如汽车或工业系统等应用,这类系统要求始终保持接通工作和最佳电池寿命。开关频率从 200kHz 至 2MHz 是用户可编程的,使设计师能够优化效率,同时避开关键噪声敏感频段。其 10 引线 3mm x 3mm DFN 或耐热增强型 MSOP 封装结合高开关频率,允许使用小的外部电感器和电容器,从而可提供一个占板面积紧凑和高热效率的解决方案。
2009-09-15 LT3970 : 静态电流为 2.5uA、40V、350mA (IOUT)、2.2MHz 降压型 DC/DC 转换器
350mA、40V 降压型开关稳压器 LT3970具集成的升压和箝位二极管。其突发模式 (Burst Mode?) 工作在无负载备用情况下保持静态电流低于 2.5uA。LT3970 的 4.2V 至 40V 输入电压范围使其非常适用于汽车和工业应用。其内部 550mA 开关在电压低至 1.21V 时,可以提供高达 350mA 的连续输出电流。LT3970 的突发模式工作提供超低静态电流,使其非常适用于诸如汽车或工业系统等应用,这些应用需要始终保持接通工作和最佳电池寿命。开关频率从 200kHz 至 2.2MHz 是用户可编程的,从而使设计师能够优化效率,同时避开关键噪声敏感频段。其 10 引线 3mm x 2mm DFN-10 (或 MSOP) 封装以及高开关频率允许使用小的外部电感器和电容器,从而提供一个占板面积非常紧凑和高热效率的解决方案。
2009-07-29 (多图) 高频电源模块缓冲电路优化探讨
高频电源模块的噪声主要来自功率变换和输出整流滤波电路。ZVZCS PWM全桥变换器实现了开关管的软开关,但其输出整流二极管不是工作在软开关状态,输出整流二极管在换流时,变换器的副边存在寄生振荡。本文讨论其产生原因及抑制办法。
2009-07-24 Vishay发布两款新型microBuck集成同步降压稳压器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新的microBuck系列集成同步降压稳压器 --- SiC413、SiC417。输出电流分别达4A和10A的SiC413和SiC417是DC-DC转换器解决方案,具有具有自带栅极驱动器的先进控制器IC、两个对PWM优化的N沟道MOSFET(高压侧和低压侧),以及在独立降压稳压器配置中的自举二极管
2009-07-22 奥地利微电子新型DC-DC升压转换器可用0.9V输入电压实现42V输出电压
日前,奥地利微电子公司推出AS1344高压DC-DC升压转换器,优化用于单电池供电的光电二极管偏置、LCD或PMOLED显示器。在15V输出电压时,AS1344可利用3V或1.5V 输入电压分别提供120mA和28mA驱动电流。
2009-06-25 安森美推出业界首款10A超级电容LED闪光驱动器
日前,安森美半导体(ON Semiconductor)推出NCP5680经过优化的超级电容之发光二极管(LED)闪光驱动器,能为超薄照相手机和小巧数码相机的闪光灯和视频摄像灯(video light)提供达10安培(A)的电流。
2009-03-05 (多图) 三相超快恢复二极管整流桥开关模块
模块化结构提高了产品的密集性、安全性和可靠性,同时也可降低装置的生产成本,缩短新产品进入市场的周期,提高企业的市场竞争力。由于电路的联线已在模块内部完成,因此,缩短了元器件之间的连线,可实现优化布线和对称性结构的设计,使装置线路的寄生电感和电容参数大大降低,有利于实现装置的高频化。
2008-10-07 Intersil推出用于英特尔核处理器应用的高效率及瞬态性能的四相和六相PWM控制器
Intersil推出用于英特尔核处理器应用的、业内最高效率及瞬态性能的四相和六相PWM控制器,Intersil今天推出的PWM控制器还可通过实现相数缩减、二极管仿真和栅极电压最优化以达到节省成本和空间的目的,并适用于基于英特尔VR11、VR11.1的服务器、台式机、工作站和游戏主板。
2008-09-25 (多图) PCB设计中ESD抑制准则
PCB 设计可以减少故障检查及返工所带来的不必要成本。在PCB 设计中,由于采用了瞬态电压抑止器(TVS)二极管来抑止因ESD 放电产生的直接电荷注入,因此PCB 设计中更重要的是克服放电电流产生的电磁干扰(EMI)电磁场效应。本文将提供可以优化ESD防护的PCB 设计准则。
2008-03-10 Avago推出新加强型主流小型化光学鼠标传感器
Avago推出一款面向基于发光二极管技术有线鼠标应用优化的新加强型主流小型化光学鼠标传感器,Avago的ADNS-5050采用业内尺寸最小的封装之一,是一款包含多种内置功能,能够带来更强大跟踪性能,使用非常方便的鼠标传感器。
2008-02-15 Maxim推出业内仅有的温度补偿电阻
Maxim推出DS1841温补电阻,优化用于雪崩光电二极管的电压控制。这款I?C控制的128抽头数字电位器采用对数变化方式,专门设计用于线性控制光模块中APD电压。
2007-04-11 凌力尔特推出紧凑封装的高效率USB电源管理器和电池充电器
凌力尔特公司推出独立型高效率电源管理器、理想二极管控制器和电池充电器 LTC4088,该器件用于便携式 USB 装置。LTC4088 的前端开关拓扑具有 PowerPathTM 控制,这优化了通过 USB 端口获得电源以对电池充电,并以最低功耗为应用装置供电。这个特点有助于减轻空间受限的媒体播放器、数码相机、PDA、GPS 单元和智能电话的热量管理问题。该集成电路还允许负载电流大于从 USB 端口吸取的电流,同时符合 USB 负载规范。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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