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氮化镓技术
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2016-06-14 揭秘氮化镓(GaN)在无线基站中的应用(下)
上节中,我们对于LDMOS,GaN/SiC 以及MACOM的GaN三者之间的技术相对优劣性进行了密切关注,评估了它们之间的优缺点以及从它们的性能属性到生态系统的供应链成本之间进行权衡比对。 现在我们继续来剖析在上文无线基站中所介绍的这些技术。
2016-06-14 揭秘氮化镓(GaN)在无线基站中的应用(上)
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。
2016-02-24 氮化镓功率技术大热,剖析Cascode结构如何“剑走偏锋”
氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力,近年来在功率器件市场大受欢迎。最近一年多以来,一个中国工程师和媒体社群极少听到美国Transphorm公司以一种“稳秘模式”异军突起,已成为电子能源转换行业开发与供应GaN解决方案业务的国际公认领导厂商。
2015-12-08 氮化镓系统宣布在台积电产量提升10倍
GaN Systems宣布其代工厂——台积电将基于GaN Systems专有岛技术?的产品的大批量生产扩大了10倍,以应对来自消费类和企业级客户激增的全球性需求。
2015-09-07 颠覆性的半导体技术该是什么样的?
最近Alex Lidow(前IR CEO,现EPC--Efficient Power Conversion--的CEO)发表文章,讲述了比较新的氮化镓(GaN)技术,现将这篇文章翻译出来与大家共享。
2015-02-15 氮化镓(GaN)技术将带给我们怎样未来?
氮化镓场效应晶体管(FET)可以分立晶体管和单片半桥的形式来供应,其性能要比目前最好的商用硅MOSFET好10倍。但是,当许多设备被整合在一起来开发系统单芯片时,会发生什么事呢?而当这种芯片的性能要比硅芯片好上100倍时,又会发生什么事呢?
2014-06-27 宜普电源转换公司的氮化镓技术荣获电子技术设计杂志十周年创新技术优秀奖
作为硅MOSFET器件的替代技术,宜普电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管技术荣获业界著名杂志颁发创新技术优秀奖.
2014-03-14 宜普电源参与业界研讨会展示氮化镓技术的最新发展
宜普电源转换公司专家于亚太区业界功率研讨会展示采用氮化镓场效应晶体管可提高无线电源传送应用的效率达20%。
2014-03-07 Kyma 授权GT 使用等离子体汽相淀积技术
Kyma Technologies, Inc.授权GT Advanced Technologies使用等离子体汽相淀积技术,该解决方案扩大了GT可用于生产低成本、开盒即用发光二极管(LED)晶圆的氮化镓技术产品供应.
2013-05-30 (多图) 硅、氮化镓、碳化硅如何为功率设计寻找最佳的工艺和供应商
鉴于功率元件领域的竞争不断加剧,到2013年中期将有6个左右的GaN、Si和SiC供应商会披露有关工艺改进、新型架构,以及会给行业带来新选择和新工具的最新能力。本文将探讨一些这样的公司和技术
2013-05-29 宜普全新氮化镓功率器件网上图书馆正式开馆
于电源转换领域采用先进氮化镓晶体管的工程师首次可以浏览我们的网上图书馆便找到所有相关的技术文章、视频及教科书,加快他们所设计的产品的上市时间。
2012-02-06 GaN技术在微波射频领域的应用及影响
在通信行业,3G应用和WiMax应用是目前主流的两大移动宽带发展方向,其技术的发展很大程度上依赖射频器件和微波功率器件的性能。因此氮化镓(GaN)技术在3G基站和WiMax市场上是否均能获得认可,是影响氮化镓(GaN)成本走势的关键因素。
2010-06-02 GaN(氮化镓)射频器件市场分析
氮化镓并非革命性的晶体管技术,这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。
2010-04-30 TriQuint:25年练就GaAs专家
创新解决方案和技术加快了设计速度,提升了性能,减少了元器件数量以及降低了用户应用的整体成本。在今天高端的移动设备、国防和航空、网络基础设施应用中,TriQuint砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、声表面波(SAW)和体声波(BAW)技术和产品,正在发挥着日益重要的作用。
2008-09-22 IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台
IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台,专有的硅上GaN器件和功率器件技术预示着电源转换新纪元的到来。
2008-08-12 江西晶能光电的硅衬底LED技术实现产业化
位于南昌高新开发区的晶能光电(江西)有限公司(Lattice Power),在GaN基半导体发光材料领域创造性发展出第三条半导体照明技术路线——硅衬底LED技术,目前已获及在申请国内、国际发明专利40余项,是世界首家在硅上生长氮化镓的公司,也是中国唯一一家具有“硅衬底发光二极管”自主知识产权的LED生产企业,全球首块以晶能光电生产的硅衬底蓝光LED、硅衬底绿光LED及外购的红光LED显示屏已研制成功。
2008-05-09 晶能光电产业化项目一期工程竣工投产
晶能光电(江西)有限公司是以南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心为技术依托,由金沙江、淡马锡、梅菲尔德、永威投资、凯鹏华盈等多家国际著名的风险投资基金共同投资,专门从事硅衬底氮化镓基LED外延材料与芯片生产的高科技企业,坐落在南昌国家高新区美丽的赣江之滨艾溪湖畔。
2008-01-10 我国半导体技术在照明革命中抢占制高点
半导体光源具有体积小、寿命长、节能、环保和安全等特点,用它代替白炽灯、荧光灯是人们梦寐以求的目标。半导体照明产业属于光电子产业领域。随着第三代半导体材料氮化镓的突破和蓝、绿、白光发光二极管的问世,半导体技术在引发微电子革命之后,又在孕育一场新的产业革命——照明革命。
2004-09-01 春兰股份研发GaN基蓝、绿光LED技术
春兰股份近年致力于多元化发展,电子、电器、电池、电子商务成为公司的支柱产业。春兰股份通过子公司春兰电子公司介入氮化镓基半导体照明材料的研究,并最终将形成批量生产GaN基蓝、绿光发光二极管的生产能力。
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