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DDR存储
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2014-08-14 (多图) 详述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力,因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念,及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2013-09-25 (多图) 关于DDR3的对比研究
DDR内存的性能优势主要体现在其预取架构和突发式操作上。当内存访问存储体的一个特定行时,预取缓冲区就会获得一组相邻的数据字,并随后在内存时钟各个沿的I/O管脚上突发,无需单独的列地址。
2009-10-20 (多图) 基于SoC的实时信号处理系统中存储系统
本文针对潜入式实时数字信号处理系统的特点,重新组织DDR存储颗粒的结构,添加冗余颗粒和相关寄存器,改写控制IP,设计了一种新的具有容错纠错自适应功能的二级冗余存储体系结构。它仅需增加少量的冗余器件就可以容忍系统中较多数目的器件故障。
2007-07-13 普然选择ARM高速物理接口解决方案开发下一代网络SoC
ARM公司和普然通讯今天共同宣布,普然获得ARM Velocity高速DDR解决方案授权。作为ARM物理IP系列的一员,Velocity DDR是适用于关键应用到低功耗存储子系统的广泛SDRAM DDR应用的高速物理接口解决方案。
2007-07-13 ARM Velocity DDR助力fabless针对IP融合应用设计高性能、低功耗解决方案
ARM公司和国内领先的fabless半导体设计公司普然通讯今天共同宣布,普然获得ARM Velocity高速DDR解决方案授权。作为ARM物理IP系列的一员,Velocity DDR是适用于关键应用到低功耗存储子系统的广泛SDRAM DDR应用的高速物理接口解决方案。
2007-07-13 普然选择ARM高速物理接口解决方案开发下一代网络SoC
ARM公司和国内fables公司普然通讯日前共同宣布,普然获得ARM Velocity高速DDR解决方案授权。作为ARM物理IP系列的一员,Velocity DDR是适用于关键应用到低功耗存储子系统的广泛SDRAM DDR应用的高速物理接口解决方案。
2006-09-06 下一代DDR存储解决方案
ARM公司扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储接口产品,以支持众多特定应用对SDRAM的要求。
2006-07-26 ARM发布下一代DDR存储解决方案
ARM 公司宣布扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储接口产品,以支持众多特定应用对SDRAM的要求。扩展后的ARM Velocity DDR产品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC标准相兼容,并支持领先代工厂的130纳米、110纳米、90纳米和65纳米的标准CMOS工艺。
2006-07-25 ARM下一代DDR存储解决方案提高芯片性能
ARM公司宣布扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储接口产品,以支持众多特定应用对SDRAM的要求。
2006-04-03 4DSP引擎具有交换结构通信能力
Curtiss-Wright Controls Embedded Com-??puting最近推出了一个基于VPX的VITA4DSP引擎Champ-AV6,它由四个PowerPC 8641器件组成,具有串行交换结构通信能力。Freescale的8641处理器有两个集成的64位存储控制器和Altivec指令集扩展,单周期能执行多达8个浮点操作。Champ-AV6有4个1.33GHz的8641,能够提供42Gflops的峰值浮点性能。数据流系统应用能够从这块板8.5GB/s的存储器带宽和多达2GB的DDR SDRAM中获益。
2004-05-09 DDR2市场前景乐观 英飞凌蓄势待发
DDR2采用双速率技术,具有高性能和低功耗的特点。传统的DDR-SDRAM在2.5V的电压下工作,而DDR2-DRAM在DRAM存储核心和数据输入/输出方面将电压降低到1.8V,因此,在同样的工作频率下,功耗得到极大的降低,因为无须考虑热的限制,DDR2并为更高的频率提供了空间。
2003-11-24 IDT推出首个用于管理连续宽带通信信息的高容量队列单芯片器件
IDT公司推出新型连续流量控制(SFC)产品系列。这是该公司继2003年6月成功推出流量管理集成电路产品后,为该产品系列增添的又一款功能先进的器件。新器件可以无缝连接到一个外部双数据率(DDR)SDRAM,可连续存储和转移1000兆位的数据,因而可以提供高性能的数据流量管理功能。更为重要的是,IDT连续流量控制产品能够无缝管理所有的双数据率SDRAM互操作,设计人员在从事该项设计的时候不用再创建新的电路。
2003-11-12 电源技术
低导通电阻150V及200V功率MOSFET器件;能为下一代芯片组和DDR存储提供电源的集成控制器;能独立稳压的双输出1/4砖DC/DC转换器;5A的双输出栅极驱动器;专为调制解调器、机顶盒及PC而设计的全新高电流低压降芯片;低引脚的多节锂离子电池充电器IC;可提高功率因素校正效率的特殊应用二极管;可提供1.5V到3.3V转换功能的32位电平转换器件
2003-09-29 安森美设计出首款集成控制器为下一代芯片组和DDR存储提供电源
安森美半导体推出新系列集成控制器NCP5210 和 NCP5209,为计算机行业继续提供创新的电源管理解决方案。这些器件为管理DDR1/DDR2存储严格的电源要求和下一代芯片组更高的电源需求而设计
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