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双极晶体管
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2015-06-30 意法半导体推出S系列1200V IGBT绝缘栅双极晶体管
2015年6月25日,意法半导体推出S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。
2014-12-04 谈谈最近电子行业收购与被收购的事儿
功率器件在我国还属于朝阳产业,就其在中国发展的历程来看,从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘栅双极晶体管IGBT,发展时间较短。就其增长速度来看,市场规模增长速度较快,高于我国制造业的平均增长速度,并已经成为了全球最大的功率器件市场。
2014-12-04 功率器件行业面临的风险
功率器件在我国还属于朝阳产业,就其在中国发展的历程来看,从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘栅双极晶体管IGBT,发展时间较短。就其增长速度来看,市场规模增长速度较快,高于我国制造业的平均增长速度,并已经成为了全球最大的功率器件市场。
2014-11-19 IR推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台
IR推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工业应用的基准效率和耐用性.国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
2014-09-18 IR第八代IGBT技术平台和IR3847 SupIRBuck荣获"2014中国年度电子成就奖"
2014年9月18日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台和IR3847 SupIRBuck大电流集成式稳压器荣膺业界闻名的“2014中国年度电子成就奖” 。
2014-08-08 (多图) 应用于白家电的变频器智能功率模块(IPM)技术及方案
如今,在白家电设计中具有显著节能、低噪声和优异变速性能等特性的无刷直流(BLDC)电机应用越来越广泛。这就需要高能效的电机驱动/控制方案,变频器技术的开发旨在高能效地驱动用于工业及家用电器的电机。此技术要求像绝缘门双极晶体管(IGBT)、快速恢复二极管(FRD)这类的功率器件,以及控制IC和无源元件。智能功率模块(IPM)将这些元器件高密度贴装封装在一起。
2014-06-11 大功率半导体国产化"三部曲"
五月初,我国首条8英寸IGBT芯片生产线在株洲正式投产。IGBT,学名绝缘栅双极晶体管,是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统,其地位相当于计算机世界中的“CPU”。
2014-05-15 IR扩充坚固可靠的600V节能沟道IGBT系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件系列为完整的功率应用范围作出优化,从小型马达和低负载产品到工业应用均涵盖其中,如不间断电源 (UPS) 、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接等应用。
2013-10-17 ST最新的双极功率晶体管
意法半导体(ST)最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装,节省电路板空间
2013-09-18 DIALOG推出业内首个10W功率双极晶体管的数字脉宽调制控制器
DIALOG 半导体有限公司 PWM 控制器降低智能手机电源BOM成本和待机功耗.iW1679数字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A适配器和充电器中的FET.
2013-06-17 IR全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管
IR全新1200V IGBT为电机驱动及不间断电源应用,提升功率密度和效率.
2013-05-06 成功筛选互补双极晶体管
对于要使用互补双极晶体管的电路设计,有时候需要筛选出与直流增益(β)相匹配的NPN和PNP晶体管。这样一种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。
2012-09-05 IR推出600V绝缘栅双极晶体管系列
功率半导体和管理方案厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,适合在10kHz以下工作的电机驱动应用,包括冰箱和空调的压缩机。
2012-07-25 瑞萨电子新增加13款IGBT功率半导体器件
瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,今天宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)阵列增加13款新产品。
2012-05-10 安森美推出高性能场截止型IGBT,用于高能效电源转换
安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的场截止型(Field Stop) 绝缘门双极晶体管(IGBT),目标应用为工业电机控制及消费类产品。
2011-11-17 (多图) 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究
为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,提出了一种在0.25μm N阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成,实现了VBE和VT的线性叠加,获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明,在3.3 V电源电压下,当温度在-20~70℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数为10x10-6/℃,输出电压的标准偏差为1 mV,室温时电路的功耗为5.283 1 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。
2011-11-15 IR推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。
2011-09-27 IR推出一对高效可靠的超高速IGBT
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ,该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。
2011-09-06 IR 推出可靠的超高速 1200 V IGBT
功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2011-03-31 华润微电子1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发成功
华润微电子有限公司(后简称“华润微电子”)宣布其附属公司华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台,各项参数均达到设计要求,成功进入Trench IGBT代工市场。
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