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功率晶体管
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2016-06-14 MACOM引入全新300W塑封氮化镓功率晶体管
MACOM日前宣布推出其针对大规模固态射频能量商业应用而优化的全新塑封300W硅基氮化镓功率晶体管产品MAGe-102425-300。MAGe-102425-300相比LDMOS产品,能够在效率和功率密度大幅度提高的情况下确保氮化镓性能和硅成本结构。
2016-06-14 揭秘氮化镓(GaN)在无线基站中的应用(上)
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。
2016-02-29 GaN Systems CEO:GaN晶体管掀起电源转换市场新革命之全解读
电源转换市场相当可观,达150亿美元。整个世界的计算量正变得越来越大,我们生活中所使用的电子元器件越来越多,并且更多的人需要使用电子产品;为了更谨慎地利用我们的资源,电源转换的效率变得愈加重要。而对于功率半导体来说,这意味着需要有更好性能的革命性解决方案。
2016-01-05 氮化镓系统新半桥评估板简化氮化镓晶体管测试
氮化镓系统宣布推出可对其氮化镓增强型功率半导体器件在实际电源电路中的性能进行演示的新型半桥评估板。全功能的GS66508T-EVBHB评估板可以很容易地配置成任何基于半桥的拓扑结构。
2015-07-28 GaN功率组件将在市场上展现重大成功
新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然·物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。
2014-09-18 IR第八代IGBT技术平台和IR3847 SupIRBuck荣获"2014中国年度电子成就奖"
2014年9月18日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台和IR3847 SupIRBuck大电流集成式稳压器荣膺业界闻名的“2014中国年度电子成就奖” 。
2014-09-10 (多图) 简易实用模拟温控电路设计
该电路主要由运算放大器、 单结晶体管及可控硅器件组成。通过比例积分、电压比较及移相触发等电路实现对电源输出功率大小进行控制,从而达到控制加热装置功率的目的。该电路温控精度较高、工作状态稳定可靠、实用性较强,可应用于工业温度控制场所。
2014-06-27 宜普电源转换公司的氮化镓技术荣获电子技术设计杂志十周年创新技术优秀奖
作为硅MOSFET器件的替代技术,宜普电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管技术荣获业界著名杂志颁发创新技术优秀奖.
2014-06-11 大功率半导体国产化"三部曲"
五月初,我国首条8英寸IGBT芯片生产线在株洲正式投产。IGBT,学名绝缘栅双极晶体管,是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统,其地位相当于计算机世界中的“CPU”。
2014-05-15 IR扩充坚固可靠的600V节能沟道IGBT系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件系列为完整的功率应用范围作出优化,从小型马达和低负载产品到工业应用均涵盖其中,如不间断电源 (UPS) 、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接等应用。
2014-03-14 宜普电源参与业界研讨会展示氮化镓技术的最新发展
宜普电源转换公司专家于亚太区业界功率研讨会展示采用氮化镓场效应晶体管可提高无线电源传送应用的效率达20%。
2013-10-17 ST最新的双极功率晶体管
意法半导体(ST)最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装,节省电路板空间
2013-10-12 美高森美推出新型750W RF晶体管
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管为航空应用提供无与伦比的高功率性能,新器件适用于商用和军事、地面和机载、二次监视雷达,以及防撞空中交通管制设备。
2013-09-18 DIALOG推出业内首个10W功率双极晶体管的数字脉宽调制控制器
DIALOG 半导体有限公司 PWM 控制器降低智能手机电源BOM成本和待机功耗.iW1679数字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A适配器和充电器中的FET.
2013-08-22 采用RF功率放大器实现下一代无线系统
为了将基站SMPA中使用的高功率晶体管与发射器的所有数字CMOS模块相连,需要能够生成高压(HV)摆幅的宽带RF CMOS驱动器。这样不仅能实现更优的高功率晶体管性能,而且还能将数字信号处理直接用于控制所需的SMPA输入脉冲波形,从而提高系统整体性能。
2013-08-14 恩智浦LDMOS射频功率晶体管系列再添新成员
超耐用LDMOS提升功率:恩智浦发布BLF188XR,广受欢迎的XR系列射频功率晶体管的最新成员,适合最恶劣的工程环境.
2013-07-29 Gen8+ LDMOS RF功放管满足TD-LTE所有频段的市场应用
随着中国开始铺设全球最大4G网络,针对不同基站配置、不同频段、不同功率, NXP推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,这是NXP作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
2013-06-21 恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革
NPD DisplaySearch最新月度出货报告显示,大尺寸面板(9“以上)出货在经历了1、2月份的出货低潮后,经过3、4月份的出货逐步恢复,在5月份完成2013年后最大单月出货成绩,达成61.9M出货,并较4月份成长11%。
2013-06-13 飞思卡尔推出多个最新晶体管
飞思卡尔加大对RF地面移动市场的投入并推出新的产品系列,Airfast RF功率解决方案通过新型LDMOS和GaN功率晶体管产品提供卓越性能和业界领先的耐用性.
2013-05-30 ST推出新一代高能效功率器件
意法半导体(ST)发布最新功率技术,让工业设备和基础设施更加节能环保.全新功率晶体管系列采用先进的内部结构,拥有业界最低通态电阻,适用于低能耗、高空间效率的设计.
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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