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薄晶片技术
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2015-02-13 英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT
2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP5 薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。英飞凌推出新型 IGBT，将工作在 50Hz 至 20kHz 下的总功耗成功降至最低水平.
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