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半导体内存
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2016-04-18 16纳米及以下制程节点的良率与成本
为以16纳米以下的制程节点生产IC设备,半导体制造商整合了许多新技术,包括多重图形、隔离层间距分割、3D逻辑与内存结构、新材料与复杂光罩。
2016-04-18 论华山剑派气宗和剑宗:电动汽车BMS的主动均衡和被动均衡
为以16纳米以下的制程节点生产IC设备,半导体制造商整合了许多新技术,包括多重图形、隔离层间距分割、3D逻辑与内存结构、新材料与复杂光罩。
2015-09-11 IP厂商推陈出“芯”,何解?
——半导体变革之IP厂商也疯狂

当时的Rambus之于内存界,有点像今日的ARM之于处理器领域。但Intel捧红了Rambus之后又将它拉下了神坛。但这些对于今天的Rambus已不重要。重要的是经历了几年的坎坷之后,他们选择继续向前看。
2015-03-25 Spansion MCU强化人机接口特性,目标直指物联网市场
随着物联网的风潮愈演愈烈,其增长点也成为众多半导体厂商的关注点。据Spansion方面研究显示,MCU/内存、HMI、传感器、无线、能源管理正在成为物联网发展的五大主要驱动力。Spansion亦在不断强化这些领域的竞争力,以期在庞大的物联网市场分得一杯羹。
2014-02-26 富士通推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件
富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件,拥有I2C接口,适用于工厂自动化控制、测验仪器及工业设备.
2013-11-25 ST与Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术
意法半导体(ST)和Memoir Systems整合突破性的存储器技术和半导体制造技术,这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、设计更简单。
2013-11-22 富士通推出全新4 Mbit FRAM芯片
富士通半导体推出全新4 Mbit FRAM产品,可取代SRAM的非挥发性内存,为工业控制及办公自动化提供不需电池的最佳解决方案。
2013-11-14 富士通半导体推出全新4Mbit FRAM产品
富士通半导体推出的全新4Mbit FRAM产品,可取代SRAM的非挥发性内存,为工业控制及办公自动化提供不需电池的最佳解决方案。
2013-09-24 铜柱凸点将成为倒装芯片封装的主流
铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说,是因为除了移动产品用处理器和内存外,其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽,并采取更好的散热措施。
2012-07-06 灿芯半导体与Cadence合作推出DDR内存解决方案
灿芯半导体将流片系列测试芯片平台,包含存储器子系统IP,以此证明这种超低功耗、高性能解决方案是智能手机、平板电脑等移动设备和其他消费电子产品的理想之选。
2011-11-30 导入ARM内核 盛群首推32位MCU
一直致力于8位和16位MCU市场的盛群半导体日前终于导入ARM内核首次推出其32位MCU HT32F125x,该系列目前共有HT32F1251/51B/52/53四个型号,不同处在于内存容量大小和引脚数量。
2011-11-10 飞思卡尔推出基于ARM Cortex-M系列的微控制器
飞思卡尔半导体推出新的Kinetis X系列,再次刷新了微控制器(MCU)的性能标准。该系列基于ARM Cortex-M内核,是业界速度最快的MCU。 X系列扩展了飞思卡尔Kinetis 32位MCU产品组合的高端部分,该系列的器件集合了出色的性能、丰富的内存和集成外设,并且具备庞大的开发支持生态系统。
2011-11-09 2011年全球TOP 20半导体供货商初步排行榜抢先看
市场研究机构 IC Insights 的最新McClean 报告指出,尽管 2011年整体半导体市场成长率可能仅有个位数字,但预期仍将有数家芯片供货商的表现会特别杰出;其中高通(Qualcomm)受惠于预测将成长73%的智能型手机市场,其 2011年半导体业务销售额可望有33%的成长率。另一方面,内存供货商尔必达(Elpida)的年度营收可能会衰退39% (以日圆计算,其衰退幅度可能高达近50%)。
2011-09-29 重视设计机会 飞思卡尔核心战略解读
日前,在飞思卡尔FTF(深圳)大会期间,飞思卡尔高级副总裁兼首席市场营销官Henri Richard就公司业务战略方向和对目前经济环境的影响进行了深入的讨论。作为前IBM技术部全球业务与支持副总裁,Henri认为半导体公司的B2B营销模式与B2C有着本质的不同,“我看到一些竞争对手把宣传多少内核和内存容量等等信息作为宣传重点,这种传统的做法其实并不合适,因为客户关心的是选择一个技术能够实现怎样的功能,能够得到哪些价值。”
2011-04-05 提速2400MHz 海力士第二家宣布DDR4内存
三星电子抢先行动整整三个月之后,另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)日前也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒,以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条,支持错误校验功能,均采用先进的30nm级别工艺制造,完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。
2010-10-19 Gartner:2010年全球半导体开支将增长10
据市场研究公司Gartner上周发表的一篇报告称,全球最大的内存芯片厂商三星电子2010年预计将向半导体业务投资92亿美元,连续两年超过其它芯片厂商的资本开支。
2010-09-21 意法半导体(ST)凭借EnergyLite超低功耗技术扩大并强化STM8L系列微控制器
这三款全新STM8L产品分别是STM8L151、STM8L152和STM8L162,均内置64KB闪存,将STM8L系列8位微控制器的用户可用程序和数据存储器的最大实际容量扩大一倍。 SRAM内存容量也扩大至4KB。除这些重要的新功能外,STM8L152还增加一个LCD控制器以支持更大的段显示。为提供更高的安全功能,意法半导体还推出一条片上128位AES加密算法的新产品线,STM8L162是该产品线的首款产品。
2010-03-18 市场分析:DRAM涨势 恐超预期
半导体大厂抢订设备,包括台积电、东芝、三星半导体等一线大厂抢订ASML设备机台,在订单爆增之下,导致交期延长,排挤内存厂设备交期,力晶董事长黄崇仁表示,由于设备交期充满不确定因素,且DRAM厂转换制程并不是完全顺利,今年DRAM厂产能开出速度将落后预期,下半年DRAM涨势恐将凌厉发动,倘若涨破3美元不仅无助于产业稳定,也将压抑终端需求。
2010-01-19 内存业酝酿地震:传金士顿1亿美元购海力士
业内人士日前透露,美国金士顿科技公司(Kingston Technology )预付了1亿美元给韩国海力士半导体公司以购买其2010年需要的内存和NAND闪存.
2010-01-11 尔必达将在台湾设DRAM开发基地 合作开发4F2技术
尔必达内存将在台湾设立DRAM开发基地。计划于2010年第一季度(1~3月)在与台湾力晶半导体(PSC)的合资公司台湾瑞晶电子设立个人电脑通用DRAM开发基地。这是尔必达和瑞晶于1月5日在台湾召开的新闻发布会上发布的(瑞晶电子的新闻发布资料)。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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