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2015-06-26 扇出型晶圆级封装将成先进封装技术发展要点
系统级封装(System in Package;SiP)结合内嵌式(Embedded)印刷电路板(Printed Circuit Board;PCB)技术虽符合移动设备小型化需求,然于供应链与成本存在问题,另一方面,扇出型晶圆级封装(Fan-out Wafer Level Package;FoWLP)不仅设计难度低于矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC,且接近2.5D IC概念与相对有助降低成本,可望成为先进封装技术的发展要点。
2012-04-10 FPGA双雄的TSV技术之战
在走在微细化尖端的FPGA企业的心目中,众多技术中,能够作为新一代附加值的技术是贯穿Si芯片的通孔,也就是TSV(硅通孔)。
2011-11-29 (多图) 打破平面IC设计思维 TSV引领3D IC新浪潮
不同于过去芯片设计的二维思考模式,矽穿孔(TSV)技术系采三维(3D)堆叠方式进行开发,可缩短每层芯片间的内部连结路径,提升信号传递速度,并降低杂讯与功耗;同时,也可实现更多异质功能整合,满足未来移动装置轻薄且多功能的严苛要求。
2011-10-14 3D封装TSV技术仍面临三个难题
高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。
2011-08-10 半导体前工序和后工序领域存在着商机
法国元件调查公司YoleDeveloppement公司MEMS及半导体封装领域的分析师JeromeBaron这样指出:在处于半导体前工序和后工序中间位置的“中端”领域,具有代表性的技术包括晶圆级封装(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅转接板等,潜藏着新的商机。
2011-08-10 半导体工序“中端”领域潜藏新商机
法国元件调查公司YoleDeveloppement公司MEMS及半导体封装领域的分析师JeromeBaron这样指出:在处于半导体前工序和后工序中间位置的“中端”领域,具有代表性的技术包括晶圆级封装(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅转接板等,潜藏着新的商机。
2011-04-12 (多图) 浅谈3D芯片堆叠技术现状
尽管最近几年以TSV穿硅互联为代表的3D芯片技术在各媒体上的出镜率极高,但许多人都怀疑这种技术到底有没有可能付诸实用,而且这项技术的实际发展速度也相对缓慢,目前很大程度上仍停留在“纸上谈兵”的阶段。不过,许多芯片制造商仍在竭力推进基于TSV的3D芯片技术的发展并为其投入研发资金
2010-12-02 应用材料公司改进刻蚀技术降低TSV制造成本
长期以来,成本因素一直是限制推广TSV这一重要技术的主要障碍。全新的Silvia系统体现了应用材料公司在聚焦新技术开发、降低TSV制造成本方面所作的努力。Silvia系统无可匹敌的性能得到了我们客户的高度认可,该系统能帮助他们将TSV技术用于大规模的生产。
2010-01-26 450mm晶圆,EUV光刻、TSV三项投入应用将推迟
半导体技术市场权威分析公司ICInsights近日发布的报告显示,按照他们的估计,450mm技术以及极紫外光刻技术(EUV)投入实用的时间点将再度后延。
2008-11-05 IMEC的3-D堆叠芯片和系统设计
比利时研究机构IMEC(Leuven, Belgium) 表示,他们在3-D SIC(三维堆叠芯片)技术上获得重大进展,采用直径5um的铜穿透硅通孔(TSV)完成芯片与芯片(die-to-die)堆叠,并验证了该3-D芯片的功能。
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