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P沟道功率
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2014-01-24 具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-09-09 超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET
Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻.器件采用2mm x 2mm PowerPAK SC-70封装.
2012-10-09 Vishay扩充P沟道功率MOSFET
Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻
2012-02-17 Vishay Siliconix推出新款P沟道30V芯片级MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET,是目前市场上尺寸最小的此类器件;而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。
2011-10-20 Vishay推出最小N沟道和P沟道功率MOSFET:Si8802DB和Si8805EDB
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。
2011-08-17 Vishay推出新款P沟道TrenchFET功率MOSFET:SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB437EDKT。
2011-03-14 Vishay Siliconix发布TrenchFET功率MOSFET
采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内,新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
2011-03-03 Vishay Siliconix推出新款双芯片P沟道器件
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-25 Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2010-09-18 新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活
相比上一代产品,这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力,更为客户提供广泛的导通电阻选择,以适应他们对温度和成本的要求。同时,P 沟道技术也可以简化电路设计。
2010-05-06 30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAK 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si7625DN。
2010-04-28 采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
2010-04-08 双路12V P沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双路12V P沟道TrenchFET功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻,采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装。
2010-01-04 12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology宣布,推出新款12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK SC-75封装,占位面积为1.6mm x 1.6mm,具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
2009-11-23 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2009-09-10 Vishay推出突破性P沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET --- SiB457EDK,这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。
2009-07-01 Vishay推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件 --- Si7145DP,将10V、4.5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。
2009-04-30 Vishay推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiA921EDJ,其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的,所采用的热增强PowerPAK SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。
2008-11-21 安森美半导体过压保护IC减少电路板占用空间40%
安森美半导体NUS6189新器件,将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30 V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm封装之中。
2008-02-19 飞兆半导体推出40V P沟道PowerTrench MOSFET
飞兆半导体公司推出 40V P 沟道 PowerTrench MOSFET 产品 FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。
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