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MOS器件
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2013-09-06 Vishay推出50V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器
Vishay的新款MOS势垒肖特基整流器具有10A和15A器件中业内最低的正向压降.该器件用于智能手机和平板电脑充电器,采用TO-277A(SMPC)封装.
2012-12-11 Vishay推出新45V势垒肖特基整流器
Vishay发布采用SlimSMA封装的新款45V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器,高电流密度的器件具有5A正向电流和低至0.37V的VF.
2012-09-12 Microsemi扩展NPT IGBT产品系列
致力于能源、安全、可靠性与高性能领域,半导体供应商美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)系列的三款IGBT新产品面世:APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J.该产品系列的所有器件均基于美高森美的先进Power MOS 8 技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件设计用于大功率的高性能开关模式产品,比如电焊机、太阳能逆变器和不间断开关电源。
2012-07-24 英飞凌推出面向航空应用的抗辐射加固型MOS开关器件
英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型(RH)功率MOS器件拥有出类拔萃的性能,可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。
2012-02-09 基于智能功率技术的荧光灯驱动电路设计
在照明应用电子变换器实现中,成本制约因素驱动着技术的选择。除下文要介绍的创新的纵向智能功率(VIPower)解决方案外,市场上还存在另外两种不同的经典方法。第一种方法是基于IC器件,与若干个外部无源器件一起,驱动两个高压(通常高于400V)功率MOS晶体管,实现一个半桥变换器。
2011-11-16 罗姆与APEI联合开发出高速大电流的SiC沟槽MOS模块
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备,与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计,由于最大限度地利用了SiC器件的特点,从而大幅改善了电气特性、机械特性,同时实现了超小型化、轻量化、高效化,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
2011-06-22 安捷伦推出用于直流和射频器件表征和建模的IC-CAP平台软件
安捷伦科技公司日前宣布发布最新版本的器件建模软件平台――集成电路表征和分析程序。IC-CAP 2011.04 将 IC-CAP Wafer Professional 自动测量解决方案与 IC-CAP CMOS 模型提取套件相结合,能够显著改善半导体器件的建模流程。
2011-06-16 Vishay推出新款45V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出12个具有三种功率封装的45V器件,这些器件具有10A~60A的宽电流等级,扩充了其TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。
2011-03-21 Vishay大幅扩充TMBS整流器产品线
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,对其使用Trench MOS势垒肖特基技术的TMBS整流器产品组合进行大幅扩充。Vishay共发布采用4种封装类型、电流等级从10A至60A的20款45V器件
2011-01-20 Vishay针对太阳能应用发布4款肖特基整流器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款提供eSMP表面贴装和轴向引线封装选项的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045,扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。
2010-10-19 Hittite接口产品线新增SMT封装控制器件
HMC677G32是一个多功能双互补MOS控制接口IC,非常适用于驱动场效应管的栅极和基于pHEMT的MMIC器件控制。
2009-11-30 (多图) CCD相机系统中驱动电路的设计
电荷耦合器件不同于普通的MOS型半导体器件,它需要在较复杂的驱动脉冲下才能正常工作。在CCD应用技术中,用于产生CCD驱动时序的设计,是CCD数据采集电路设计的关键之一。
2006-12-05 VISHAY推出采用新式SMPC微型电源封装的TMBS及平面肖特基整流器
日前,Vishay Intertechnology推出采用新式微型封装的槽沟式金氧肖特基(Trench MOS Barrier Schottky ,简称TMBS?)与平面肖特基整流器,这些器件凭借较小的尺寸以及处理 100V、12A 电流的能力,可实现高电流密度的电源设计。
2006-05-29 Vishay新型Trench MOS肖特基势垒整流器具有0.70V最低正向压降
Vishay Intertechnology推出一款新型 Trench MOS 肖特基势垒整流器,其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。
2006-03-22 CCD图像传感器在微光电视系统中的应用
CCD (Charge Coupled Device) 电荷耦合器件,是一种金属一氧化物--半导体结构的新型器件,其基本结构是一种密排的MOS电容器,能够存储由入射光在CCD像敏单元激发出的光信息电荷,并能在适当相应的时钟脉冲驱动下,把存储的电荷以电荷包的形式定向传输转移,实现自扫描,完成从光信号到电信号的转换。这种电信号通常是符合电视标准的视频信号,可在电视屏幕上复原成物体的可见光像,也可以将信号存储在磁带机内,或输入计算机,进行图像增强、识别、存储等处理。因此,CCD器件是一种理想的摄像器件。
2006-03-07 具有低正向压降的双高压肖特基势垒整流器
Vishay推出业界基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
2006-01-19 Vishay具有0.375V最低正向压降的双高压肖特基势垒整流器
Vishay宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS? 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
2005-11-09 (多图) 保持功率MOS器件热稳定性所需最小VGS的估测
本文将介绍一种简单直接的方法,使用基本Spice模型参数来预估最小门极驱动,以防热不稳定性的发生以及对器件造成相应损害。下列方程分别根据在饱和区和线性区中偏置MOSFET这两种情况导出。
2005-04-08 D类放大器提供500W峰值功率
IRD类音频放大器参考设计使工程师能够在每个立体声通道中为4Ω的喇叭提供500W峰值功率的预配置电路。它基于IR2011S 门驱动IC,在每个通道的输出级使用了一对IRFB23N15D MOS场效应管。一个自激励的脉冲宽度调制器使器件具有更高的价值并降低了成本。
2004-04-07 VISHAY推出新型SOT363封装VHF与UHF双通道转换MOSMIC器件
Vishay Intertechnology宣布推出新型双通道 MOSMIC(MOS Monolithic Integrated Circuit) 器件系列的第一部分,MOSMIC 器件在业界标准的小型 SOT363 封装中将两个 MOSMIC 放大器--一个为用于 VHF 应用而进行了优化,另一个为用于 UHF 应用而进行了优化--与一集成的开关进行了完美结合。
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