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2014-01-09 SoC系统开发:FinFET在系统级意味着什么
家都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?
2011-07-18 IC Knowledge称FDSOI制程总体费效比优于体硅
?市调公司IC Knowledge称,根据他们最近完成的一次"严密的"制程成本分析,在22nm及更高级别节点制程,FDSOI制程相比体硅制程的总体费效比更高。
2011-02-28 平面型体硅技术仍将是22/20nm节点主流
在22/20nm制程节点,没有哪一家代工大厂会大规模采用FinFET,全耗尽型SOI(FDSOI)或者多栅型晶体管。不过固态电路协会的 另外一位重要成员Intel则继续保持沉默,对其22/20nm节点计划采用哪种技术守口如瓶。
2011-02-18 FinFET技术奠基人看FinFET与FDSOI技术之争
12年前,胡正明教授在加州大学领导着一个由美国国防部高级研究计划局(DARPA)出资赞助的研究小组,当时他们的研究目标是CMOS技术如何拓展到 25nm领域,当时的研究结果显示有两种途径可以实现这种目的:一是立体型结构的FinFET晶体管,另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术 (UTB-SOI,也就是我们常说的FDSOI晶体管技术)。
2003-09-12 新一代晶体管技术提高速度近三成
AMD向业界介绍了采用全耗尽绝缘硅 (FDSOI) 技术的晶体管,AMD 的研发人员放弃业界普遍采用的多晶硅作为晶体管栅的材料,改用另一种称为硅化镍的材料,为晶体管装设"金属栅"。
2003-07-01 AMD推介新一代微处理器技术
AMD向业界介绍了采用全空乏绝缘硅 (FDSOI) 技术的晶体管,据称该器件开关速度比其他 P 沟道金属氧化半导体 (PMOS) 晶体管高,即使与最近发表的晶体管比较,这批崭新晶体管的开关速度也快 30%。
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