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65 nm nm 搜索结果

共搜索到213篇文章
2015-05-15 Xilinx 28nm产品累计营收超10亿美元里程碑,市场份额高达65%
Xilinx 28nm产品累计营收超10亿美元里程碑,市场份额高达65%.Xilinx 在28nm工艺节点实现重大里程碑,比此前任意工艺节点提前3个季度实现累计营收超10亿美元目标相同营收.
2014-10-13 选择合适的转换器:JESD204B与LVDS对比
JESD204B接口是一个串行解串器链路规范,允许12.5Gbps的最大数据速率传输。使用高级工艺(例如65nm或更小)的转换器支持该最大数据速率,还可提高电源效率。系统设计人员可充分利用该技术相对于低压差分信号 (LVDS) DDR的优点。
2013-03-05 英飞凌在中国推出全新32位单片机家族XMC1000
英飞凌针对中国市场推出全新XMC1000工业和消费类单片机家族8位价格提供32位性能,300mm晶圆上采用的65nm e-Flash技术实现突破性性价比;2013年3月提供样片.
2012-12-25 国奇科技USB 3.0 PHY通过CEC专家组验收
无锡华大国奇科技有限公司自主研发的基于TSMC 65nm工艺节点的USB3.0/2.0 Combo PHY IP核通过了中国电子信息产业集团(CEC)组织的专家组的验收.
2012-10-11 安森美提供更先进ASIC及ASSP产品
安森美半导体与领先晶圆代工厂商的合作使公司能将65 nm和40 nm工艺技术用于工业及军事电子应用
2012-07-04 第五届SoCIP年会探讨IC设计新挑战
随着半导体工艺的不断推进,从65nm、40nm到现在的28nm,给SoC设计带来了诸多挑战,如布线拥挤、时序收敛等,怎样面对并解决这些挑战是目前许多SoC设计提供商急需思考以及解决的问题。
2011-11-22 65nm是用来解决问题的
半导体工业的最主要特征是工艺不断进步,平均每隔几年就要升级一次,带动功耗和成本不断下降,性能不断提升。从180nm到130nm,再到90nm65nm和45nm,这些略显枯燥的数字使我们的生活正在加速进入充斥各种电子器件的数字时代。
2011-11-22 55nm创新工艺震动消费类终端ASIC设计服务市场
兼容65nm IP、功耗大幅降低堪比40nm,富士通半导体ASIC/COT业务部明年将推出两套创新的55nm工艺模型,对成本、上市时间和功耗极其敏感的消费终端ASIC设计意义重大。
2011-11-21 NFC芯片启动微型布局 实现行动付款/兼顾轻薄设计
随着ISIS联盟与Google两大阵营于北美地区力推行动付款机制,带动手机导入近距离无线通讯(NFC)功能呼声四起;包括恩智浦(NXP)、英飞凌(Infineon)及意法半导体(ST)等晶片商均已采用65奈米(nm)制程开发单颗NFC晶片,积极卡位先期市场。
2011-10-26 盛美半导体设备推出无应力抛光集成设备
盛美半导体设备(上海)有限公司,日前推出最新的半导体制造设备——无应力抛光集成设备(the Ultra SFP)。该设备能够对65nm及以下的铜互联结构进行无应力、无损伤抛光。
2011-10-24 Spansion FL-S NOR闪存将DDR读取速度提升20%
对于不断变化的串行闪存市场,客户正在从原先的低密度、低性能、低成本解决方案向高密度、高性能的解决方案转变。Spansion公司针对市场上的需求,推出了全新的、业界最快串行闪存产品—65nm Spansion FL-S NOR闪存系列。该系列产品拥有较同类竞争方案提升20%的更快速的双倍数据率(DDR)读取速度。
2011-09-27 Spansion推出业界最快串行闪存:Spansion FL-S
Spansion公司日前宣布推出业界最快串行闪存产品——65nm Spansion FL-S NOR闪存系列。
2011-04-01 中国半导体现实的机会在成熟工艺
就目前国际半导体制造工艺成熟与否而言,65nm应该是个公认的分界点,毕竟进入65nm以下技术节点者已大为减少,而以中芯国际为代表的中国半导体制造水平及能力,则刚完成65nm工艺的批量化生产,另一条华力微65nm生产线还在建设当中。而国际上半导体最新工艺已经在向32/28nm挺进。
2011-03-22 上海华力采用明导国际 Calibre RET方案
明导国际日前宣布,由中国政府、上海联创投资管理有限公司、上海华虹(集团)有限公司、上海宏力半导体制造有限公司以及上海华虹NEC电子有限公司等合资成立的晶圆代工企业上海华力微电子有限公司采用了Calibre RET 和OPC计算光刻平台,以支持其65、55和45nm工艺的开发和生产。
2011-01-27 65nm嵌入式快闪平台降低动态功耗65%
美高森美公司(Microsemi Corporation)日前宣布,旗下SoC产品部门(原为爱特公司Actel Corporation)发布全新65nm嵌入式快闪平台,以用于构建公司下一代基于快闪的可定制系统级芯片(SoC)。
2011-01-01 北斗导航芯片着手产业化
目前宇芯科技采用TSMC 90nm工艺的样片已出,按照计划,采用65nm工艺的Virgo移动终端SoC芯片在2010年6月出样,当年底前量产。2011年,宇芯科技计划研发出2款~3款专用SoC,并在2012年初步形成包括北斗导航基带处理芯片、2D/3D加速芯片、P2P网络视频芯片在内的产品线。
2010-12-27 MachXO2 PLD系列树立行业低成本、低功耗新标准
莱迪思公司低密度解决方案高级产品行销经理Shantanu Dhavale介绍说,MachXO2系列产品采用了低功耗65nm嵌入式闪存工艺,与莱迪思前一代产品MachXO PLD系列相比,集成了多种功能,例如,逻辑密度增加了3倍,嵌入式存储器增加了10倍,而功耗只有19?W。
2010-12-16 Microsemi 采用Sibridge Technologies验证IP
Microsemi 公司SoC产品部工程技术总监Pierre Selwan表示:“Sibridge Technologies提供多种针对广泛类型的高速协议的DIP 和 VIP,而通过利用其全面的DIP 和 VIP产品,我们能够以快速且具成本效益的方式,在先进的65nm嵌入式快闪产品系列中成功地集成和验证这些内核的多个实例。”
2010-12-02 Altera“关键点”推动2011年的收益增长
很多业界分析师预计不断发展的FPGA市场在今年会继续增长,特别是去年全年实现了60%到65%的增长率之后。我们远远超越了整个半导体行业的预计增长率。继40 nm产品大获成功之后,我们所有产品在2010年的收益都有显著增长,我们预计会继续增长。
2010-10-20 基于IF228/IF206的CMMB解决方案分析
2010年 5月,创毅视讯发布了全球首款65nm超低功耗、高集成度CMMB解调芯片IF206和IF228,这两颗芯片支持硬解扰、尺寸仅为5X5mm。它们分别是IF202和IF208的升级产品,与业界同类芯片相比,在抗干扰能力、接收灵敏度以及降低开发难度上均有很强的优势。本文主要介绍 IF228/IF206的技术特点及其典型应用方案。
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