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512Kb
本专题为EDN China电子技术设计网的512Kb专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与512Kb相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
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2014-08-01 新唐科技重磅推出Cortex-M4微控制器NUC472系列
2014年7月24号,新唐科技重磅推出全新NuMicro家族旗舰成员NUC472系列。NUC472系列以先进半导体制程,整合ARM Cortex- M4F内核,带有数字信号处理单元与浮点运算单元、高容量闪存 512KB、配备工业级Ethernet 10/100 MAC、工业级USB OTG/HS 设备,集成对称性加解密算法硬件加速器于一身,能以极低成本快速开发各类应用,因此特别适合工业网络控制、现代化节能电机及马达控制。
2014-03-12 瑞萨电子推出集成大容量闪存和SRAM的32位通用微控制器
瑞萨电子面向物联网应用推出集成大容量闪存和SRAM的32位通用微控制器,RX64M MCU集成4MB闪存和512KB SRAM, 实现了卓越的连通性和高性能,适用于工业设备及其他物联网应用。
2011-03-25 Atmel推出带512KB嵌入式闪存微控制器
爱特梅尔公司(Atmel? Corporation)日前宣布推出带有512KB嵌入式闪存的Atmel UC3C AT32UC3C0512C AVR? 微控制器。作为专注于汽车电子行业的微控制器供应商,爱特梅尔继续为市场带来新的符合汽车市场品质要求的微控制器(MCU)解决方案。
2011-03-21 爱特梅尔推出马达控制应用32位AVR MCU系列
爱特梅尔公司(Atmel Corporation)宣布推出带有512KB嵌入式闪存的Atmel UC3C AT32UC3C0512C AVR? 微控制器。作为专注于汽车电子行业的微控制器供应商,爱特梅尔继续为市场带来新的符合汽车市场品质要求的微控制器(MCU)解决方案。
2010-10-27 ST提升入门级32位微控制器的性能和价值
意法半导体(ST)提升入门级32位微控制器的性能和价值,STM32超值大容量系列微控制器为用户提供高达512 KB闪存和 144引脚封装,支持成本敏感型终端产品升级换代。
2009-04-07 Ramtron发布高功效512Kb和1Mb V系列串口F-RAM存储器
Ramtron International Corporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品,这些F-RAM器件提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性
2008-11-19 Ramtron在V系列品线中增添串行512-Kb F-RAM
Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性
2008-05-26 ST大幅扩展STM32微控制器产品系列 使32位微控制器的设计更灵活
2008年5月26日,意法半导体(ST)宣布其改写市场结构的32位STM32系列微控制器,在系统可伸缩性和外设选择性方面全面升级。ST推出扩展升级的STM32系列产品线,新系列配备最高达512KB的片上闪存、存储空间更大的SRAM和更多的外设功能,以用于显示、声音、存储和高级控制。
2008-03-31 杰得发布自主音频格式多媒体芯片
上海杰得微电子日前在IIC-China 2008展会上展示了他们最新推出的针对便携设备以及嵌入式应用的高集成度多媒体SoC芯片A100。A100采用了双ARM7TDMI内核非对称的主从双核架构、512kB的片上高速静态存储器和杰得专有的1024点高速FFT硬件加速器。
2008-02-15 ATmegal28扩展512KB掉电保护SRAM方案
介绍一种针对实时性要求较高且处理数据量较大的系统的设计和研制方案。该方案采用高性能AVRATmegal28为其控制核心,实现访问外扩的512 KB SRAM中的数据,且在掉电时能保护外扩SRAM中的数据。外部掉电时,预警电路保护现场数据至外扩的SRAM中,由锂电池给外扩的SRAM供电;外部正常供电时,由DSl302ZN根据需要给锂电池充电。本方案经实际运行,证明其设计是可行的。
2007-09-27 基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现
NAND写回速度快、芯片面积小,特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元,一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH),多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同,通常以16页或32页比较常见。
2007-06-11 EPM570在视频采集中的设计与应用
本文采用EPM570与两片512 KB SRAM实现视频采集系统,相较于采用双口RAM、高速FIFO的缓存结构不仅价格低廉,能在时序上进行控制,还能获得720×576的实际有效分辨率,缓存效率高,占用处理器资源少。为处理器进一步进行视频压缩提供了有力的保障。
2007-05-25 爱特梅尔推出具备以太网和USB OTG功能的32位闪存微控制器
爱特梅尔公司宣布推出业界最低功耗的32位闪存微控制器系列。UC3A系列基于爱特梅尔的AVR 32 UC内核,配有512KB 的闪存、一个内置10/100以太网媒体接入控制器、一个具有OTG功能的全速USB 2.0接口,以及一个 SRAM/SDRAM 外部总线接口。
2007-04-04 用于片上非易失性存储器应用的1.5V低功耗高速相变存储模块
日立有限公司与瑞萨科技公司推出运行于1.5V电源电压的512kB(相当于4MB)相变存储模块。
2007-03-13 Atmel扩展ARM7微控制器片上闪存密度并提供256位AES加密技术选择
爱特梅尔公司现已把基于ARM7TDMI? 处理器核的AT91SAM7S、SAM7X 和 SAM7XC 系列微控制器的闪存 (Flash) 扩展为512Kb双存储库。
2007-03-08 低功耗高性能微控制器
赛恩科技推出最新的低功耗、高性能 eCOG1X 微控制器产品家族eCOG1X。eCOG1X提供 USB 2.0 OTG,10/100 以太网 MAC 和模拟输入输出等组合选项。每个组合均可选择不同的片载内存,内存最高可选 512kB,而 SRAM是24kB。
2007-02-27 日立联合瑞萨开发用于片上非易失性存储器应用的1.5V低功耗、高速相变存储模块
为了满足新一代高密度片上非易失性存储技术的需求,日立有限公司与瑞萨科技公司宣布开发出运行于1.5V电源电压的512KB相变存储模块。
2006-10-12 Ramtron推出带有高速SPI接口512Kb3V非易失性FRAM
Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性 FRAM器件 -- FM25L512,带有高速串行外设接口 (SPI)。该款器件采用8管脚微型封装,能够提高数据采集和存储能力,并且削减应用成本和PCB空间,应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。
2006-10-11 带有高速SPI接口的512Kb FRAM
Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性 FRAM器件 -- FM25L512,带有高速串行外设接口 (SPI)。该款器件采用8管脚微型封装,能够提高数据采集和存储能力,并且削减应用成本和PCB空间,应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。
2006-09-18 Ramtron 推出512Kb FRAM扩展其串口存储器产品系列
非易失性铁电存储器 (FRAM) 和集成半导体产品供应商Ramtron International 公司扩展了其串口存储器产品系列,推出带有2线工业标准串行接口的半兆位非易失性FRAM产品FM24C512,面向需要高容量的数据采集领域,如市电计量和实时配置存储服务。
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