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130nm
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2011-11-22 65nm是用来解决问题的
半导体工业的最主要特征是工艺不断进步,平均每隔几年就要升级一次,带动功耗和成本不断下降,性能不断提升。从180nm130nm,再到90nm、65nm和45nm,这些略显枯燥的数字使我们的生活正在加速进入充斥各种电子器件的数字时代。
2011-02-21 (多图) 基于门控时钟的低功耗电路实现方案
研究了门控时钟技术在130 nm工艺、基于高阈值标准单元库下的低功耗物理实现方法。详细阐述了多级门控时钟技术的作用机制和参数的设置方法,给出了基于门控时钟的后端实现流程,着重分析了插入门控时钟对时钟偏移的影响并提出解决方案。在中芯国际130 nm工艺下用synop sys公司的DC,IC Compiler,PT,VCS等工具完成物理实现。在10 M时钟下,总功耗降低22. 6%,面积也有所减小。
2010-08-10 采用200 GHz SiGe技术的高速示波器
泰克公司日前宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术,再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米(nm)硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS) foundry工艺提供了两倍于前代工艺技术的性能,能帮助推出实时带宽超过30 GHz的示波器产品。
2009-11-20 恒忆L系列(适于主流移动设备)
1.8 V 的针对主流移动设备的恒忆L系列存储器实现了无线性能与当前无线手机开发需求的恒忆StrataFlash 存储价值的融合。L系列乃世界上第一款1.8 V 多层存储单元(MLC) 器件,它为无线设计者提供如今丰富的无线应用所需的独有存储器功能组合——高性能、高密度及低功耗。借助于第四代MLC 技术及130nm 光刻技术,L 系列实现了高可靠、高性能、高效益的无线解决方案。 L系列使得无线产品具有低功耗多任务的能力。
2009-11-03 8位微控制器提供多种低功耗模式(多图)
STM8L系列以节省运行和待机功耗为特色,该平台采用意法半导体独有的超低泄漏电流优化的130nm制程,下设三个产品线均基于意法半导体的超低功耗技术平台,共计26款产品。
2009-10-31 8位微控制器提供多种低功耗模式(多图)
意法半导体(STMicroelectronics)目前宣布其首批整合其高性能8位架构的超低功耗8位微控制器STM8L系列开始量产。STM8L系列以节省运行和待机功耗为特色,该平台采用意法半导体独有的超低泄漏电流优化的130nm制程,下设三个产品线均基于意法半导体的超低功耗技术平台,共计26款产品,涵盖多种高性能和多功能应用。
2009-04-09 用户可定制的处理器
随着130nm和90nm工艺的成熟,每平方毫米的硅片面积上可以集成大约100K~200K的逻辑门,一颗面积大约50mm2的低成本芯片可以容纳5M~10M逻辑门。越来越多的SoC设计者正在试图将整个系统集成在一颗芯片上,但是他们也面临着严峻的挑战,因为传统的基于RTL的SoC硬件设计方法的缺点正日益显现出来。
2008-09-16 (多图) 满足StrataFlash嵌入式存储器要求的LDO应用电路
德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存储器(P30)。这个从J3 到 P30存储器的转变可以使系统在运行中消耗更小的总电流,因为P30 VCC电压需求降低到了1.8伏。
2008-04-16 Ramtron推出首款2兆位串行FRAM存储器
Ramtron推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器,采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口 (SPI)。
2008-03-17 MIPS提供采用深亚微米工艺的硅验证高保真音频IP
MIPS 科技宣布其采用多种深亚微米工艺和经过代工厂硅验证的 96dB 音频 IP 编解码器已获得 TSMC 90nm 和特许半导体130nm 多个工艺的硅验证。这将是全球首款真正获得深亚微米工艺硅验证超过 96db 的高保真、超低功耗和小面积的音频 IP。
2008-03-04 65nm FPGA博弈
半导体业最主要的特征是工艺尺寸不断进步,平均每2~3年就要升级一次,带动功耗和成本不断下降、性能提升。从180nm130nm,再到90nm、65nm和45nm…,这些略显枯燥的数字使我们的生活正在加速进入数字时代。当工艺进入65nm时代,FPGA厂商收获的不仅仅是关注的目光,更是新的机遇。
2007-12-08 硅片面积最小的32位可授权处理器
Tensilica公司发布了钻石标准处理器106Micro,称该处理器是目前硅片面积最小的32位可授权处理器,在130/90nm G工艺下,面积优化后的占用面积分别为0.26/0.13mm2,比ARM7和Cortex-M3都要小,性能却可达到1.22DMIPS/MHz,高于ARM9E提供的性能。
2007-11-08 Mentor Graphics发布针对SMIC 130nm G工艺流程的串行ATA PHY IP核
Mentor Graphics 在Oregon的Wilsonville总部宣布,针对SMIC 130nm G 工艺流程的串行ATA PHY IP核已经面市.这款SATA PHY IP 核将可大大加速基于SATA 存储方案产品的开发,同时降低功耗和设计规模.
2007-05-09 4兆位FRAM采用130nm工艺生产
铁电存储器 (FRAM)具有RAM级别的写入速度,能实现无限次数的擦写,还可以采用低电压进行写入。Ramtron公司推出4兆位 (MB) 130纳米FRAM存储器。
2007-04-03 英飞凌授权印度半导体制造公司(HSMC)采用130nm CMOS工艺技术
英飞凌科技股份公司与新成立的半导体公司印度半导体制造公司(HSMC)签署了谅解备忘录(MoU),英飞凌将许可HSMC使用其领先的130纳米CMOS工艺技术。
2007-04-03 英飞凌授权印度半导体制造公司采用130nm CMOS工艺技术
英飞凌科技股份公司与新成立的半导体公司印度半导体制造公司签署了谅解备忘录(MoU),英飞凌将许可HSMC使用其领先的130纳米CMOS工艺技术。
2007-03-29 TI携手Ramtron合作将FRAM技术提升至130nm工艺
德州仪器公司和Ramtron International Corporation 宣布:在 FRAM 技术发展中的创新里程碑,针对 FRAM 存储器达成了商用制造协议。
2007-03-13 电源书签
近来,看到一则新闻:葡萄牙的半导体IP(知识产权)供应商Chipidea公司推出系列Σ-Δ ADC IP核。你可以将该内核用于SoC产品设计,特别是用于便携式设备设计;可设置的分辨率高达16bit;该IP核还包含可编程的下采样(decimating)滤波器;你可以用标准数字CMOS实现该IP内核,而不受电源和衬底噪声的干扰;现在可以提供0.18μm和130nm技术的IP核;90nm和65nm技术的IP核正在开发过程中。
2006-11-23 AMIS具备1.2伏90nmFPGA转换为130nmASIC能力
AMIS已具备将1.2伏90nm FPGA转换为基于单元的130nm ASIC的能力。有了这种能力的支持,OEM就能从昂贵的高密FPGA原型制作转到更节省成本的ASIC生产。
2006-08-22 宏力代工Cypress订单扩至130nm工艺
宏力半导体(GSMC)近期表示,其为Cypress代工的可编程序单芯片(PSoC)将比预定时程提前数月出货。同时宏力指出,双方将会扩大委外代工合作,宏力将于第三季度引进Cypress的130nm工艺。
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