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全耗尽晶体管
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2014-01-09 SoC系统开发:FinFET在系统级意味着什么
家都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?
2012-10-15 利用工程加工基板实现晶体管微缩化
耗尽晶体管与传统的晶体管在结构上的区别在于,前者的沟道并不由其掺杂程度(doping level)定义,而是由其物理尺寸(physical dimensions)定义,边界由氧化物材料构成。这种结构在设计上的独特性改善了沟道的栅控制,提高了性能并缩短了栅的长度。
2012-06-06 Soitec针对平面和三维晶体管耗尽技术提出产品发展蓝图
Soitec发布了专为开发平面和三维晶体管(FinFET)而设计的耗尽(FD)硅技术的产品发展蓝图,独特的FD技术能够解决半导体行业当前所面临的挑战。
2011-02-28 平面型体硅技术仍将是22/20nm节点主流
在22/20nm制程节点,没有哪一家代工大厂会大规模采用FinFET,耗尽型SOI(FDSOI)或者多栅型晶体管。不过固态电路协会的 另外一位重要成员Intel则继续保持沉默,对其22/20nm节点计划采用哪种技术守口如瓶。
2003-09-12 新一代晶体管技术提高速度近三成
AMD向业界介绍了采用耗尽绝缘硅 (FDSOI) 技术的晶体管,AMD 的研发人员放弃业界普遍采用的多晶硅作为晶体管栅的材料,改用另一种称为硅化镍的材料,为晶体管装设"金属栅"。
2003-06-12 新一代高性能晶体管
AMD公司的研发人员在实验室内成功开发一种高性能的晶体管,其性能比目前公认的高性能PMOS晶体管高30%,这种晶体管采用AMD专有的技术,其中包括一般称为单元耗尽的绝缘硅(SOI)技术。
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