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化合物半导体
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2012-07-03 EDWARDS发布用于显示器和太阳能的真空锁室泵系列
Edwards公司宣布推出新的iXH645H干泵,新设备经过优化,适用于LED制造中使用的MOCVD工艺,以及在栅堆叠(gate stack)中使用III-V材料的化合物半导体制造工艺。
2012-07-03 EDWARDS发布用于LED和化合物半导体制造的新型真空泵
Edwards公司宣布推出新的iXH645H干泵,新设备经过优化,适用于LED制造中使用的MOCVD工艺,以及在栅堆叠(gate stack)中使用III-V材料的化合物半导体制造工艺。
2012-01-30 二极管泄漏电流及MOSFET亚阈区电流的测量
测试半导体器件和晶圆片(Wafer)常常要涉及到测量小电流。其中有些测试工作包括各种泄漏电流的测量。另一些对于晶圆片级半导体的弱电流测量则通常与介电材料(氧化物或化合物)的质量有关。这些弱电流测量工作常常使用静电计或源-测量单元。本文将介绍使用源-测量单元测量二极管的泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流(sub-thresh old current)。
2009-08-11 光纤模拟芯片市场规模将增长至4.92亿美元
在不断增长的光纤模拟芯片市场,硅 (Silicon),硅化锗 (SiGe),砷化镓 (GaAs)和磷化铟 (InP)技术各有所长,将争夺化合物半导体市场份额。
2009-08-03 半导体C-V测量基础
电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
2009-07-29 (多图) 半导体C-V测量基础
电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
2009-02-19 全球最大我国唯一的化合物半导体基地在深圳投产
全球最大、我国唯一的化合物半导体产业基地和国家半导体照明工程产业化基地今天在深圳投产。全国政协副主席白立忱出席了今天举行的世纪晶源科技有限公司首期芯片厂的投产庆典。
2008-12-25 富士通将化合物半导体部门售予住友电工
日本富士通(Fujitsu)已把所持有的化合物半导体供应商Eudyna Devices Inc.的股权出售给住友电工(Sumitomo),继续推进重组工作。富士通持有大约2,968万股Eudyna,将全部由住友电工收购。
2008-10-22 二极管泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流的测量
测试半导体器件和晶圆片(Wafer)常常要涉及到测量小电流。其中有些测试工作包括各种泄漏电流的测量。另一些对于晶圆片级半导体的弱电流测量则通常与介电材料(氧化物或化合物)的质量有关。这些弱电流测量工作常常使用静电计或源-测量单元。本文将介绍使用源-测量单元测量二极管的泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流(sub-thresh old current)。
2008-07-17 台放宽投资对PCB有何机遇?
台湾地区放宽大陆投资上限,对环氧树脂印刷线路板(PCB)产业有何影响?中国环氧树脂行业协会专家分析表示,首先电子零组件产业对大陆投资方面,受40%投资限制的影响。电子零组件为电子工业发展之基础,依材料或产品特性可分为五大类,分别为化合物半导体组件(CompoundSemiconductor)、被动组件(Passive Component)、印刷电路板(PrintedCircuitBoard)、接续组件(ConnectionComponent)及能源组件(EnergyComponent)等5大类。
2008-06-06 昆山高新区新签手机主板生产大单 拉长半导体产业链
近日,昆山高新区化合物半导体产业基地和美国弗莱吉科技公司签约,由该公司在产业基地投资9800万美元生产手机主板。至此,高新区以化合物砷化镓为材料的半导体晶圆设计、研发、中试、制造和销售完整产业链初步形成。面对新形势,昆山高新区迎难而上,创优服务,扩大招商,不断突破。
2008-05-22 2008年第一季台湾电子零组件产业回顾与展望

 2008年第一季中国台湾电子零组件海内外产值为新台币1,729亿元,较2007年同期成长11%。在两岸分工部分,台湾生产比重为58%。就个别产业分析,化合物半导体组件产值新台币146亿元,较去年同期成长30%;被动组件产值新台币308亿元,较去年同期成长21%;印刷电路板产值新台币806亿元,较去年同期成长6%;接续组件产值约新台币310亿元,较去年同期成长9%;能源组件产值新台币160亿元,较去年同期成长9%。

2008-05-07 化合物半导体衬底市场雄厚 2012年市占率将达0.84%
Yole Developpement预测,到2012年GaN、蓝宝石和GaAs衬底市场雄厚,化合物半导体的发展大大将削弱硅在整个晶片领域的地位。
2007-11-20 世纪晶源首期一厂建成投产
位于深圳市光明新区的世纪晶源科技有限公司暨国家化合物半导体产业基地首期一厂近日投产。已投产的一号厂房生产半导体微波外延片、激光器外延片、LED外延片、激光器件等化合物半导体上游产品。
2007-08-28 Intel研发高管展望化合物半导体前景
Intel(英特尔)化合物半导体研究主管Mike Mayberry日前在Intel的网站上发布了近期化合物半导体的研究进展。同时,他就镓、砷、铟和锑化物对未来Intel集成电路发展的重要性展开讨论。
2007-07-13 中显3T-VGF法砷化镓单晶棒试产成功
中显机械有限公司正在研发生产国际上发展最快的新材料—第二代化合物半导体材料砷化镓单晶。不久前,该公司拥有自主知识产权的3T-VGF法砷化镓单晶棒小试产品经国内权威机构认定,关键技术创新点为国内首创。
2006-09-30 国内首条砷化镓化合物芯片生产线落成 年产能4.2万片
由南京国芯半导体公司投资2980万美元的4英寸砷化镓化合物半导体芯片工业生产线,19日在南京高新区竣工。这是我国首条砷化镓化合物半导体芯片工业生产线,年生产能力为4.2万片。
2005-10-02 信源/器件测试仪实现更快速及更智能化
由Keithley公司提供的SourceMeter 2600系列测试仪,旨在降低硅芯片与化合物半导体等电子器件厂家的测试成本。
2003-06-12 可节省60%电路板面积的廉价DDR终端稳压器
LEDtronics公司的分立式紫外线LED采用先进的半导体化合物材料组合,可发出370nm、390nm、395nm、400nm、405nm和410nm六种波长的紫外线。这些LED功耗很小,针对不同器件有窄发射角和宽发射角之分。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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