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高共模抑制比
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2014-06-20 力科发布HVD系列高压差分探头
Teledyne LeCroy发布应对电力电子环境测试挑战的高压差分探头,新型高压差分探头在很宽的频率范围内提供了很共模抑制.
2011-12-15 德州仪器推出业界最高精度差动放大器INA149
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出业界最高精度差动放大器,充分满足高达 +275 V 共模电压应用需求。该 INA149 支持 100 dB最佳共模抑制 (CMRR),与同类竞争产品相比,可将整体测量精度提高 1 倍,是首款可在125 摄氏度的高温环境下具有 90 dB最低 CMRR 性能的高电压差动放大器。此外,该放大器与同类竞争产品相比,还可在将初始增益误差降低 33% 的同时,将压摆率提高 1 倍,从而可加快响应时间,增强整体系统性能。
2010-02-26 (多图) 仪表放大器电路设计
仪表放大器电路以其高输入阻抗、共模抑制、低漂移等特点在传感器输出的小信号放大领域得到了广泛的应用。在阐述仪表放大器电路结构、原理的基础上,基于不同电子元器件设计了四种仪表放大器电路实现方案。通过仿真与实际电路性能指标的测试、分析、比较,总结出各种电路方案的特点,为电路设计初学者提供一定的参考借鉴。
2009-05-06 (多图) 智能人体心率检测装置的设计
介绍一种以AT89C2051为控制核心的智能人体心率检测装置的设计方法。利用光电传感器采集人体脉搏信号,经过前置级放大、滤波、积分比较等信号处理电路,将其转换成脉冲电压信号,再利用单片机对脉冲信号进行处理计算出心率并显示。由于传感器信号十分微弱,其幅度一般在微伏到毫伏的数量级范围,且夹杂着各种噪声和干扰,因此要求前置级放大电路具有高增益、共模抑制等技术指标。实验结果表明,系统硬件、软件设计方案合理,实现了微小信号放大、显示及报警功能。具有测量灵敏度高、实时性好、性价比高等优点。
2008-12-26 (多图) LDO线性稳压器中高性能误差放大器设计
本文设计的误差放大器为带共源共栅电流镜负载的共源共栅差分运算跨导放大器。它应用在一款超低功耗的LDO线性稳压器中,采用共源共栅差分结构,提高了 PSRR,低频达到119dB。同时,该放大器具有共模抑制(CMRR),低频达到106dB,静态电流不超过0.62μA。
2008-03-03 (多图) 新型脑电信号放大检测电路的设计
通过对前置放大器等电路结构的精心设计,选用超低噪声的集成运算放大器以及线性光耦合器等新器件,克服了脑电信号采集中常遇到的一些困难,使前置放大器具有较共模抑制,从而能够较好地放大检测出的脑电信号。通过Pspice仿真软件,有助于电路的设计和调试。
2007-10-16 (多图) 在低电压实现共模抑制的仪表放大器
现代的电池电压为3~3.6V,这就要求电路能在低压下高效工作。本设计提出的一种交流耦合仪表放大器,具有很大的共模抑制(CMRR)、很宽的直流输入电压容限以及一阶高通特性。
2007-09-03 采用测量放大电路推动的功放
放大器的前级采用了测量放大器电路,特点是运算精度高、输入阻抗,增益容易调节,具有优良的共模抑制以及低失调低温漂等。
2007-07-30 (多图) 在低电压下实现共模抑制仪表放大器
现代的电池电压为3~3.6V,这就要求电路能在低压下高效工作。本设计提出的一种交流耦合仪表放大器,具有很大的共模抑制(CMRR)、很宽的直流输入电压容限以及一阶高通特性。
2006-05-11 双通道仪表放大器
美国模拟器件公司(ADI),推出采用16引脚4mm×4mm超小型芯片级封装的双通道仪表放大器AD8222,此产品能完全达到差分工作性能指标的仪表放大器标准。并且其共模抑制(CMR)同类产品40dB,封装尺寸小50%。
2006-03-07 高频下保持输出阻抗的双极电流源
基于仪器和运算放大器的传统??电流源和电压/电流转换器在低频下提供很的输出阻抗,这是因为放大器具有良好的低频 CMRR(共模抑制)。在较高频率下,降低的 CMRR、固有的输出电容、转换率的局限性阻止了高质量电流源的实现。
2005-11-17 新型的高性能生物电放大器
生物电信号十分微弱,在检测生物电信号的同时存在强大的干扰,如工频50Hz和极化电压等干扰。前者主要是以共模形式存在,幅值可达几V甚至几十V,所以生物电放大器必须具有很共模抑制。后者是由于测量电极与生物体之间构成化学半电池而产生的直流电压,最大可达300mV,因此,生物电放大器的前级增益不能过大,或者需要采用超低频的交流放大器。
2004-10-07 飞兆半导体公司推出绝缘电压逻辑门光耦合器FOD2200
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新低输入电流逻辑门光耦合器FOD2200,在宽广的电源电压范围内提供行业领先的高绝缘电压 (5kV rms) 功能。FOD2200具有1kV/μs的共模抑制 (CMR) 和高磁滞输出电压,该器件的低IF (最少1.6 mA) 和宽VCC 范围 (4.5V~20 V) 不仅能降低功耗,还可与TTL、LSTTL和CMOS逻辑器件相容,其它特性包括可在0℃ ~85℃范围内保证良好的电气和开关效能,以及最大300 ns的传播延迟。
2004-08-30 CMRR极大的精密电平移位电路
大多数设计人员都使用运算放大器和 1% 公差的分立电阻器制作电平移位器。分立电阻器失配会将运算放大器的 CMRR(共模抑制)限制在 40 dB以下,所以你就不能在要求CMRR很的电路中使用运算放大器。差分放大器包含精密匹配的内部电阻,所以诸如INA133 等IC均能很容易地达到大约 90 dB的CMRR。
2004-01-30 (多图) 可在低电压下实现共模抑制的仪表放大器
现代的电池电压为3~3.6V,这就要求电路能在低压下高效工作。本设计提出的一种交流耦合仪表放大器,具有很大的共模抑制(CMRR)、很宽的直流输入电压容限以及一阶高通特性。这些特性大多是由高增益第一级设计提供的。电路采用普通参数值和普通容限的元件。
2003-11-11 飞兆半导体推出具备出色的共模抑制性能的全新超小型高速光耦合器系列
飞兆半导体公司推出全新高速晶体管光耦合器系列中首两款产品FODM452和FODM453,提供业界最佳的共模抑制 (CMR) 性能和最小的封装外形。新产品的独特共面结构使得其CMR性能同类器件出30%,而5脚微型扁平封装 (MFP) 则使其体积比常用的8脚SOIC封装光耦合器减小了35%。
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