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IGBT技术
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2015-02-13 英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT
2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP5 薄晶片技术,使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。英飞凌推出新型 IGBT,将工作在 50Hz 至 20kHz 下的总功耗成功降至最低水平.
2014-11-19 IR推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台
IR推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工业应用的基准效率和耐用性.国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
2014-08-08 (多图) 应用于白家电的变频器智能功率模块(IPM)技术及方案
如今,在白家电设计中具有显著节能、低噪声和优异变速性能等特性的无刷直流(BLDC)电机应用越来越广泛。这就需要高能效的电机驱动/控制方案,变频器技术的开发旨在高能效地驱动用于工业及家用电器的电机。此技术要求像绝缘门双极晶体管(IGBT)、快速恢复二极管(FRD)这类的功率器件,以及控制IC和无源元件。智能功率模块(IPM)将这些元器件高密度贴装封装在一起。
2013-12-02 IGBT栅极驱动器具备状态监测功能,让逆变系统设计更加可靠
IGBT失效的主要原因是过温。对于低电压、小电流的逆变系统设计,技术已经非常成熟,然而,对于高电压、大电流的应用,技术难度激增。
2013-09-25 国产IGBT前景光明,突破之路曲折
随着IGBT技术的发展,IGBT已经从工业扩展到消费电子应用,成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件
2013-04-27 (多图) 如何正确地为太阳能逆变器应用选择IGBT
本文分析了太阳能逆变器应用的全桥拓扑。这种拓扑利用正弦脉宽调制技术,在高于20kHz情况下,为高压侧IGBT 进行转换。支线的低压侧IGBT决于输出频率要求,在50Hz或60Hz进行转换。若挑选最新的600V槽栅IGBT,其总功耗将会在20kHz下达到最低。
2012-11-09 (多图) IGBT在大功率斩波中问题的应用
斩波是电力电子控制中的一项变流技术,其实质是直流控制的脉宽调制,因其波形如同斩切般整齐、对称,故名斩波。IGBT是最适合斩波应用的器件,而且技术极为简单,几乎IGBT器件本身就构成了斩波电路。
2012-10-25 安森美扩充高性能沟槽型场截止IGBT阵容
安森美半导体扩充用于电机控制、太阳能及不断间电源应用的 高性能沟槽型场截止IGBT阵容,新的场截止沟槽型技术器件扩大额定电流,提供高速开关能力,用于要求严格的电源应用
2012-09-12 Microsemi扩展NPT IGBT产品系列
致力于能源、安全、可靠性与高性能领域,半导体供应商美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)系列的三款IGBT新产品面世:APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J.该产品系列的所有器件均基于美高森美的先进Power MOS 8 技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件设计用于大功率的高性能开关模式产品,比如电焊机、太阳能逆变器和不间断开关电源。
2012-02-16 (多图) 大功率变流器系统H桥低感叠层母线排设计
大功率变流器正在被越来越广泛的应用,其所使用的igbt越来越短的开关时间导致了过高的dv/dt和di/dt,这就导致了分布杂散电感对功率器件关断特性有更重要的影响。叠层母排技术可以有效抑制igbt的过电压尖峰。
2011-12-20 基于IGBT器件的大功率DC/DC电源并联技术研究
本文基于IGBT器件,利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源。该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快速控制直流电源。对该电源装置进行了仿真和实验,获得了较为满意的动静态性能。
2011-06-23 三菱电机在PCIM 2011展上推介Smart-1系列IGBT模块
三菱电机最新开发的Smart-1系列IGBT模块,将首度在6月21日至23日于上海国际会议中心举行的PCIM 2011亚洲展(展位号A78-A87)中亮相,连同其大受市场欢迎的V1系列IPM、新型PV-IPM和新型MPD系列模块,向参观者展示其强大的变频工业技术,为客户提供面积更小、损耗更低、和容量更大的功率模块。
2011-03-07 Microsemi展示行业领先的IC应用技术与高端元器件
美高森美的技术专家将现场展示广泛的集成电路应用技术与高端元器件,包括混合信号集成电路与分立半导体、射频器件、IGBT产品和MOSFET产品。
2010-11-30 被表面繁荣遮住双眼的2010中国电子
新一代信息技术、节能环保、新能源、生物产业、高端装备制造、新材料等战略性新兴产业的崛起,为微处理器、网络通信芯片、汽车电子、LED、机床电子、消费电子、生物芯片、IGBT、微电子材料等半导体技术领域发展注入新动力。但放眼望去,中国哪家半导体公司在上述领域有真正的话语权?
2010-07-27 全新.XT技术可优化IGBT模块
英飞凌全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术,可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求,并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。
2010-05-12 .XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命
英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上,推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。
2010-02-01 (多图) 智能IGBT在汽车点火系统中的应用
最新的点火IGBT、混合信号IC及封装技术,使“线圈上开关”技术所允许的种种系统优势得以实现。因此,下次当你加油提速时,可能不会想到令引擎工作的火花,但智能点火IGBT正默默地在努力工作,将你带到想去的地方。
2009-12-17 IGBT核心技术及人才缺失 工艺技术缺乏
新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国都处于全方位的落后状态。应当认识到,电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要,因此,政府应该对IGBT产业予以大力扶持。
2009-09-29 功率器件专题:汇聚功率器件的新闻、技术文章、精彩博客和论坛热贴
MOSFET、IGBT等功率器件是搭建高性能电源的基础器件,影响着电源的效率、散热、成本、EMI等。评价此类产品的重要指标有导通电阻、极间电容、寄生电容等参数,各厂商努力通过制造工艺和封装的改进来提高功率器件的性能。
2009-07-20 (多图) 新IGBT技术提高应用性能
在日益增长的变频器市场,许多厂商提供性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米(当前模块的标准尺寸)模块中使用新IGBT技术使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益。
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