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HKMG工艺
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共搜索到11篇文章
2013-01-23 中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心将展示多项集成工艺方案
致力于CMOS前沿工艺及其它硅基集成电路相关技术研究——中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心,将在IIC China 2013上展示多项集成工艺方案,包括:0.5 ?m CMOS 集成工艺方案、22 nm CMOS HKMG集成工艺方案、MEMs器件集成工艺方案、特种分立器件的工艺方案等。
2011-07-19 三星完成ARM处理器测试用芯片的流片设计
三星公司近日宣称已经和ARM,以及EDA自动化设计软件供应商Cadence Design Systems一起完成了一款基于20nm HKMG制程工艺的ARM处理器测试用芯片的流片设计工作。
2011-02-21 从成本和技术角度看高通28nm产品HKMG工艺
下一代移动微处理器krait产品系列,这款新产品由于较早地采用了28nm制程,因此引起了 各方的注意。不过,与大家的期望相反,不久前高通曾经在IDEM大会上表示其大部分28nm制程的产品并不会采用当今最先进的HKMG(金属栅极+高介电 常数绝缘层(High-k)栅结构)工艺制作,而是仍采用较为传统的多晶硅栅+氮氧化硅绝缘层(poly/SiON)的栅极结构。
2010-12-01 GF以先进与成熟工艺布局芯片代工
目前,几家全球领先的公司正在推动HKMG(High-K Metal Gate)全球标准,内容涵盖材料堆叠、制造流程、设计规则和晶体管模型等,GF称该公共平台授权的基于32/28nm Gate First HKMG产能将超过其它所有的代工厂。GF认为,采用栅极优先技术可以从40nm很快提升到28nm的晶圆生产,而采用后栅极技术者则提升的难度较大。
2010-03-29 HKMG攻防战:详解两大工艺流派之争
随着晶体管尺寸的不断缩小,HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的工艺方面,业内却存在两大各自固执己见的不同阵营,分别是以IBM为代表的Gate-first工艺流派和以Intel为代表的Gate-last工艺流派
2010-03-23 半导体业界的HKMG攻防战:详解两大工艺流派之争
随着晶体管尺寸的不断缩小,HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面,业内却存在两大各自固执己见的不同阵营,分别是以IBM为代表的Gate-first工艺流派和以Intel为代表的 Gate-last工艺流派
2010-03-23 HKMG攻防战:详解两大工艺流派之争
随着晶体管尺寸的不断缩小,HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的工艺方面,业内却存在两大各自固执己见的不同阵营,分别是以IBM为代表的Gate-first工艺流派和以Intel为代表的Gate-last工艺流派。
2010-02-24 台积电28nm制程节点将转向Gate-last工艺
去年夏季,一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定:他们将在其28nm HKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。
2009-04-17 IBM技术联盟宣布完成28nm低功耗工艺 ATi将使用
IBM、GlobalFoundries(原AMD)、特许半导体、英飞凌、三星电子、意法半导体等组成的IBM技术联盟宣布,已经完成28nm、高K金属栅极(HKMG)、低功耗Bulk CMOS半导体工艺的定义,并进行联合研发。
2009-02-19 ARM推出第一个采用32nm工艺的CORTEX处理器
ARM将在巴塞罗那移动世界大会上展示世界上第一个采用32nm高K金属门(HKMG)工艺技术生产的ARM处理器
2009-02-19 ARM推出第一个采用32nm工艺的CORTEX处理器
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