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20纳米制程
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2015-05-26 晶圆代工竞争暗潮汹涌 14纳米FinFET制程略胜一筹
虽然台积电仍是全球晶圆代工市场的龙头大厂,但为牵就苹果(Apple)这个大客户,内部压宝16纳米20纳米设备可以大部互通的产能扩充弹性优势,硬是将16纳米FinFET制程技术订为20纳米下一棒的规划蓝图。
2015-05-25 晶圆代工业市场动荡 企业激烈抢单
半导体业者表示,高通在FinFET制程世代选择三星14纳米制程作为第一供应商,有别于过去率先与台积电合作,主要原因是台积电将部份资源投入20纳米制程开发,导致16纳米FinFET制程推出时间点略晚于竞争对手,但这是对的决定,因为20纳米制程帮台积电争取到苹果A8处理器订单。
2013-07-17 Alchimer与CEA-Leti签署协作合约,以评估高深宽比TSV应用的金属化制程
Alchimer 与 CEA-Leti 签署协作合约,以评估高深宽比TSV 应用的金属化制程.湿式纳米薄膜沉积工艺能够以低持有成本提供20:1深宽比TSV.
2012-07-16 全球第一 台积20纳米下月试产
晶圆代工龙头台积电的20纳米制程预计下月试产,成为全球首家导入20纳米的半导体厂。若试产成功,将超越英特尔先前以22纳米制程生产自家处理器芯片,大幅拉开与韩国三星电子的差距,在全球晶圆代工业取得绝对优势。
2011-12-07 半导体黄金时代:台积电加紧合作迎接20纳米制程
台积电资材暨风险管理资深副总左大川日前指出,现在半导体产业正面临一个黄金时代,因应未来4G行动通讯的20纳米制程会是趋势,台积电在2012年将其中一个发展重点,摆在加速进入20纳米制程和降低成本差距,未来仍将持续创新技术,希望供货商一同抓住这个黄金的机会,与台积电携手合作创造双赢。
2011-12-07 英特尔与美光以创新巩固NAND闪存技术领导地位
英特尔公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元(MLC)NAND设备,在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存,进一步扩展了双方在NAND制程工艺技术领域的领导地位。
2011-07-29 纳米制程遇瓶颈 业者积极研发次世代存储器
随著存储器容量越来越大,NAN DFlash产业制程在进入20纳米制程后,也开始遇到瓶颈,业界在未来制作更大容量存储器上,面临是否继续发展纳米的抉择。
2011-05-12 NAND Flash大厂积极制程转换 下半年20纳米当道
2011年全球NANDFlash中,全球三星电子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市场龙头,市占率高达36.2%,紧追在后的是东芝(Toshiba),市占率达35.1%,两者合计掌握70%以上NANDFlash市场;根据市调机构TrendForce最新统计,2011年第1季NANDFlash品牌供应商的位元出货量为13%,营收成长9.9%,达53.63亿美元。
2010-04-20 三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存
据外电报道,三星电子表示,该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。
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