EDN China首页 > 高级搜索 > 双极结晶体管

双极结晶体管 双极结晶体管 搜索结果

双极结晶体管
本专题为EDN China电子技术设计网的双极结晶体管专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与双极结晶体管相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (5)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到5篇文章
2012-05-10 安森美推出高性能场截止型IGBT,用于高能效电源转换
安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的场截止型(Field Stop) 绝缘门双极晶体管(IGBT),目标应用为工业电机控制及消费类产品。
2007-07-10 ON Semiconductor推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件
全球领先的电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体推出采用先进硅技术的 PNP 与 NPN 器件,丰富了其业界领先的低 Vce(sat) 双极晶体管 (BJT) 产品系列。
2007-07-09 安森美半导体扩展高能效、低 Vce(sat) 双极晶体管产品系列
安森美半导体扩展的高能效、低 Vce(sat) 双极晶体管产品系列,包括新的封装选择,全新 PNP 与 NPN器件针对便携式电子应用实现更高的能效及更长的电池使用寿命 。
2006-11-01 安森美推出11个新型低饱和电压BJT扩展标准元件系列
安森美半导体宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。
2005-10-13 安森美推出低VCE双极晶体管 每个电路节约0.1美元成本
安森美半导体推出全新系列的高性能VCE(sat) 双极晶体管(BJT),该产品降低电路总成本,并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机, 提供更高的电源效率和更长的电池寿命。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈