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低损耗大功率
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2012-06-15 凌力尔特推出双通道理想二极管控制器 LTC4353
凌力尔特推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源 “或”,且对电源电压的干扰最小。
2011-07-31 提供低损耗大功率的MOSFET
硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。
2009-11-17 射频/微波电路中的薄膜无源器件
就在不久之前,大多数微波电容器还都基于多层陶瓷烧制技术。在生产过程中,多层高导电性的金属合金电极层和低损耗的陶瓷绝缘层交错排列,从而得到所需要的电容值。然后,将合成的叠层进行高温烧制,将其烧结成单片结构。这一工艺目前仍然很好地满足大容量射频电容器以及大功率电容器的需要。
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