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P沟道30V
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2013-07-17 Vishay利用新-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品,首款40V P沟道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET.
2013-07-17 澜起高清解码器芯片M88VS3001实现量产
Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品,首款40V P沟道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET.
2012-10-09 Vishay扩充P沟道功率MOSFET
Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V30V MOSFET具有业界最低导通电阻
2012-02-17 Vishay Siliconix推出新款P沟道30V芯片级MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET,是目前市场上尺寸最小的此类器件;而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。
2011-03-14 Vishay Siliconix发布TrenchFET功率MOSFET
采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内,新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
2010-09-18 新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活
相比上一代产品,这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力,更为客户提供广泛的导通电阻选择,以适应他们对温度和成本的要求。同时,P 沟道技术也可以简化电路设计。
2010-05-06 30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAK 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si7625DN。
2009-07-01 Vishay推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件 --- Si7145DP,将10V、4.5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。
2008-11-21 安森美半导体过压保护IC减少电路板占用空间40%
安森美半导体NUS6189新器件,将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30 V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm封装之中。
2004-07-01 瑞萨科技发布HAT1125H P沟道功率MOSFET
瑞萨科技公司发布了HAT1125H -30 V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻,用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日,将在日本开始样品发货。
2003-07-12 电源技术
可减少电池供电设备的功耗达20%的高功效CMOS放大器;采用最新工业标准引脚的电源模块;采用BGA封装低电压P沟道MOSFET;支持64位AMD Opteron处理器的电源管理系统;全新30V同步降压MOSFET芯片组;具有广泛输入范围的电源降压DC/DC控制器;全新的直流总线转换器芯片组;高性价比高功率密度DC/DC模块电源;功率高达150 kVA的自由引线二极管和晶闸管整流桥;新一代IGBT产品;尺寸更小的热插拔控制器;提供60%;通导电阻为2.7mΩ的DC/DC变换器;输出电流的DC/DC变换器
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