EDN China首页 > 高级搜索 > 三闸极电晶体

三闸极电晶体 三闸极电晶体 搜索结果

三闸极电晶体
本专题为EDN China电子技术设计网的三闸极电晶体专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与三闸极电晶体相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (2)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到2篇文章
2013-06-14 赛灵思2014 16nm量产,Altera明年投产14nm
Altera的14奈米(nm)晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。
2012-09-06 下一代手机芯片 采用22nm制程和晶体技术
英特尔(Intel)下一代手机晶片平台竞争力将更甚以往。挟制程领先优势,英特尔计划于2013年发表新一代行动装置晶片平台--Silvermont,将采用现今最先进的22奈米和(Tri-Gate)晶体技术。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈