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快速体二极管
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2014-12-19 Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
2014年12月4日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
2012-04-13 英飞凌搭载集成式快速体二极管车用650V CoolMOS CFDA树立行业能效新标杆
近日,英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA,壮大其车用功率半导体产品阵容。
2011-05-27 英飞凌推出市场领先的高压晶体管:650V CoolMOS CFD2产品
英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS CFD2,它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-15 英飞凌推出集成快速体二极管的650V MOSFET
英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS 晶体管技术不断优化,这为取得成功奠定了坚实基础。
2003-06-12 具备快速体二极管特性的全新MOSFET
国际整流器公司(IR)推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具备快速体二极管特性,专为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用量身订造。ZVS技术能在开关式电源(SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。
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