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硅通孔TSV
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共搜索到8篇文章
2013-09-04 奥地利微电子投资逾2,500万欧元建立模拟3D IC生产线
奥地利微电子投资逾2,500万欧元建立模拟3D IC生产线,对叠层晶片设备激增的市场需求证明了奥地利微电子专利硅通孔TSV)制造技术的巨大价值.
2012-04-10 FPGA双雄的TSV技术之战
在走在微细化尖端的FPGA企业的心目中,众多技术中,能够作为新一代附加值的技术是贯穿Si芯片的通孔,也就是TSV硅通孔)。
2011-08-10 半导体前工序和后工序领域存在着商机
法国元件调查公司YoleDeveloppement公司MEMS及半导体封装领域的分析师JeromeBaron这样指出:在处于半导体前工序和后工序中间位置的“中端”领域,具有代表性的技术包括晶圆级封装(WLP)及采用TSV硅通孔)的硅转接板等,潜藏着新的商机。
2011-08-10 半导体工序“中端”领域潜藏新商机
法国元件调查公司YoleDeveloppement公司MEMS及半导体封装领域的分析师JeromeBaron这样指出:在处于半导体前工序和后工序中间位置的“中端”领域,具有代表性的技术包括晶圆级封装(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅转接板等,潜藏着新的商机。
2009-07-12 Alchimer推出可降低高级硅通孔金属化成本的AquiVia沉积工艺
日前,Alchimer股份有限公司宣布,其AquiVia 低成本沉积工艺已经可以投入生产应用。与传统的干法工艺相比,采用AquiVia工艺,硅通孔TSV)金属化的总拥有成本最高可降低65%。?
2009-03-19 2009年晶圆级封装趋势
专家认为,受持续增长的移动设备和汽车应用需求的驱动,晶圆级封装(WLP)将向I/O数更高和引脚节距更小的方向发展。2009年其他需要关注的WLP趋势还包括大功率和高精度精密器件、穿透硅通孔(TSV)、扇出和嵌入式闪存。
2008-12-17 中介层在3-D集成IC中发挥重要作用
中介层(Interposer)可以在堆叠芯片中再分布互连线,它在采用穿透硅通孔TSV)的3D集成商业化进程中正扮演着越来越重要的角色,日前在日本东京附近举行的Jisso Forum 2008上有与会者这样宣称
2008-11-05 IMEC的3-D堆叠芯片和系统设计
比利时研究机构IMEC(Leuven, Belgium) 表示,他们在3-D SIC(三维堆叠芯片)技术上获得重大进展,采用直径5um的铜穿透硅通孔TSV)完成芯片与芯片(die-to-die)堆叠,并验证了该3-D芯片的功能。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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