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SiGe工艺
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2014-11-10 CMOS射频前端解决GaAs器件产能和成本问题
硅是上帝送给人类的礼物。电路板中绝大多数器件都采用体硅CMOS工艺(硅的原材料是沙子)制造,但有一个部分却难以实现,那就是射频前端。目前射频前端主要采用GaAs或SiGe工艺制造,但由于材料的稀缺性和工艺的复杂性,射频前端芯片(RFeIC)良率不高,成本太贵。这阻碍了物联网(IoT)传感器节点(单价应低于1美元)的普及。
2010-10-19 用于HSPA和LTE等高数据速率无线协议的LNA
Maxim先进的SiGe BiCMOS工艺使得这两款宽带LNA同时具有优异的性能和极为紧凑的封装。器件提供15dB增益,1.0dB的低噪声系数可实现优于分立或CMOS方案的接收灵敏度,工作在I、IV、V、VI、VII和X UMTS频段。
2010-09-29 专为UHF和VHF移动电视应用设计的低噪声放大器
Maxim先进的SiGe BiCMOS工艺使得这两款结构紧凑的宽带LNA的性能优于目前大多数竞争方案。器件提供15dB增益,支持75MHz至230MHz (MAX2665)和470MHz至860MHz (MAX2664)频率范围,具有1.1dB的低噪声系数,能够提供比分立器件和CMOS方案更高的接收灵敏度。
2010-08-27 适用于产生信号的低相噪可编程分频器
HMC862LP3E 和HMC905LP3E 是SiGe 的BiCMOS 工艺SMT 封装的低噪声可编程分频器。HMC862LP3E 输入频率在100MHz~15GHz 时可通过编程进行N=1,2,4,8 分频;HMC905LP3E 输入频率在400MHz~ 6GHz 时可通过编程进行N=1,2,3,4 分频。
2010-08-10 采用200 GHz SiGe技术的高速示波器
泰克公司日前宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术,再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米(nm)硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS) foundry工艺提供了两倍于前代工艺技术的性能,能帮助推出实时带宽超过30 GHz的示波器产品。
2010-05-24 50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品,旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。
2010-02-09 宽动态范围的功率检波器
射频微波IC厂商Hittite公司面向宽带、3G、Winmax、自动化以及4G应用领域推出了基于 SiGe BiCMOS 工艺的功率检波器HMC713LP3E。
2009-11-13 LTC6246/47/48 : 最高效率的轨至轨运算放大器在 1mA 时达到 180MHz
该系列器件运用一种节省功率的 SiGe 工艺,实现了 180MHz 增益带宽积和 90V/us 转换率,同时每放大器仅消耗 1mA 最大电源电流。这些单、双和 4 路运算放大器还具有轨至轨输入和输出、以及 4.2nV/?Hz 宽带噪声。
2008-12-01 (多图) 硅锗:快、安静且强大
SiGe 工艺可给模拟电路设计者提供大电压低噪声的快速晶体管,而 BiCMOS SiGe 则适合于 CMOS 工艺流程。
2008-11-26 基于LTCC技术的SIP研究
SIP使用微组装和互连技术,能够把各种集成电路如CMOS电路、GaAs电路、SiGe电路或者光电子器件、MEMS器件以及各类无源元件如电阻、电容、电感、滤波器、耦合器等集成到一个封装体内,因而可以有效而又最便宜地使用各种工艺组合,实现整机系统的功能。
2008-10-27 安森美半导体完整时钟解决方案满足时钟市场更高要求
安森美半导体基于在双极型、CMOS和0.18μm硅锗(SiGe)BiCMOS工艺上先进的锁相环(PLL)电路布局和设计专业技术,安森美半导体25年来一直在最低抖动和skew时钟分配性能方面领先业界。
2008-09-22 Maxim推出高度集成的ISDB-T 1段和3段硅调谐器
Maxim推出工作在VHF和UHF频段的ISDB-T 1段和3段硅调谐器MAX2163A。器件采用Maxim的SiGe BiCMOS工艺,能够以CMOS的功耗实现SiGe的性能。
2007-08-07 高精度运算放大器
高精度运算放大器OPA211采用 BiCom3HV 互补双极 36V 硅锗 (SiGe) 工艺,实现了超低噪声、低功耗、小封装尺寸以及高带宽等多种特性的结合。OPA211 是双极输入运算放大器,仅需 3.6 mA 电源电流即可实现 1.1 nV/rtHz 的电压噪声与 80 MHz 增益带宽 (GBW)。
2006-12-03 (多图) 2.4GHz动态CMOS分频器的设计
分频器是锁相环电路中的基本单元.是锁相环中工作在最高频率的单元电路。传统分频器常用先进的高速工艺技术实现。如双极、GaAs、SiGe工艺等。随着 CMOS器件的尺寸越来越小,可用深亚微米的CMOS工艺制造高速分频器。由于CMOS器件的价格低廉,因而高速CMOS分频器有着广阔的市场前景。笔者给出1种利用O.6μvmCMOS工艺制造的2.4GHz动态前置双模分频器,该分频器的最高输入频率可以达到3GHz。
2006-11-04 (多图) 高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计
??? 笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器,其工作频率为1.8GHz,工作电压为1.5V,输出功率为26dBm,并具有高效率和低谐波失真的特点,适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。为了达到设计目标,该功率放大器采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和互补型交叉耦合反馈结构。
2006-01-13 (多图) 超高速精确度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术
第三代完全电介质绝缘的互补 SiGe BiCMOS 工艺 (BiCom3) 针对超高速高精度模拟集成电路而设计。上述器件的工作电压为 5V,可在广泛的温度范围内工作,其 fT 的范围为 15-20 GHz,fmax 的值则达 40-50 GHz 的范围,并最小化了集电极到基板的寄生现象。FT 的值反应出其性能比前一代互补技术要提高近三倍。
2005-06-29 瑞萨发布环保型MMIC实现1.5dB低噪声性能
瑞萨科技公司( Renesas Technology Corp.)发布了用于5GHz频段无线网络终端的环保型SiGe工艺MMIC*1的进展,以及即将发布的用于发射功率放大的高性能HA31005和用于接收无线电波的低噪声放大器HA31006。
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