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肖特基二极管
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2014-06-17 英飞凌推出第五代碳化硅肖特基二极管
英飞凌推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管.可在单相和三相应用中实现更高效率和可靠性.
2013-09-17 (多图) 标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现
为了使串联电阻有效降低,特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管,以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿电压继续计算,最后给出能够用于SPICE仿真的模型设计。
2013-07-04 Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky) 二极管,为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积,实现双倍功率密度。
2013-05-31 降低肖特基PIN限幅器损耗
尽管使用二极管的寄生特性来降低损耗已经在自偏压PIN限幅器中提到,但从未出现在肖特基强化PIN限幅器上,本篇文章介绍了肖特基强化PIN限幅器的低损耗配置,并通过实验结果来确认它的更好性能
2013-03-19 美高森美推出符合DLA的肖特基二极管
美高森美为美国国防部后勤机构提供合格二极管产品用于高功率密度航空航天和国防领域应用,Thinkey肖特基二极管具有高可靠性和低热阻.
2013-01-25 最新电源管理产品600V CoolMOS P6和第五代thin Q!提升能源使用效率
英飞凌也推出了其第五代的thin Q!SiC肖特基势垒二极管,改进了热特性,优值系数(Qc×Vf)较前代SiC二极管降低了大约30%,可使PFC电路达到最高效率水平,并具有更高的击穿电压,达650V(第二代和第三代都为600V)。
2013-01-08 罗姆无肖特基势垒二极管SiC-MOS模块开始量产
业界首家!无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产,支持1200V/180A,大幅降低逆变器电力损耗.
2012-11-22 Microsemi新肖特基二极管提升电气功率转换效率
Microsemi新型SiC肖特基二极管提升电气功率转换效率,新器件瞄准大功率高压工业应用.
2012-11-02 Diodes肖特基二极管节省空间高达66%
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型无引线DFN0603封装的肖特基二极管
2012-11-02 罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管
罗姆开发出业界顶级的超低VF小型肖特基势垒二极管,小型封装实现大电流化,有助于智能手机等更加节省空间
2012-10-11 英飞凌第五代肖特基势垒二极管
英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管,壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。
2012-06-26 (多图) 罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。
2012-06-15 凌力尔特推出双通道理想二极管控制器 LTC4353
凌力尔特推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源 “或”,且对电源电压的干扰最小。
2012-06-08 生产汽车用更小尺寸功率MOSFET及肖特基二极管的封装挑战
半导体研究及开发开始极为着重于实现省电及节省能源支出,将更好的功率MOSFET及肖特基二极管方案用于汽车。一种新的表面贴装封装正在兴起,这种封装具有应对此需求的必要特性。
2012-06-01 凌力尔特推出高压理想二极管控制器LTC4359
凌力尔特公司 (Linear) 推出高压理想二极管控制器 LTC4359,该器件为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案,同时拥有适合汽车、航空电子及太阳能应用的重要特性。
2011-12-30 用自供电的运放建立一个低泄漏整流器
用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。
2011-11-11 Linear推出单片双通道电源通路理想二极管LTC4415
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出单片双通道 4A 电源通路 (PowerPath) 理想二极管 LTC4415,该器件为减少热量、压降和占用的电路板空间而设计,同时可在电源切换电路中延长电池运行时间。对于那些需要理想二极管“或” (Diode-ORing) 功能以实现负载均分或在两个输入电源之间自动切换的应用而言,LTC4415 是理想的选择。LTC4415 的超低 15mV 正向电压显著低于肖特基二极管的正向电压,因此可延长电池运行时间,并扩大工作电压范围,同时确保在电源切换时无振荡。很低的 50m欧姆导通电阻可降低功耗并减少热量。
2011-10-17 ST推出新款高压肖特基整流二极管:STPS60SM200C
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出新款高压肖特基整流二极管,有助于提高电信基站和电焊机等设备的效能和稳健性。
2011-03-21 Diodes整流器提升效率并缩减体积
Diodes公司推出采用紧凑PowerDI5封装的额定12A和15A器件,扩展了其专利的超势垒整流器(SBR)系列。新器件可用作空间有限的开关模电源设计的输出整流器,具备超低正向压降特性,无论在效率或冷却运行方面都超过了标准肖特基二极管
2010-12-09 2.1MHz汽车应用降压转换器
MAX16903/MAX16904集成高边和低边FET,无需外部肖特基二极管,在提高电源效率的同时,有效节省空间和成本。此外,这种架构允许器件工作在跳脉冲模式,以降低电流损耗;或者是强制PWM模式,以改善EMI性能。器件具有漏极开路、电源就绪输出,简化了电源排序设计。
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