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功率开关器件
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2014-10-14 电源新手福利:半桥电路的工作原理及注意问题
半桥电路由两个功率开关器件组成,它们以图腾柱的形式连接在一起,并进行输出,提供方波信号。本篇文章将为大家介绍半桥电路的工作原理,以及半桥电路当中应该注意的一些问题。
2012-07-24 英飞凌推出面向航空应用的抗辐射加固型MOS开关器件
英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型(RH)功率MOS器件拥有出类拔萃的性能,可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。
2011-05-31 英飞凌推出两个型号的600V RC-D快速IGBT
在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会上,英飞凌科技600V逆导型(RC)IGBT家族的两名新成员闪亮登场。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。
2011-02-24 PWM控制器UC3825在1MHz/100W功率信号源中的应用
介绍了一种正弦波功率信号源电路,该电路用高速双路PWM控制器UC3825为控制芯片,功率MOSFET为开关器件而构成的推挽逆变器,逆变器输出经高频LC滤波后输出1MHz/100W正弦波功率信号。实验证明电路产生的波形质量好,电路结构简单,控制方便,并具有体积小,效率高的特点。
2010-10-30 IR2132驱动器及其在三相逆变器中的应用
美国国际整流器公司生产的专用驱动芯片IR2132只需1个供电电源即可驱动三相桥式逆变电路的6个功率开关器件,可以使整个驱动电路变得简单可靠。
2010-06-24 高压并联式混合型电网高次谐波有源滤波装置
文中详细介绍了该装置的大容量有源滤波器的主回路设计、功率开关器件的选用、谐波电流检测及补偿信号控制的数字模拟混合技术、滤波装置的并联运行仿真及实际工业运行效果等方面。该装置的鉴定测量结果为:实测补偿容量达508.1kVA以上,超过设计值480kVA;空投损耗为额定补偿容量的0.12%;动态响应时间小于0.3ms;投运后的母线电压畸变率为1.3%~1.5%,比原来的电压波形总畸变率下降1.5%;功率因数从0.75上升到0.93以上。
2010-06-12 集成式USB开关减少电路板占位空间
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)专注开发提升用户满意度以及使产品取得市场成功的模拟和功率功能,为手机设计人员提供一款集成有无电容耳机音频放大器的自动选择高速USB开关FSA2000,这是业界首款同类型集成式USB开关器件,而且能够减少元件数量、电路板占用空间并降低材料清单(BOM)成本。
2009-10-15 功率器件在静止变频技术中的应用
随着20世纪90年代初电力电子器件的发展,目前国内中频电机组正呈被淘汰的格局,静止变频设备开始大量使用。80年代、90年代,国内静止变频基本上采用晶闸管作为功率开关元件,工艺水平基本上以8KC为上限。到2000年,国内开始出现采用IGBT作为功率开关器件的变频技术,工作频率可达20KC,功率可达300KW。
2009-01-06 (多图) LLC型串并联谐振变换器参数分析与运用
功率谐振变换器以谐振电路为基本的变换单元,利用谐振时电流或电压周期性的过零,从而使开关器件在零电压或零电流条件下开通或关断,以实现软开关,达到降低开关损耗的目的,进一步提高频率,因此得到了重视和研究。
2008-07-17 基于IGBT的电磁振荡设计
IGBT是绝缘栅极双极型晶体管。它是一种新型的功率开关器件,电压控制器件,具有输入阻抗高、速度快、热稳定性强、耐压高方面的优点,因此在现实电力电子装置中得到了广泛的应用。在我们的设计中使用的是西门子公司生产的BSM50GB120,它的正常工作电流是50A,电压为1200V,根据具体的情况需要,还可以选取其它型号的IGBT。
2008-04-29 (多图) 适合于宽负载条件运行的有限双极性软开关DC/DC变换器
研究了一种适合宽负载条件运行的有限双极性控制方法并配合饱和电感和隔直电容实现ZVZCS PWM的全桥变换器,分析了其工作过程及主开关器件实现ZVZCS的约束条件。最后通过具体的功率实验.验证了该控制方法在较宽负载范围条件下实现软开关的能力。
2006-12-14 (多图) 基于SG3525A和IR2110的高频逆变电源设计
本文采用电压脉宽型PWM控制芯片SG3525A,以及高压悬浮驱动器IR2110,用功率开关器件IGBT模块方案实现高频逆变电源。另外,用单片机控制技术对此电源进行控制,使整个系统结构简单,并实现了系统的数字智能化
2006-12-01 飞兆半导体推出采用3x3平方毫米MLP封装的UltraFET系列器件
飞兆半导体公司成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (MLP) 的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。
2006-12-01 采用3x3平方毫米MLP封装的UltraFET系列器件
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (MLP) 的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。
2006-03-29 (多图) 电源电磁干扰分析及其抑制
功率开关器件的高额开关动作是导致开关电源产生电磁干扰(EMI)的主要原因。开关频率的提高一方面减小了电源的体积和重量,另一方面也导致了更为严重的EMI问题。如何减小产品的EMI,使其顺利通过FCC或IEC1000等EMC标准论证测试,已成为目前急须解决的问题。
2004-12-01 (多图) SKAI模块:先进的集成电气驱动系统
SKAI模块(赛米控先进技术集成)是实现电源由直流到三相交流转换的逆变系统,它包含了为提供所需质量与数量的电能负载所必须的所有元件。这些SKAI驱动系统核心目标是在汽车上的应用,其覆盖的直流电压范围为42V~900V,功率等级从15kW~250kW。SKAI驱动系统主要的功能如下:三相逆变装置中的功率半导体开关、与存储电容的直流链接、电流传感器/温度传感器/电压传感器、开关器件的门极驱动、控制器、总线接口、电子器件以及冷却系统的电源。
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