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功率开关技术
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2015-07-14 GaN技术和潜在的EMI影响
GaN功率开关的价值很明显,效率也比MOSFET来得好。虽然GaN技术已问世,但我只看到少部分数据谈论这些皮秒开关装置如何影响产品EMI的发生。底下我列出了一些参考,以及在使用GaN组件时,会“扫大家兴”的部分,但我相信有更多研究需要去完成EMI会发生的后果,至于EMI工程师与顾问在未来几年也将可望采用GaN组件。
2013-06-27 恢复反激变压器的漏泄能量
对正向转换器上变压器消磁的传统方式是,采用第二个绕组,它与初级绕组双线绕制,这样当功率开关切断时,就可以确保磁化电流持续流过。这种电路一般会将场效应晶体管(FET)的漏源电压限制或箝位在两倍于直流电源轨电压。这种采用恢复绕组的技术同样可以成功地用于反激结构中,以解决漏电感的问题。
2011-04-27 飞兆半导体推出功率开关(FPS)技术:FSL1x6
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FSL1x6系列绿色模式飞兆功率开关 (FPS)器件,这些集成式PWM控制器带有专有的绿色模式功能,提供了先进的间歇模式控制,并在间歇模式下关闭部分功能模块减小控制器自身操作电流,从而最大限度地降低待机功耗。
2011-03-17 (多图) 数控直流稳压电源设计
随着新型电力电子器件和适于更高开关频率的电路拓扑的不断出现,传统应用技术,由于功率器件性能的限制使开关电源性能的影响减至最小,新型的电源电路拓扑和新型的控制技术,可使功率开关工作在零电压或零电流状态,为了提高开关电源工作效率,设计出性能优良的开关电源,十分必要。
2011-03-15 基于软开关技术的PWM变频调速系统
由于功率开关管并不是理想开关,开通和关断都需要一定时间,在这段时间里,在开关管两端电压(或电流)减小的同时,通过的电流(或电压)上升,形成电压和电流波形的交叠,从而产生了开关损耗。本文介绍一种采用软开关技术的PWM变频调速系统,使开关损耗大幅减小。
2010-10-20 智能热点防护技术再生被损耗的太阳能
与传统的二极管解决方案不同的是,当太阳能光伏(PV)面板发电时,SPV1001集成的功率开关的泄漏电流几乎为零。意法半导体的BCD6芯片制程是这款高效能功率器件与逻辑控制电路二合一芯片的关键技术。
2009-05-13 (多图) 使用功率开关提高效率
通常,高频率运作的开关电源(SMPS)允许使用小型无源组件,而硬开关模式则会引起开关损耗增大,为了降低高开关频率下的开关损耗,业界开发了诸多软开关技术,其中负载谐振技术和零电压转换技术都获得广泛使用。
2006-09-28 飞兆半导体MicroFET?产品提供最广泛的低电压应用
飞兆半导体公司推出11种新型MicroFET? MOSFET产品,提供业界最广泛的的散热增强型超紧凑、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件,面向30V和20V以下的低功耗应用,包括移动电话、数码相机、游戏机、远程POS终端,以及其它大批量的便携式产品。这些产品需要空间优化和为了延长电池寿命和保证可靠性而需要优秀的散热和电气性能。MicroFET功率开关结合飞兆半导体的先进PowerTrench? 技术和业界标准的模塑无铅封装 (MLP),因此,较之于传统使用大型封装的功率MOSFET,MicroFET 器件在散热性能和节省空间方面有着显著优势。
2004-11-04 飞兆半导体推出创新智能功率开关技术
飞兆半导体公司针对汽车产品开发推出先进的智能功率开关技术,提供多芯片解决方案,结合了公认的功率分立元件技术、控制集成电路技术和创新封装技术。
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