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高功率晶体管
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共搜索到16篇文章
2016-05-05 采用氮化镓晶体管取得更高功率密度和效率的48V通信直直变换器
本文对比了采用氮化镓晶体管和最新一代MOSFET电路取得的不同效率,同时就电路设计细节和相关测试结果展开了讨论。
2013-10-12 美高森美推出新型750W RF晶体管
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管为航空应用提供无与伦比的高功率性能,新器件适用于商用和军事、地面和机载、二次监视雷达,以及防撞空中交通管制设备。
2013-08-22 采用RF功率放大器实现下一代无线系统
为了将基站SMPA中使用的高功率晶体管与发射器的所有数字CMOS模块相连,需要能够生成高压(HV)摆幅的宽带RF CMOS驱动器。这样不仅能实现更优的高功率晶体管性能,而且还能将数字信号处理直接用于控制所需的SMPA输入脉冲波形,从而提高系统整体性能。
2013-08-09 东芝推出低功耗MOSFET用全新器件结构
东京—东芝公司宣布使用CMOS兼容工艺开发高功率增益晶体管。该晶体管可有效降低高频射频/模拟前端应用的功耗。
2012-07-11 英飞凌推出高功率密度和高可靠性的射频功率LDMOS晶体管
英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管
2011-09-27 IR推出一对高效可靠的超高速IGBT
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ,该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。
2011-09-02 Premier Farnell与SemiSouth签署全球分销协议
Premier Farnell plc日前宣布与SemiSouth Laboratories, Inc.签署全球库存分配协议。SemiSouth 是领先的碳化硅 (SiC) 二极管和晶体管技术制造商,可进行高功率、高效率、苛刻环境下的电源管理和转换应用。
2010-05-28 高功率“绿色”基站RF晶体管放大器系列
TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G/4G无线基站TriPower射频集成电路系列。
2010-04-13 替代传统陶瓷封装的下一代RF功率晶体管塑料空气腔封装
意法半导体发布创新的塑料空气腔封装。与陶瓷封装相比,新封装可使高功率射频晶体管实现更高性能和成本优势,高功率射频晶体管主要用于收发器、广播设备和核磁共振成像(MRI)扫描仪。
2010-02-28 (多图) 功率晶体管助高效率、高功率密度转换器实现
在新式发电/节能技术及装置的背后,高频切换电源转换器扮演着极重要的角色。高频切换电源转换技术,乃是利用半导体功率组件以“高频切换”方式,结合各式能量转换组件如变压器、储能组件如电感及电容,达到高效率、高功率密度的要求。
2008-05-20 中国学生发明新晶体管技术震惊世界
国外媒体报道,美国伦斯勒理工学院中国博士生WeixiaoHuang发明了一种新的晶体管技术,新晶体管技术有望取代高功率和高温电导特性的硅晶体管,新晶体管技术目前已经引起了美国和日本一些大汽车公司的注意。
2006-06-26 英飞凌下一代LDMOS工艺采用高性能塑料封装功率密度提高25%
在MTT国际微波研讨会上,英飞凌科技股份公司展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管
2006-03-07 碳纳米管从高性能放大器中吸收热量
Fujitsu宣称将使用碳纳米管,用于在下一代基站的高频率、高功率放大器中散热。因为传统面朝上的封装技术存在电感对放大倍数的限制,设计者通常对这样的放大器采用倒装晶片(flip-chip)封装。但是按照该公司的说法,在flip-chip方案中连接放大器到印制板的金属管脚不能为高功率晶体管提供充分的散热。
2005-12-01 飞思卡尔推出高功率LDMOS晶体管 具备出色射频性能
随着能源价格的不断上涨,广播行业开始寻求减少电源消耗和运营费用的创新方法。针对这种市场需求,飞思卡尔半导体推出超高效的射频功率晶体管
2005-05-04 CoolMOS CS服务器高压功率晶体管应用高端电源
CoolMOS CS服务器系列高性能功率晶体管是英飞凌科技公司(Infineon)专门为计算机服务器,以及通信设备、平板显示器等其他高功率密度应用而设计的。
2005-04-22 飞思卡尔推出超高效的高功率LDMOS射频晶体管
飞思卡尔半导体(NYSE:FSL,FSL.B)推出超高效的射频功率晶体管
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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