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MOS晶体管
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共搜索到11篇文章
2012-03-21 (多图) MOSFET结构及其工作原理详解
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET。
2012-02-09 基于智能功率技术的荧光灯驱动电路设计
在照明应用电子变换器实现中,成本制约因素驱动着技术的选择。除下文要介绍的创新的纵向智能功率(VIPower)解决方案外,市场上还存在另外两种不同的经典方法。第一种方法是基于IC器件,与若干个外部无源器件一起,驱动两个高压(通常高于400V)功率MOS晶体管,实现一个半桥变换器。
2010-03-21 宽带功率放大器的设计
为了正确匹配,采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值,然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计,并使用ADS对设计的放大器进行仿真和优化。
2009-03-12 该如何避免轨到轨CMOS放大器的不稳定性
从数十年前被发明以来,MOS晶体管的尺寸已经被大大缩小。门氧化层厚度、通道长度和宽度的降低,推动了整体电路尺寸和功耗的大大减少。
2008-04-21 飞思卡尔450瓦RF功率晶体管为UHF广播应用提供前所未有的峰值功率
飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。
2008-04-17 飞思卡尔半导体推出50伏横向扩散RF功率晶体管
飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。
2007-09-20 45纳米后,摩尔定律还能坚持多久?
自1970年发明MOS工艺及73年推出CMOS工艺以来,至今还没有发现可替代它的工艺,足见CMOS工艺的经济合理性。因此,至今硅基材料的应用仍在继续延伸。然而,在晶体管工艺制造中采用二氧化硅作为栅极材料,实质上已逼近极限。
2007-06-07 (多图) 功率场效应晶体管MOSFET
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
2004-09-01 元器件
激光二极管驱动器;PicoGate逻辑器件;具有上电保护功能的并口收发器;超低功耗逻辑产品;低通态电阻MOS晶体管
2003-11-19 意法半导体推出低通态电阻MOS晶体管
意法半导体推出一个新型N沟道场效应MOS晶体管,新产品的通态电阻RDS(on)极小,栅电荷和热阻也同样很低。因为这些特性得到了优化,所以新器件特别适合强流直流-直流变流器应用。
2003-09-12 MOS场效应晶体管降低串扰对模拟开关的影响
有些经济实惠的模拟复用器/去复用器集成电路,如CD4053和CD4066,经常被用作信号分配器。这些数控模拟开关都具有很低的导通电阻。但是,在所有信道都在同一封装之中的情况下,串扰可能就是令人头痛而又无法避免的问题了。
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