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LL和G处理
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2006-06-19 中芯国际采用ARM物理IP实现90纳米低功耗设计
中芯国际和ARM日前宣布,中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARM Metro低功耗/高密度产品和Advantage高性能产品,用于90纳米LLG处理工艺。
2006-05-31 中芯国际采用ARM物理IP用于90纳米LLG处理工艺
中芯国际集成电路制造有限公司和ARM公司共同宣布:中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARM Metro低功耗/高密度产品和Advantage高性能产品,用于90纳米LL(低渗漏)G(主流)处理工艺。
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