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DRAM内存
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2015-08-21 盘点英特尔(Intel)的那些酷炫黑科技
在开幕的IDF会议上,Intel公开了基于黑科技3D XPoint闪存的Octane硬盘技术,现场演示的是PCI-E接口的Octane硬盘,性能达到了当前顶级PCI-E硬盘的5-7倍。但是PCI-E硬盘只是Intel Octane计划的一部分而已,别忘了3D XPoint闪存本身很特殊,既可以做NAND闪存也可以做DRAM内存,Intel还准备了DIMM内存型的Octane,号称成本只有DDR内存的一半,但容量是DDR的4倍,更关键的是它还是非易失性的,断电不丢失数据。
2015-02-04 DDR4或将引领新一轮存储变革
动态随机存取内存(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常见的内存组件。在处理器相关运作中,DRAM经常被用来当作数据与程序的主要暂存空间。相对于硬盘或是闪存(Flash Memory),DRAM具有访问速度快、体积小、密度高等综合优点,因此广泛的使用在各式各样现代的科技产品中,例如计算机、手机、游戏机、影音播放器等等。
2014-12-18 内存数据库系统,NVDIMM和数据持久性
非易失性双列直插式内存模块或NVDIMM的出现增加了针对内存数据库持久性的一种新工具。NVDIMM采用标准记忆棒的形式,可插入现有的DIMM插座,因此简化了到现成平台的集成。通常它们包含标准DRAM、NAND闪存和超级电容电源。
2014-02-26 内存市场经大洗牌后大翻身
记忆体专业封测厂华东科技总经理于鸿祺指出,内存历经前几年的大洗牌后市况大翻身,从2013年开始,无论是标准型DRAM或特殊型如Mobile DRAM均呈现价扬走势,而NAND Flash的需求也稳健成长,预估2014年对华东将是否极泰来的一年,今年营收可望微幅成长,而毛利则将持稳在10~15%之间。
2013-03-18 内存需求发生变化 PC的DRAM搭载数量增长减速
内存需求发生变化,PC的DRAM搭载数量增长减速,笔记本与台式机呈现新的设计参数与限制.
2012-09-28 JEDEC 发布DDR4存储器标准
微电子产业标准机构JEDEC固态技术协会今天初始发布广为业界期待的DDR4内存标准。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 内存标准的制定旨在提高性能与可靠性的同时降低功耗。因此,相较于此前的DRAM内存技术,DDR4代表着实质性的进步。新的DDR4 标准现可通过JEDEC官方网站免费下载。
2012-08-28 内存晴雨表
DRAM走出连续七个季度下滑局面,恢复增长. 平均销售价格上涨让产业受益;三星市场份额下降,但仍然居于榜首.
2012-03-14 疯涨16%?尔必达破产势必推升DRAM价格和营业收入
据IHS iSuppli公司的内存与存储研究报告,日本尔必达本周申请破产保护,将有利于DRAM市场中剩余的其它厂商,因为此举将导致今年下半年供应减少、提振价格和营业收入。
2011-11-17 价格跌破成本 DRAM产业面临重大转折点?
根据集邦科技(Trendforce)旗下内存市场研究部门 DRAMeXchange 的调查, DRAM 合约价虽然自 2011年10月起受惠于旺季需求而出现止跌走势,但时序进入11月份,泰国洪灾让原先硬盘供应链出货出现隐忧, PC OEM 除了担忧整机出货量受到影响之外,也意图樽节其他关键零组件的采购价格,以求在不影响整机成本情况下,平衡硬盘近来的涨势。
2011-08-24 DRAM厂商在制造工艺方面追赶三星
?? 据IHS公司的DRAM市场报告,随着DRAM价格降到了极低水平,如果厂商不转向效率更高的3x/2x纳米制程,可能面临重大亏损,三星电子等领先的内存供应商已经采用了上述制程。
2011-07-21 未来几年PC中的DRAM含量增长速度将会放慢
据IHS iSuppli公司的内存与存储报告,个人电脑(PC)中的DRAM含量增长速度将出现历史性的下降,2012年以后每台新PC中的DRAM含量的平均年度增长速度将不会超过35%,低于最近25年48%的平均水平。
2011-05-31 iSuppli研究报告称今年DRAM市场将维持连续2年双位数成长
IHSiSuppli(IHS-US)最新研究报告指出,受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%,今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增长,且连续两年都呈现双位数成长。
2011-05-09 一季度全球DRAM内存芯片营收环比降低4%
市场调研公司集邦科技日前发布的全球一季度DRAM内存芯片市场统计报告显示,DRAM内存芯片市场该季度营收83亿美元,相比去年第四季度的86亿美元下降4%。
2011-04-05 提速2400MHz 海力士第二家宣布DDR4内存
三星电子抢先行动整整三个月之后,另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)日前也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒,以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条,支持错误校验功能,均采用先进的30nm级别工艺制造,完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。
2011-03-27 三星开始大批量生产移动4GB DRAM内存芯片
日前,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子称,它已经开始大批量生产新型移动DRAM内存芯片。这种内存芯片在更薄的封装中增加内存的密度。
2011-03-14 分析称DRAM内存芯片下半年将供货短缺
投资公司RaymondJames&Associates日前发布报告称,DRAM内存芯片市场将在下半年出现供货短缺的局面。DRAM芯片市场近一段时间表现低迷,需求降低,价格也大幅下滑。
2011-02-14 提速20倍!美光宣布混合存储立方体技术
美光DRAM内存业务副总裁Brian M.Shirley表示,内存带宽问题如今往往会成为计算机系统的瓶颈。而其症结往往在于总线,即从DRAM内存芯片读写的数据无法马上达到处理器。他举 例称,DDR2到DDR3的升级被屡屡推迟就是如此,因为人们无法从升级DDR3看到内存性能的提升。
2011-01-31 iSuppli预计今年平板电脑出货量将达5760万台
市场研究公司iSuppli预计,平板电脑DRAM内存的出货量今年将从去年的3780万GB增长至3.53亿GB。这一数字将在2012年达到10亿GB,2014年达到35亿GB。
2010-11-09 封测厂10月营收 内存优于逻辑IC
封测厂包括京元电子、欣铨科技、硅品精密、力成科技、华东科技和福懋科技等陆续公布10月营收。逻辑IC封测大厂硅品、晶圆测试厂京元电和欣铨科技实绩呈现走跌,同时对第4季景气以持平或下滑看待。而内存封测厂表现较佳,力成、华东和福懋科在DRAM客户产出增加,第4季接单攀升,10月营收较上月成长,法人预料第4季营收将仍可以成长看待。
2010-09-26 iSuppli:内存业界芯片制造平均成本四年来首度出现正增长
据iSuppli市调公司发布的调查报告显示,内存业界生产DRAM芯片的平均制造成本出现了四年以来的首次正增长,不过据iSuppli公司分析,芯片 制造成本正增长的局面有望在数个季度之内有所缓解。
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