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2016-04-27 FinFET发明人给FinFET和FD SOI加了个叫SegFET的拐杖
对于目前的应用来说,FD SOI和FinFET仿佛不是竞争关系,他们更像是互补,就像戴伟民博士所说的,我们可以“两条腿走路”。但是我们不得不承认FD SOI和FinFET各自都有缺点。
2016-03-01 英特尔14nm工艺技术超前,那晶体管的实际性能如何?
多年以来,英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术,只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且,难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代 FinFET 工艺,毕竟其余竞争对手在其 14 纳米问世时,均处于第一代 FinFET 工艺水平。
2016-02-02 首批16nm高端FinFET FPGA正式发售 较28nm性能功耗比提升2-5倍
丰富的UltraScale+产品组合充分发挥赛灵思在28nm、20nm和现在16nm技术节点上的领先优势,相对于28nm 器件能将系统级性能功耗比提升2-5倍。
2015-10-19 TSMC准确数据:中国已有10家公司采用16nm Finfet
大陆消费者追求高、大、上终端产品规格的需求,反映在半导体产品开发的企图心上,台积电大陆区业务发展副总罗镇球强烈感受,不但第二波28纳米制程客户蓄势待发,大陆IC设计公司的蓬勃朝气,更反映在16纳米FinFET制程产品的规划上。需求涵盖移动运算、网通、比特币(Bitcoin)、FPGA等应用领域,有接近10家大陆IC设计公司的16纳米产品已经开案,呈现百花齐放的态势。
2015-09-22 Globalfoundries性能跑分告诉你:采用FD SoI的重要性
FD SoI一直宣称能提供FinFET工艺级别的性能及功耗,但制造成本却降低一个级别。在目前已有的三家代工厂中,与另外两家(ST和三星)不同的是,Globalfoundries公司缺少兄弟IC设计公司——只能接外部定单,且该公司是跳过28nm,首个推出22nm FD-SOI工艺的代工厂。那么,您是否知道22FDX到底有哪些好?
2015-09-18 帮你看懂已经全面攻占iPhone的FinFET
到底什么是FinFET?它的作用是什么?为什么让这么多国际大厂趋之若骛呢?
2015-07-21 AMD放弃20nm工艺,全面进入1xnm FinFET阵营
2015年7月20日,本月早些时候,AMD公布了今年第二季度财报,除了一系列营收数据之外,AMD还透露已经放弃20nm工艺,下一代处理器以及GPU将全面进入1xnm FinFET阵营。现在,AMD的工艺更迭有了新的进展。
2015-07-03 FinFET对动态功耗的影响
FinFET已经投产,并且在可扩展性、性能和泄漏功耗等方面具有很好的前景,但给设计实现流程增加了更多的复杂性。具有FinFET意识的设计实现和贯穿整个流程的有效动态功耗控制是发挥这些3D器件全部潜能的关键。
2015-07-01 先进纳米IC设计面临新的寄生电路提取挑战
晶圆代工工艺技术的更新换代使IC设计密度、性能和节能特性得以不断提高,但也为设计人员带来了更多挑战。FinFET晶体管等创新的新工艺特性要求大幅度提高寄生参数提取精度,以通过仿真和分析来验证实体设计的性能。本文将会介绍新的寄生电路提取挑战,并探讨工具技术是如何不断发展以满足新要求的。
2015-06-30 FD-SOI工艺要来了 FinFET会害怕吗
大器晚成的FD-SOI似乎很容易被产业界“看扁”,特别是半导体产业龙头如英特尔(Intel)与台积电(TSMC)似乎已经将FinFET当成标准技术。甚至在中国,展讯(Spreadtrum)董事长暨执行长李力游,对FD-SOI也有与业界多数人类似的看法,他不久前接受专访时对我说,FinFET的成本逐渐降低、良率越来越高:“如果我们两年前是选择FD-SOI,情况可能完全不同。”
2015-06-02 Xilinx与TSMC开展7nm工艺和3D IC技术合作
Xilinx与TSMC开展7nm工艺合作,确保连续四代全可编程技术及多节点扩展的领先优势,四代先进工艺技术和3D IC以及第四代FinFET技术合作.
2015-05-26 晶圆代工竞争暗潮汹涌 14纳米FinFET制程略胜一筹
虽然台积电仍是全球晶圆代工市场的龙头大厂,但为牵就苹果(Apple)这个大客户,内部压宝16纳米、20纳米设备可以大部互通的产能扩充弹性优势,硬是将16纳米FinFET制程技术订为20纳米下一棒的规划蓝图。
2015-05-25 晶圆代工业市场动荡 企业激烈抢单
半导体业者表示,高通在FinFET制程世代选择三星14纳米制程作为第一供应商,有别于过去率先与台积电合作,主要原因是台积电将部份资源投入20纳米制程开发,导致16纳米FinFET制程推出时间点略晚于竞争对手,但这是对的决定,因为20纳米制程帮台积电争取到苹果A8处理器订单。
2015-05-11 FinFET制程进度让大家失望了
全球晶圆代工市场逐渐转移至16/14纳米制程的鳍式场效电晶体(FinFET)技术,最初由芯片大厂英特尔(Intel)带动,而后三星电子(Samsung Electronics)与台积电加入战局,GlobalFoundries也将很快涉足此新兴市场。
2015-04-21 TSMC认证Mentor软件用于10nm FinFET技术早期设计开发
2015年4月6日— Mentor Graphics公司宣布,TSMC和Mentor Graphics已经达到在 10nm EDA认证合作的第一个里程碑。 Calibre 实体验证和可制造性设计 (DFM) 平台以及 Analog FastSPICE(AFS) 电路验证平台(包括AFS Mega)已由TSMC依据最新版本的10nm设计规则和 SPICE模型认证。
2015-04-17 台积电晶圆代工蝉联第一 加紧布局16FF+和10纳米制程
晶圆代工大厂台积电(TSMC)近日宣布将推出精简型、低功耗版本的16纳米FinFET制程,并公布其更先进纳米制程技术蓝图;台积电预定自今年中开始量产最新的16纳米FinFET Plus (16FF+)制程,并在2016年展开10纳米制程生产。
2015-01-14 14纳米FinFET工艺成争夺焦点 全球代工战拉开帷幕
14nmFinFET工艺优势多多,相比业界的20nm工艺,14nm FinFET工艺可提升20%的速度,降低35%的功耗,晶体管密度提升15%。特别是日前三星继英特尔之后宣布14nm将量产,使得代工争夺战中16nm/14nm订单成为新的焦点。
2014-12-18 IT界制程工艺大佬酝酿新变革
时间一晃又到了2014年的12月份,在辛苦工作了一年之后,大家都在等待着合家团圆,而IT行业也在酝酿着新的一年的改变。最新的消息是,AMD公司的 “Red Team”披露了其明年的APU和GPU规划,其中最引人注意的,自然是制程工艺的转变。然而外媒也指出,AMD的16纳米FinFET设计在2015年登陆主流市场并无望。
2014-10-24 Intel与IBM决战14纳米FinFET
业界主要的半导体制造商与晶圆代工厂一直在努力打造足以与英特尔(Intel)竞争的 3D FinFET ,试图挑战这个多年来一直由英特尔主导的领域。而长久以来能与英特尔相抗衡的也只有IBM了,不过,该公司最近刚签署一项协议,将旗下晶圆厂拱手卖给 GlobalFoundries (据The Envisioneering Group研究总监Rick Doherty指出,GlobalFoundries才刚取得三星 FinFET 制程技术授权)。
2014-10-23 晶圆代工走向三强鼎立新时代
半导体技术依循摩尔定律(Moore's Law)往前迈进,2015年将进入14/16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)的3D电晶体世代,但再往前看,10奈米将在2017年后进入市场。此时此刻,格罗方德(GlobalFoundries)宣布收购IBM半导体事业,IBM主导的通用平台(Common Platform)等于整合了格罗方德、三星、联电的3大厂资源,未来半导体市场,将走向台积电、通用平台联军、英特尔的三强鼎立新时代。
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