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高功率密度技术
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2015-05-27 高功率密度智能电机驱动器针对未来工业自动化
意法半导体(ST)推出高功率密度智能电机驱动器,针对未来工业自动化应用.整合85V/10A功率级和数字运动引擎的powerSTEP技术实现了空前的高集成度,运动更顺畅,定位更精准.
2014-01-22 DIALOG携手高通推出高效AC/DC适配器接口IC
DIALOG半导体有限公司携手高通技术公司打造更高效的智能手机快速充电解决方案,高通 Quick Charge 2.0兼容的AC/DC适配器解決方案,助力最大40W的高功率密度快速充电设备实现高达88%的工作效率.
2013-06-05 Vishay大幅扩充650V N沟道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30m?、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度.
2012-10-25 Vishay扩充600V N沟道功率MOSFET系列
Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列,新的E系列器件具有低至39m?的导通电阻和7A~73A电流,采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度,具有8种封装
2010-02-28 (多图) 功率晶体管助高效率、高功率密度转换器实现
在新式发电/节能技术及装置的背后,高频切换电源转换器扮演着极重要的角色。高频切换电源转换技术,乃是利用半导体功率组件以“高频切换”方式,结合各式能量转换组件如变压器、储能组件如电感及电容,达到高效率、高功率密度的要求。
2009-12-04 功率转换拓朴架构重要吗?
DC-DC 转换部份在电子产品中可谓无处不在。全球所有电子系统都由直流供电,其中大部份都用 DC-DC 转换器来把电压转换成系统各个部份所需要的电压。目前,这种功率转换功能大都由高功率密度的 DC-DC 转换器来完成。这些转换器以高频率的开关技术为基础。
2006-11-21 IR:适应高功率密度设计的新型DirectFET封装
当芯片导通阻抗与封装阻抗达到同一量级后,对芯片器件外封装的冷却和散热性能提出新的要求。传统的SO-8散热技术虽然能够在一定程度上改善器件的热导效应,但是在散热效率和PCB占用面积等方面的特性很难达到理想的水平。DirectFET是创新性的器件双面冷却散热技术,其充分考虑到器件外封装对芯片和电路板的整体影响,有助于改善芯片和板卡的功率密度性能与散热效率,同时能够减少电路板的占用面积,对于使用大量服务器的系统结构最为适合。
2006-08-09 NS推出具有业界最高功率密度的降压稳压器
美国国家半导体公司 宣布推出三款型号分别为 LM2830、LM2831 及 LM2832 的高功率密度稳压器,为这类稳压器芯片添加更多型号以供选择。这一全新系列单芯片脉冲宽度调制 (PWM) 转换器中最先推出的三款型号都采用高度集成的技术,加上封装极为小巧,能支持高频操作,因此其功率密度都远比市场上的同类竞争产品高。
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