EDN China首页 > 高级搜索 > InGaN技术

InGaN技术 InGaN技术 搜索结果

InGaN技术
本专题为EDN China电子技术设计网的InGaN技术专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与InGaN技术相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (5)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到5篇文章
2010-09-02 采用超亮InGan技术的新款LED
该LED针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术,在20mA电流下的发光强度为4500mcd至11250mcd。
2010-07-28 高性能、小尺寸功率SMD LED器件系列
VLMR51、VLMK51、VLMY51和VLMW51器件采用高发光效率的InGan和AllnGaP硅上技术,具有8.5lm~30.6lm的光通量和2850mcd~9750mcd的发光强度。这些LED具有低至100k/W的极低结至环境热阻,功率耗散高达738mW,从而使驱动电流高达200mA。
2008-12-18 Vishay采用超薄 CLCC-2 扁平陶瓷封装且基于蓝宝石 InGaN/TAG 技术的白光功率 SMD LED系列
Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首个采用 CLCC-2 扁平陶瓷封装且基于蓝宝石 InGaN/TAG 技术的高强度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84
2008-09-19 Vishay 推出扁平陶瓷封装、蓝宝石技术的白光功率 SMD LED
Vishay 推出业界首款采用CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封装、基于蓝宝石 InGaN/TAG 技术的白光功率 SMD LED,器件具有低达 40k/W的低热阻及 2240mcd 至 5600mcd 的高光功率,主要面向大容量应用。
2008-03-18 Vishay推出采用厚度仅为0.9mm的最薄CLCC-6扁平封装的新型暖白色功率SMD LED
Vishay Intertechnology推出采用 InGan 技术且具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色 SMD LED。VLMW611系列采用 CLCC-6 普通封装, 而VLMW621系列采用的是厚度仅有 0.9mm 的业界最薄的 CLCC-6 扁平封装。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈